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公开(公告)号：CN104332407B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201410428597.X
申请日：2014-08-27
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供了一种用于镍硅合金化工艺的阻挡层的制备方法，包括：提供一半导体衬底；半导体衬底上具有阻挡层区域和非阻挡层区域；在半导体衬底表面形成第一氧化层；在第一氧化层表面形成氮化层；经光刻和刻蚀工艺，去除阻挡层区域上的氮化层，将阻挡层区域上的第一氧化层暴露出来；在完成步骤04的半导体衬底上形成第二氧化层；经光刻和刻蚀工艺，去除非阻挡层区域上的第二氧化层和氮化层；其中，第一氧化层和第二氧化层共同作为阻挡层。本发明通过在阻挡区采用第二氧化层代替氮化层，从而避免由于氮化层和氧化层界面的存在而导致自由电子隧穿的现象的发生，提高了器件的电荷保持性能。
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公开(公告)号：CN106783583B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201611076529.7
申请日：2016-11-30
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/308
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/3083 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/67069
Abstract: 本发明公开了一种优化低功耗产品漏电流的方法，通过以光刻胶为模板进行硬掩膜刻蚀，在硬掩膜刻蚀终点检测点即进行去胶，再以硬掩膜为模板，使用低偏压功率，高压力，大流量聚合物气体，在进行硬掩膜过刻蚀的同时，形成衬底基材顶部的圆滑形貌，因而改变了浅沟槽刻蚀过程中，由硬掩膜底部过渡到衬底基材顶部刻蚀的切换点，消除了传统在硬掩膜过刻蚀后去胶，再进行衬底基材刻蚀所带来的尖角形貌，从而达到在衬底顶部刻蚀的起始点即形成圆滑形貌，因此可从根本上杜绝浅沟槽顶部微观尖角形貌而导致的漏电流。
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公开(公告)号：CN106206422B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201610694050.3
申请日：2016-08-19
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/02 , H01L21/312
Abstract: 本发明提供了一种降低金属硬质掩模大马士革一体化刻蚀缺陷生长的方法，包括：执行金属硬质掩模大马士革一体化刻蚀处理；第二步骤：运用刻蚀设备清洗掉晶圆表面刻蚀过程中产生的聚合物；第三步骤：运用刻蚀设备在晶圆表面沉积一层比较稳定的聚合物，以阻挡晶圆上的器件表面与空气发生反应产生阻挡刻蚀缺陷的聚合物。
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公开(公告)号：CN106129079B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201610790785.6
申请日：2016-08-31
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了一种优化CMOS图像传感器晶圆边缘缺陷的方法，包括：获取将要制造CIS产品的多个晶圆，其中在晶圆背面生长有氧化硅层；针对将要制造CIS产品的多个晶圆，使用炉管的方法在多个晶圆的氧化硅层上生长氮化硅层，作为后续刻蚀的硬掩膜；对所述多个晶圆进行浅沟槽刻蚀。
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公开(公告)号：CN106128976B
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201610770418.X
申请日：2016-08-30
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 一种监控侧墙刻蚀残留的方法，其以在线光学线宽量测为手段，通过在传统的侧墙刻蚀工艺中增加一步在线光学线宽量测步骤，对图形密集区域的残留介质膜进行量测，通过光学线宽测量的多样本点残留介质膜厚度来监控刻蚀完成后是否有微小异常残留的现象发生，从而作为生产过程后缺陷检测的一种补充手段。因此，通过本发明提供的方法，可以大大提高产品缺陷的检测准确率，缩短检测周期并确保了产品良率的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108766904A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810387262.6
申请日：2018-04-26
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种静电吸附盘的温度监控方法，包括：步骤S1，实时获取温度传感器检测的静电吸附盘的温度，以及加热器的输出功率；步骤S2，判断温度传感器检测到的静电吸附盘的温度是否偏离标准温度线超过预设标准；若是，则转向步骤S4；若否，则转向步骤S3；步骤S3，判断加热器的输出功率是否位于标准功率区间内；若是，则返回步骤S1；若否，则转向步骤S4；步骤S4，停止刻蚀机台的运行；通过对静电吸附盘的温度和加热器的输出功率进行同时监控，温度监控的准确性高，有助于晶圆刻蚀的良率提升。
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公开(公告)号：CN107833830A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201711172098.9
申请日：2017-11-22
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种改善一体化刻蚀聚集残留缺陷的方法，包括步骤S1：在半导体结构置于等离子体反应腔体前，清除等离子体反应腔体的表面的聚合物残留；步骤S2：调控等离子反应腔体的工艺压力和气体流量达到刻蚀状态的稳定条件；步骤S3：将半导体结构置于等离子体反应腔体内，并进行一体化刻蚀。本发明在晶圆置于前增加前清洁步骤，采用无晶圆干法清洗工艺并进行抽真空处理以清除刻蚀腔体内的聚合物残留。本发明通过在无晶圆干法清洗工艺和刻蚀工艺之间增加缓冲工艺，使腔体内的压力和气体流量与刻蚀要求的压力和气体流量相同，使APC的机械摆动最小，避免由于APC的大幅机械运动导致的缺陷。
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公开(公告)号：CN104867815B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201510213483.8
申请日：2015-04-29
Applicant: 上海华力微电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种刻蚀反应腔体的清洁方法，包括反应腔体和进气单元；清洁方法包括：通入第一工艺气体冲洗进气单元，使进气单元内壁至少部分的反应副产物剥落；接着通入第二工艺气体，使所述第二工艺气体的等离子体与剥落的第一副产物及所述反应腔体内壁的第一副产物发生反应，以清洗反应腔体的内壁；然后通入第三工艺气体并增加所述第三工艺气体的压力，使所述第三工艺气体的等离子体与进气单元内已剥落和未剥落的第二副产物反应，以清洗进气单元的内壁；最后增加第二工艺气体的压力，与进气单元内未剥落的第一副产物发生反应，以清洗所述进气单元的内壁。本发明能够有效减小进气单元残留物沉积掉落造成晶圆中心团聚缺陷的风险。
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公开(公告)号：CN106206422A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610694050.3
申请日：2016-08-19
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/02 , H01L21/312
Abstract: 本发明提供了一种降低金属硬质掩模大马士革一体化刻蚀缺陷生长的方法，包括：执行金属硬质掩模大马士革一体化刻蚀处理；第二步骤：运用刻蚀设备清洗掉晶圆表面刻蚀过程中产生的聚合物；第三步骤：运用刻蚀设备在晶圆表面沉积一层比较稳定的聚合物，以阻挡晶圆上的器件表面与空气发生反应产生阻挡刻蚀缺陷的聚合物。
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公开(公告)号：CN106206385A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610854743.4
申请日：2016-09-27
Applicant: 上海华力微电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种降低腔体内金属污染含量的多晶硅刻蚀腔及方法，通过在多晶硅刻蚀腔体内用于紧锁静电吸附盘、下电极、聚焦环及基座的金属钉子暴露的顶部装配结构外部采用等离子体隔绝装置，将金属钉子完全保护起来，能确保彻底避免金属钉子在腔体工艺期间被刻蚀等离子体轰击出金属活性离子所造成的对刻蚀腔体金属污染的问题，起到降低多晶硅刻蚀腔体金属污染含量的效果，从而可降低多晶硅刻蚀过程中对产品电性性能的固有损害，提升产品良率。
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