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公开(公告)号：CN108630534A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810245726.X
申请日：2018-03-23
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工光电子器件创新株式会社
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76886 , H01L21/28575 , H01L23/53219 , H01L23/53261 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种在氮化物半导体材料上形成包含铝(Al)的欧姆电极的方法。该方法包括以下步骤：(a)在半导体材料上沉积欧姆金属；(b)形成绝缘膜，使该绝缘膜覆盖所述欧姆金属的侧面但暴露所述欧姆金属的顶面；和(c)在高于500℃的温度使所述欧姆金属合金化30秒至60秒。
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