Invention Grant
- Patent Title: 用于表征器件自加热的方法
- Patent Title (English): Method for characterizing device self-heating
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Application No.: CN200710140228.0Application Date: 2007-08-06
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Publication No.: CN101183398BPublication Date: 2012-12-26
- Inventor: 王平川 , G·拉罗莎 , K·W·克尔芬巴赫 , P·A·海德
- Applicant: 国际商业机器公司
- Applicant Address: 美国纽约
- Assignee: 国际商业机器公司
- Current Assignee: 格芯公司
- Current Assignee Address: 美国纽约
- Agency: 北京市中咨律师事务所
- Agent 于静; 李峥
- Priority: 11/559,120 2006.11.13 US
- Main IPC: G06F17/50
- IPC: G06F17/50 ; H01L27/02
Abstract:
本发明提供一种用于表征器件自加热的结构和方法。本方法包括确定给定器件的多晶栅极温度和确定监测器件的沟道温度。本方法还包括外推所述监测器件的沟道温度以获得所述给定器件的沟道温度。基于所述多栅极温度和所述沟道温度确定所述给定器件的温度差(ΔT值)。器件包括具有在其每一个端处具有至少一个接触的多晶栅极的加热器件和与加热器件间隔已知距离的多个监测器件。
Public/Granted literature
- CN101183398A 用于表征器件自加热的结构和方法 Public/Granted day:2008-05-21
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