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公开(公告)号：CN116344315A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310339825.5
申请日：2023-03-31
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01J37/32 , B66F7/14 , B66F7/28 , H01J37/305 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种聚焦环升降机构及改善腔体刻蚀均一性的装置，聚焦环升降机构用于对一真空反应腔内的聚焦环进行升降，所述真空反应腔内设置一基座，所述基座上设置有一静电吸盘，所述聚焦环环绕设置于所述静电吸盘的外周，所述聚焦环升降机构包括升降杆以及套设在所述升降杆外的外套筒，所述外套筒贯穿所述基座后抵接所述聚焦环的底部，所述升降杆与外套筒螺纹连接，通过旋转所述升降杆能够使所述升降杆相对所述外套筒沿竖向升降，进而驱使所述聚焦环升降。在聚焦环被刻蚀一段时间发生损耗后，可通过旋转升降杆以使升降杆相对外套筒沿竖向上升，进而驱述聚焦环上升，以保持聚焦环的上表面不低于晶圆的上表面，进而保证晶圆刻蚀的均一性。
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公开(公告)号：CN106783705B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201611076590.1
申请日：2016-11-30
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/677
Abstract: 本发明公开了一种用于优化晶圆边缘缺陷的晶圆传送方法，通过预判断晶圆对准缺口经过隔离阀位置传感器时四个可能的遮挡位置，在搬运控制器上进行初始角度、单次旋转角度以及旋转角度范围的设定，以避免晶圆对准缺口从该四个遮挡位置经过位置传感器而引起搬运控制器对晶圆圆心位置的误判，从而实现对晶圆传送位置的精确控制，达到使晶圆安置于静电吸附盘中心的目的，避免造成背面氦气流量异常引起的宕机以及晶边缺陷的产生。本发明方法实现方便，效果显著，可适用于工艺过程中对晶圆中心对准要求较高的制程。
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公开(公告)号：CN104362085B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201410522341.5
申请日：2014-09-30
Applicant: 上海华力微电子有限公司
Abstract: 本发明提出一种调节高压器件电性的多晶硅刻蚀方法，包括：在多晶硅栅极刻蚀前测量光刻胶的宽度；计算得出刻蚀后的多晶硅栅极线宽；计算得出刻蚀后抗反射层损耗的线宽；根据抗反射层刻蚀速率，实时修正硅片的刻蚀工艺时间。本发明提出的调节高压器件电性的多晶硅刻蚀方法，采用抗反射层从而直接调整高压栅极的线宽，达到不需要调节离子注入剂量的目的。
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公开(公告)号：CN104157566B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201410412283.0
申请日：2014-08-20
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/3105 , G03F7/42
Abstract: 本发明提供了一种梯度式干法去胶方法，采用一具有光刻胶的晶圆，光刻胶表面具有经高能粒子注入后形成的硬壳；其包括：对晶圆表面进行预加热过程；对光刻胶表面的硬壳进行软化过程；去除光刻胶表面的硬壳，在晶圆表面有残余光刻胶；去除残余光刻胶。采用本发明的方法，不仅可以有效去除光刻胶，还可以避免光刻胶爆裂、残留、多晶硅损伤等工艺缺陷，进一步提高了产品良率。
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公开(公告)号：CN106128976A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610770418.X
申请日：2016-08-30
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 一种监控侧墙刻蚀残留的方法，其以在线光学线宽量测为手段，通过在传统的侧墙刻蚀工艺中增加一步在线光学线宽量测步骤，对图形密集区域的残留介质膜进行量测，通过光学线宽测量的多样本点残留介质膜厚度来监控刻蚀完成后是否有微小异常残留的现象发生，从而作为生产过程后缺陷检测的一种补充手段。因此，通过本发明提供的方法，可以大大提高产品缺陷的检测准确率，缩短检测周期并确保了产品良率的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103578971B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310491935.X
申请日：2013-10-18
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/3105 , G03F7/42
Abstract: 本发明提供一种高能量离子注入后的去胶方法，采用三个阶段去胶，第一个阶段是晶圆预热阶段，达到后续反应所需的工艺温度；第二个阶段是表面硬壳去除阶段，应用纯氢气、氮气混合气作为工艺气体去除高能离子注入后的表面碳化硬壳；第三个阶段是主体光刻胶去除阶段，以一定比例的氧气、氢气、氮气混合气为工艺气体去除残余的光刻胶。本发明的三阶段工艺去胶方法是利用氢气还原交联碳链的原理，在温和的反应条件下先去除注入后光刻胶外表面的碳化硬壳，从而避免反应开始阶段由于去胶速率过快而致光刻胶爆裂的情况发生，同时减少反应过程中碳硅氧成分的残留物生成，对其它膜质不会造成额外的损伤，有效降低晶圆表面缺陷，提高产品良率。
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公开(公告)号：CN103646890A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310630263.6
申请日：2013-11-29
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/20
Abstract: 本发明公开了一种干法工艺稳定性和匹配性的判断方法，属于集成电路领域。干法工艺稳定性的判断方法包括：通过获取干法工艺前后，硅光片表面自然氧化膜和初始热氧化膜的厚度差；对干法工艺后的硅光片进行清洗，获取清洗前后热氧化膜的损失率；基于自然氧化膜和热氧化膜的厚度差和清洗前后热氧化膜的损失率，判断干法工艺稳定性和匹配性。本发明中，通过膜厚信息实现了干法工艺稳定性和匹配性的判断。
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公开(公告)号：CN103280408A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310215052.6
申请日：2013-05-31
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件中侧墙的制造方法：在栅极上依次淀积第一介质膜和第二介质膜，量取第二介质膜淀积后的成膜厚度，与标准厚度规格相减，得到厚度调整值；对第二介质膜进行主刻蚀、过刻蚀；对第二介质膜进行调整刻蚀，得到宽度符合标准的侧墙。本发明通过在传统的侧墙刻蚀工艺中增加一步可调节侧墙厚度的化学刻蚀步骤，对前段介质膜淀积工艺造成的侧墙厚度偏移进行反向修正，从而使最终的侧墙宽度达到产品的规格，也提高产品电学特性和良率的稳定性。
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公开(公告)号：CN115763206A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211420217.9
申请日：2022-11-15
Applicant: 上海华力微电子有限公司
Abstract: 本发明提供了一种连接组件及应用其的刻蚀机，其中，本发明提供的连接组包括挂钩和密封圈，所述挂钩呈二阶梯状，所述挂钩的第一阶高h1和第二阶高h2满足：1/3＜h2/h1≤1，将其应用于刻蚀机，可有效提高上腔体部分整体的配合度，改善密封圈上聚合物沉积现象，延长其使用寿命，提高刻蚀机的刻蚀速率和刻蚀均一性。
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公开(公告)号：CN110850690A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911136237.1
申请日：2019-11-19
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G03F7/42 , H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供了一种去胶设备，包括：腔体，位于所述腔体底部的顶针，以及位于所述腔体侧壁的光谱监控仪；所述顶针用于对晶圆进行升降作用，所述光谱监控仪用于监测所述顶针是否到达正确位置；本发明还提供了一种顶针监控方法，用于监测去胶工艺平台的顶针位置是否异常，包括：光谱监控仪接受晶圆表面的光谱信号；判断光谱信号是否异常；本发明还提供了一种去胶工艺，包括：判断所述顶针位置是否异常；如果没有异常，开始去胶。在本发明提供的去胶设备、顶针监控方法和去胶工艺中，通过对晶圆表面光谱信号的监测来判断顶针的位置是否在合适的位置，使得去胶结果速率正常。
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