公开(公告)号：CN103311101B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201210300920.6

申请日：2012-08-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕奎亮 ,  谢铭峰 ,  张庆裕

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0332 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76837

Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法。该方法包括在衬底的上方形成多个电路器件。该方法包括在衬底的上方形成有机层。有机层形成在多个电路器件的上方。该方法包括抛光有机层以平坦化有机层的表面。在抛光之前，不高温热处理有机层。有机材料在抛光期间是未交联的。该方法包括在有机层的平坦化的表面的上方沉积LT-膜。在低于约150摄氏度的温度下实施沉积。也在不使用旋转涂布的情况下实施沉积。该方法包括在LT-膜的上方形成经图案化的光刻胶层。

公开(公告)号：CN106158596A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510859640.2

申请日：2015-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何育如 ,  洪爱真 ,  谢弘璋 ,  吕奎亮 ,  张雅惠

IPC: H01L21/027 ,  H01L27/02

Abstract: 本发明公开了一种置入散色条于微影工艺的方法，该方法包括接收包含第一主要部件的集成电路设计布局，以及置入第一多个散色条于上述集成电路设计布局，以形成围绕于上述第一主要部件的第一环形图案的散色条。上述第一主要部件是设置于上述第一环形图案的散色条的一中央部分。本发明展现了改良聚焦深度、散色条印出窗口以及降低焦点位移。

公开(公告)号：CN104050309A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410017755.2

申请日：2014-01-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张世明 ,  吕奎亮

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明公开了一种更改部件图案的方法，包括：从设计图案中提取主图案和切割图案，以及如果任一部件图案违反了布局规则，则更改主图案和切割图案中的至少一个，其中，按照在形成主图案的过程中改进工艺窗口的一组工艺指南布置主图案。本发明还公开了主图案和切割图案的布局优化。

公开(公告)号：CN103311101A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201210300920.6

申请日：2012-08-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕奎亮 ,  谢铭峰 ,  张庆裕

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0332 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76837

Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法。该方法包括在衬底的上方形成多个电路器件。该方法包括在衬底的上方形成有机层。有机层形成在多个电路器件的上方。该方法包括抛光有机层以平坦化有机层的表面。在抛光之前，不高温热处理有机层。有机材料在抛光期间是未交联的。该方法包括在有机层的平坦化的表面的上方沉积LT-膜。在低于约150摄氏度的温度下实施沉积。也在不使用旋转涂布的情况下实施沉积。该方法包括在LT-膜的上方形成经图案化的光刻胶层。

公开(公告)号：CN106158596B

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201510859640.2

申请日：2015-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何育如 ,  洪爱真 ,  谢弘璋 ,  吕奎亮 ,  张雅惠

IPC: H01L21/027 ,  H01L27/02

Abstract: 本发明公开了一种置入散色条于微影工艺的方法，该方法包括接收包含第一主要部件的集成电路设计布局，以及置入第一多个散色条于上述集成电路设计布局，以形成围绕于上述第一主要部件的第一环形图案的散色条。上述第一主要部件是设置于上述第一环形图案的散色条的一中央部分。本发明展现了改良聚焦深度、散色条印出窗口以及降低焦点位移。

公开(公告)号：CN103247574B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201210198957.2

申请日：2012-06-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何韦德 ,  吕奎亮 ,  谢铭峰 ,  张庆裕

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  G03F1/26

CPC classification number: G03F1/38 ,  G03F7/70466 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211

Abstract: 本发明涉及鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的切割掩模图案化工艺，其中，用于以非矩形图案对多个部件(诸如位于集成电路器件上)进行图案化的方法包括：提供包括具有多个伸长凸起的表面的衬底，伸长凸起在第一方向上延伸。在表面上方和多个伸长凸起上方形成第一层，并利用端部切割掩模对其进行图案化。端部切割掩模包括两个紧邻的图案，亚分辨率部件被定位和配置为使得第一层上的合成图案包括两个紧邻的图案以及位于它们之间的连接部分。该方法进一步包括使用第一层上的图案对伸长凸起进行端部切割。

公开(公告)号：CN103219340A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201210192137.2

申请日：2012-06-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余绍铭 ,  张长昀 ,  张志豪 ,  陈欣志 ,  张开泰 ,  谢铭峰 ,  吕奎亮 ,  林以唐

IPC: H01L27/085 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了一种半导体结构。该半导体结构包括半导体衬底；形成在半导体衬底中的隔离部件；形成在所述半导体衬底中的第一有源区和第二有源区，其中所述第一有源区和第二有源区在第一方向延伸并且通过所述隔离部件彼此分隔；以及设置在隔离部件上的伪栅极，其中所述伪栅极在第一方向从一侧延伸至所述第一有源区并且从另一侧延伸至所述第二有源区。本发明还公开了用于具有线端延长的晶体管的结构和方法。

公开(公告)号：CN105789049B

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201410808179.3

申请日：2014-12-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 伍海涛 ,  吕奎亮 ,  谢铭峰 ,  刘如淦

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明公开了用于图案化鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的鳍的方法。一种示例性方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成多个细长突出物，细长突出物在第一方向上延伸，以及形成覆盖细长突出物的第一部分的掩模，该掩模由具有第一蚀刻速率的第一材料形成。该方法也包括：形成围绕掩模的间隔件，间隔件由蚀刻速率低于第一材料的蚀刻速率的第二材料形成，掩模和间隔件一起覆盖细长突出物的第二部分，细长突出物的第二部分大于细长突出物的第一部分。而且，该方法包括去除多个细长突出物的未由掩模和间隔件覆盖的剩余部分。

公开(公告)号：CN104050309B

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201410017755.2

申请日：2014-01-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张世明 ,  吕奎亮

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明公开了一种更改部件图案的方法，包括：从设计图案中提取主图案和切割图案，以及如果任一部件图案违反了布局规则，则更改主图案和切割图案中的至少一个，其中，按照在形成主图案的过程中改进工艺窗口的一组工艺指南布置主图案。本发明还公开了主图案和切割图案的布局优化。

公开(公告)号：CN103219340B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201210192137.2

申请日：2012-06-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余绍铭 ,  张长昀 ,  张志豪 ,  陈欣志 ,  张开泰 ,  谢铭峰 ,  吕奎亮 ,  林以唐

IPC: H01L27/085 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了一种半导体结构。该半导体结构包括半导体衬底；形成在半导体衬底中的隔离部件；形成在所述半导体衬底中的第一有源区和第二有源区，其中所述第一有源区和第二有源区在第一方向延伸并且通过所述隔离部件彼此分隔；以及设置在隔离部件上的伪栅极，其中所述伪栅极在第一方向从一侧延伸至所述第一有源区并且从另一侧延伸至所述第二有源区。本发明还公开了用于具有线端延长的晶体管的结构和方法。