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公开(公告)号：CN111929981B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202010891829.0
申请日：2020-08-28
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明提供了一种接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法，包括：提供OPC图形，所述OPC图形上具有接触孔区域；在所述接触孔区域的空白区域添加亚分辨率辅助图形；步进移动所述亚分辨率辅助图形以改善所述接触孔的边缘误差。本发明的接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法，通过移动亚分辨率辅助图形，以改变亚分辨率辅助图对接触孔区域的光线散射作用，进一步的调节接触孔区域的光强分布，强化边角轮廓和増加曝光焦深，使得接触孔的边缘误差得到改善，如此，改善了OPC图形中因接触孔边缘误差所导致的工艺热点。
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公开(公告)号：CN111948915B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202010832140.0
申请日：2020-08-18
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供了一种提高OPC修正效率的方法，包括：对版图上的器件分别进行本地OPC处理和全局OPC处理；所述本地OPC处理包括：在版图中以器件的功能不同和/或器件的尺寸差异定义器件的属性；将每个属性的所述器件以光学半径进行分类；对分类后的所述器件进行OPC修正处理；用OPC修正处理后的器件替换版图上同一类的所有器件，并将替换后的地方进行标示；所述全局OPC处理包括：对所述版图上的未标示的地方进行OPC修正处理。相比于现有技术的每一个器件都进行全局OPC处理，本发明对重复类型的器件只进行一次本地OPC处理，节省了大量OPC处理的时间。
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公开(公告)号：CN107103145B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201710318781.2
申请日：2017-05-08
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G06F30/392 , G06F111/16
Abstract: 本发明提供一种计算版图中线宽固定节距不同的线条的分布的方法，从节距数值范围最小的节距最小段开始筛选每一段节距数值范围内的线条，逐渐将所有具有固定线宽的线条归类在不同节距段中，错综复杂的版图设计数据提取有效的版图设计线宽、节距，量化固定线宽不同节距的线条的分布，利用该分析结果判断工艺异常与线宽节距分布的相关性。
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公开(公告)号：CN111948915A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010832140.0
申请日：2020-08-18
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供了一种提高OPC修正效率的方法，包括：对版图上的器件分别进行本地OPC处理和全局OPC处理；所述本地OPC处理包括：在版图中以器件的功能不同和/或器件的尺寸差异定义器件的属性；将每个属性的所述器件以光学半径进行分类；对分类后的所述器件进行OPC修正处理；用OPC修正处理后的器件替换版图上同一类的所有器件，并将替换后的地方进行标示；所述全局OPC处理包括：对所述版图上的未标示的地方进行OPC修正处理。相比于现有技术的每一个器件都进行全局OPC处理，本发明对重复类型的器件只进行一次本地OPC处理，节省了大量OPC处理的时间。
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公开(公告)号：CN106980719B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201710170707.0
申请日：2017-03-21
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G06F30/398
Abstract: 本发明提供一种版图重复单元光学邻近效应修正一致性检查方法，先建立包含有所有所述基准图形对应的原始设计层和所述原始设计层被光学邻近效应修正的图层的图形库，然后将所述图形库中所有所述基准图形对应的原始设计层与版图的原始设计的每一区域完全匹配成功的该基准图形对应的所述原始设计层被光学邻近效应修正的图层，与所述图形库中所有所述基准图形对应的所述原始设计层被光学邻近效应修正的图层作异或运算，得到差异以及对应的差异值，对上述差异中大于可接受差异值的进行归类，减少差异种类，这样就可以将数以千万级的差异归纳为几种或者数十种差异，大大提升了版图设计修正工作在重复区域修正一致性检查工作准确性与效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104332407B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201410428597.X
申请日：2014-08-27
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供了一种用于镍硅合金化工艺的阻挡层的制备方法，包括：提供一半导体衬底；半导体衬底上具有阻挡层区域和非阻挡层区域；在半导体衬底表面形成第一氧化层；在第一氧化层表面形成氮化层；经光刻和刻蚀工艺，去除阻挡层区域上的氮化层，将阻挡层区域上的第一氧化层暴露出来；在完成步骤04的半导体衬底上形成第二氧化层；经光刻和刻蚀工艺，去除非阻挡层区域上的第二氧化层和氮化层；其中，第一氧化层和第二氧化层共同作为阻挡层。本发明通过在阻挡区采用第二氧化层代替氮化层，从而避免由于氮化层和氧化层界面的存在而导致自由电子隧穿的现象的发生，提高了器件的电荷保持性能。
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公开(公告)号：CN105223771B
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201510662390.3
申请日：2015-10-14
Applicant: 上海华力微电子有限公司
Abstract: 本发明提出的一种光学邻近效应修正模型的优化方法，选出焦距敏感图形，对焦距敏感图形使用严谨的光阻仿真器进行模拟获得其光阻高度数据，量测出临界尺寸优化光学邻近效应修正光学模型和光学邻近效应修正光阻模型，使得整个模型对由于三维效应而失效的图形有很好的预测能力，同时相对于严谨的光阻仿真器模型具有更快的速度，能满足32nm节点及更高节点整个版图设计的光学邻近效应修正和验证的需求。
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公开(公告)号：CN108044479B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201711153761.0
申请日：2017-11-20
Applicant: 上海华力微电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种抛光机台废水收集槽，采用两个箱体，两个箱体上部通过溢水连通管连通；当连通到第一箱体的透明水位管内的水位高于高水位光传感器时，如果透明水位管的内壁过脏高水位光传感器无法侦测到水位，第一箱体内的废水水位会持续上升，通过溢水连通管进入到第二箱体，当第二箱体内水位高于浮球传感器时，第二抽水泵会开始工作将第二箱体内的废水排出。由于机械式的浮球传感器不会因水脏等原因而无法检测到水位，第二箱体内的废水会及时排出，保证第一箱体内的废水能通过溢出口及时排出，避免费水从第一箱体顶盖上的观察窗溢出，有效提高废水槽工作的安全性。
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公开(公告)号：CN106707681B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201611047406.0
申请日：2016-11-22
Applicant: 上海华力微电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种增强OPC处理精度的方法，通过利用建立工艺热点库信息，对出版数据进行热点分析和MEEF值判定，对MEEF值在设定值以上的高MEEF图形进行加强OPC图形修正和检查，在此基础上对工艺热点库进行不断升级，可改善以往在OPC修正时出现的对重复图形区域在不同的地方随机修正结果不一样的问题，提高高MEEF图形的OPC处理精度，并保持OPC修正结果的一致性；本发明可以和现有的处理方法兼容，同时可以大幅减少系统的运行时间，不但克服了传统设计随意性和数据的冗余性，提高了版图的处理效率，而且可以降低OPC处理的复杂度和运行时间。
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公开(公告)号：CN106154737B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201610510504.7
申请日：2016-06-30
Applicant: 上海华力微电子有限公司
Abstract: 本发明提供了一种降低ESD风险的版图处理方法，包括：第一步骤：获取原始的注入层掩模板；第二步骤：选择原始的注入层掩模板中易发生ESD效应的图形边；第三步骤：针对易发生ESD效应的图形边优化原始的注入层掩模板；第四步骤：对优化后的注入层掩模板执行光学邻近校正处理以获得最终的注入层掩模板。
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