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公开(公告)号：CN107516872B
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201610422763.4
申请日：2016-06-15
申请人： 全球能源互联网研究院 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网公司 , 国网福建省电力有限公司
IPC分类号： H02H7/12
摘要： 本发明提供一种MMC换流阀子模块正向过电压保护电路，包括主功能电路和辅助功能电路；所述主功能电路和辅助功能电路并联。本发明提供的MMC换流阀子模块正向过电压保护电路中，MMC阀子模块的电子式FOP过电压保护电路能够准确、及时、有效的在直流电容过电压的情况下驱使子模块保护装置旁路动作，避免子模块因过电压损坏，FOP的过电压保护电路较常规的BOD硬件过电压保护具有延时短、偏差值小的优势，对子模块的安全性提供了更加可靠准确的保护。
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公开(公告)号：CN110571816A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910702772.2
申请日：2019-07-31
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
摘要： 一种模块化可控卸荷电路及控制方法，所述可控卸荷电路串接在直流输电线路的极线之间，包括：多个串联的可控卸荷模块；每个可控卸荷模块包括：电容、开关和MOV避雷器；所述开关与所述MOV避雷器串联后与所述电容并联。本方案中提供的电路包括可控卸荷模块，当直流系统正常运行或发生扰动和故障时，可控卸荷模块可控制电路中的能量消耗功率，从而维持整个直流输电系统的平衡运作。
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公开(公告)号：CN110460228A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910701825.9
申请日：2019-07-31
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
摘要： 一种能量控制电路及控制方法，本方案中包括：主电阻、多个主开关和多个电压源模块；主开关与电压源模块并联；所述主电阻以及多个电压源模块依次串联；所述电压源模块用于电路分压；在本方案中，根据耗能需求，确定所述电压源模块的投入量；根据所述投入量，通过控制所述主开关断开，将需要投入电压源模块调整为分压状态并保持分压稳定，所述主电阻根据所述耗能需求进行耗能；通过控制所述主开关闭合，将剩余的所述电压源模块调整为短接状态；在设定的工作周期内，基于所述投入量控制所述电压源模块交替投退。本方案中通过在设定的工作周期内，控制所述电压源模块在交替投退，使得能量控制电路中的电压源模块交替冷却，降低了对硬件的损耗率。
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公开(公告)号：CN108054206A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711003546.2
申请日：2017-10-24
申请人： 全球能源互联网研究院
IPC分类号： H01L29/732 , H01L29/739 , H01L29/749 , H01L29/06 , H01L21/331 , H01L21/332
CPC分类号： H01L29/732 , H01L29/0684 , H01L29/66068 , H01L29/66234 , H01L29/66272 , H01L29/6631 , H01L29/66333 , H01L29/66363 , H01L29/66401 , H01L29/7395 , H01L29/749
摘要： 本发明提供了一种横向元胞结构的功率器件终端结构及其制作方法，以绝缘栅双极型晶体管(IGBT)为例，该结构包括衬底、背面掺杂区、正面掺杂区、隔离绝缘层、发射极、集电极、栅电极结构。本发明提供的一种横向元胞代替终端的垂直型功率芯片结构设计及其制作方法，将垂直型功率半导体器件原有的终端结构设计为横向器件结构，可以有效利用终端面积形成额外的通流区域，增加芯片的通流能力。
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公开(公告)号：CN107910356A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711002677.9
申请日：2017-10-24
申请人： 全球能源互联网研究院
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/0657 , H01L29/66227
摘要： 本发明提供了一种垂直型高压功率器件高效终端结构及其制作方法。该结构包括衬底、设置在衬底上表面的场环掺杂区、场板与衬底之间的隔离绝缘层、衬底背面的掺杂区、电极结构、钝化层结构。本发明提供的技术方案所得的垂直型高压功率器件高效终端结构，具有效率高、隔离绝缘层应力小、稳定性好、易加工的特点。
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公开(公告)号：CN107452790A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710702108.9
申请日：2017-08-16
申请人： 全球能源互联网研究院
