公开(公告)号：CN108630534A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810245726.X

申请日：2018-03-23

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 市川弘之 ,  西真弘

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76886 ,  H01L21/28575 ,  H01L23/53219 ,  H01L23/53261 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种在氮化物半导体材料上形成包含铝(Al)的欧姆电极的方法。该方法包括以下步骤：(a)在半导体材料上沉积欧姆金属；(b)形成绝缘膜，使该绝缘膜覆盖所述欧姆金属的侧面但暴露所述欧姆金属的顶面；和(c)在高于500℃的温度使所述欧姆金属合金化30秒至60秒。

公开(公告)号：CN109545686B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN201811100138.3

申请日：2018-09-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 吉田智洋 ,  市川弘之

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/027 ,  H01L21/28 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明披露了一种形成电极器件中的栅极的方法。该方法包括以下步骤：在氮化物半导体层上沉积绝缘膜；在绝缘膜上形成具有开口的光刻胶，该开口对应于栅极；利用光刻胶作为蚀刻掩模，在绝缘膜中形成凹陷，该凹陷在绝缘膜中留下剩余部分；在氧等离子体中使光刻胶曝光；烘烤光刻胶以使其开口的边缘钝化；利用经过钝化的光刻胶作为蚀刻掩模，蚀刻绝缘膜的剩余部分；形成栅极以使其通过绝缘膜中的开口而与半导体层直接接触。

公开(公告)号：CN109545686A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201811100138.3

申请日：2018-09-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 吉田智洋 ,  市川弘之

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/027 ,  H01L21/28 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明披露了一种形成电极器件中的栅极的方法。该方法包括以下步骤：在氮化物半导体层上沉积绝缘膜；在绝缘膜上形成具有开口的光刻胶，该开口对应于栅极；利用光刻胶作为蚀刻掩模，在绝缘膜中形成凹陷，该凹陷在绝缘膜中留下剩余部分；在氧等离子体中使光刻胶曝光；烘烤光刻胶以使其开口的边缘钝化；利用经过钝化的光刻胶作为蚀刻掩模，蚀刻绝缘膜的剩余部分；形成栅极以使其通过绝缘膜中的开口而与半导体层直接接触。