IPC分类号： H01L29/745 , H01L21/332
CPC分类号： H01L29/745 , H01L29/66363
摘要： 本发明公开了一种功率半导体器件及其制作方法，其中功率半导体器件包括：第一导电类型的基板；第一掺杂层，设置在基板内，其为与第一导电类型相反的第二导电类型；第二掺杂层，设置在第一掺杂层内，其为第一导电类型；第三掺杂层，设置在第二掺杂层内，其为第二导电类型；控制电极，通过隔离层设置在基板的第一表面上，且隔离层与第一掺杂层、第二掺杂层和第三掺杂层的表面接触；第一电极，设置在基板的第一表面上，且第一电极与第一掺杂层、第二掺杂层和第三掺杂层的表面接触；以及第二电极，设置在基板的第二表面上。当控制电极接负电时，第三掺杂层形成少子的抽取路径，降低了载流子局部浓度，降低第一掺杂层和基板原有掺杂类型层之间的势垒。
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公开(公告)号：CN107221561A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710513956.5
申请日：2017-06-29
申请人： 全球能源互联网研究院
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/0634 , H01L29/66674 , H01L29/7801
摘要： 本发明提供一种叠层电场调制高压MOSFET结构及其制作方法。该MOSFET结构包括半导体衬底、半导体衬底上具有叠层电场调制结构的外延层和叠层电场调制结构上的金属‑氧化物‑半导体(MOS)结构。叠层电场调制结构为由n型半导体和p型半导体交叉循环组成的N/P/N/P结构；N/P结构和半导体衬底的材料一致，每层的N掺杂区域和P掺杂区域相互对齐。本发明提供了不同的电场调制结构的制作方法：高能离子注入法、刻蚀深沟槽与填充法以及刻蚀深沟槽与侧壁离子注入法，为器件的制作奠定了基础。利用本发明提供的技术方案得到的MOSFET不仅继承了传统半超结结构增大阻断电压降低导通电阻的优点，也降低了每层电场调制结构的加工工艺难度。
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公开(公告)号：CN106981858A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201611248356.2
申请日：2016-12-29
申请人： 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网浙江省电力公司
IPC分类号： H02H3/087
CPC分类号： H02H3/087
摘要： 本发明提供了一种直流断路器及其控制方法，所述直流断路器包括分别并联的主通流支路、第一电流转移支路、第二电流转移支路和能量吸收支路；第一电流转移支路包括两个反向并联的晶闸管；第二电流转移支路包括电容、电感、电阻和两个晶闸管；两个晶闸管反向并联，电容、电感和两个晶闸管组成的并联结构依次串联，电阻的一端连接于电感和并联结构之间，另一端接地。与现有技术相比，本发明提供的一种直流断路器及其控制方法，采用晶闸管可以减小直流断路器的体积，同时，在第二电流转移支路中设置电阻可以不需要单独设置辅助电源向电容进行预充电，进一步地减小直流断路器的体积并提高其工作可靠性。
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公开(公告)号：CN106711931A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611246504.7
申请日：2016-12-29
申请人： 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网浙江省电力公司
摘要： 本发明提供了一种直流断路器及其控制方法，所述直流断路器包括并联的主通流支路和故障电流抑制单元；故障电流抑制单元包括全桥电路、电流转移电路和能量吸收支路；电流转移电路包括并联的第一电流转移支路和第二电流转移支路；第一电流转移支路包括第一晶闸管、第一电容器和第一避雷器；第一晶闸管与第一电容器串联，且第一电容与第一避雷器并联；第二电流转移支路包括串联的第二晶闸管和第二电容器。与现有技术相比，本发明提供的一种直流断路器及其控制方法，采用晶闸管可以减小直流断路器的体积，同时，采用全桥电路不需要单独设置辅助电源向第一电容器和第二电容进行预充电，进一步地减小直流断路器的体积并提高其工作可靠性。
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公开(公告)号：CN106449312A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610814624.6
申请日：2016-09-09
申请人： 华中科技大学 , 全球能源互联网研究院 , 国网湖北省电力公司
摘要： 本发明公开了一种斥力机构驱动电源，包括充电单元、放电单元；充电单元包括固态继电器、调压器、带抽头的升压变压器、第一充电电阻、第二充电电阻、单刀双掷开关、高压充电子单元，机动充电子单元和合闸充电子单元；放电单元包括高压放电子单元、机动放电子单元、合闸放电子单元、放电电阻、第一接触器、第二接触器和第三接触器。本发明通过增加一组机动充放电子单元，能够使驱动电源在不同的工况下灵活地满足不同的需求。在满足传统的直流断路器简单的分合闸需求的基础上，添加了高速分闸、低速分闸功能，既能够满足快速斥力机构的高速分闸的速度需求，又能够在满足普通斥力机构分闸基础上延长其使用寿命；添加了重合闸功能，可以满足更高的需求。
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