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公开(公告)号：CN108461546B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201710700472.1
申请日：2017-08-16
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本发明一般涉及半导体装置。目的在于提供耐压更高的半导体装置。实施方式所涉及的半导体装置具备半导体层、第一电极以及第一绝缘膜。所述第一电极设置在所述半导体层内，在第一方向上延伸。所述第一绝缘膜设置在所述半导体层与所述第一电极之间，从所述第一电极朝向所述半导体层的方向上的厚度随着向所述第一方向而阶段性地变厚。所述第一绝缘膜具有相互不同的3个以上的厚度。
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公开(公告)号：CN115841999A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202210076831.1
申请日：2022-01-24
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L23/498
Abstract: 实施方式提供一种高性能的半导体装置。半导体装置具备：裸片焊盘，具有上表面；半导体芯片，设置在上表面之上；第一焊料，将上表面与半导体芯片接合；第一金属膜，设置在半导体芯片之上；第一绝缘膜，设置在第一金属膜之上，并具有第一开口部；连接器，具有第一端部和第二端部，第一端部设置在第一开口部内的第一金属膜之上；第二金属膜，设置在第一开口部内，具有设置为包围第一金属膜的与第一端部接触的部分的多个第二开口部，并设置于连接器的第一端部与第一金属膜之间；多个第二绝缘膜，分别在多个第二开口部内与第一金属膜直接相接设置；以及第二焊料，设置在第二金属膜与第一端部之间，将第一端部与第二金属膜接合。
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公开(公告)号：CN108461546A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201710700472.1
申请日：2017-08-16
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/0623 , H01L23/528 , H01L23/53261 , H01L29/402 , H01L29/7813
Abstract: 本发明一般涉及半导体装置。目的在于提供耐压更高的半导体装置。实施方式所涉及的半导体装置具备半导体层、第一电极以及第一绝缘膜。所述第一电极设置在所述半导体层内，在第一方向上延伸。所述第一绝缘膜设置在所述半导体层与所述第一电极之间，从所述第一电极朝向所述半导体层的方向上的厚度随着向所述第一方向而阶段性地变厚。所述第一绝缘膜具有相互不同的3个以上的厚度。
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公开(公告)号：CN114171576A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202110207930.4
申请日：2021-02-24
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式提供提高了树脂密封的气密性的半导体装置。半导体装置具备半导体元件和树脂。半导体元件包括半导体部、第一电极和第二电极。所述半导体部具有背面、与所述背面相反侧的表面、以及将所述背面与所述表面连接的侧面，所述第一电极设置于所述半导体部的所述背面上，所述第二电极设置于所述半导体部的所述表面上。所述半导体元件在所述侧面具有包围所述半导体部的槽。所述树脂对所述半导体元件进行气密密封并包括被填充于所述槽的内部的部分。
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公开(公告)号：CN112447627A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010126783.3
申请日：2020-02-28
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/78
Abstract: 实施方式提供能够扩大地设定安全动作区域的半导体装置。实施方式的半导体装置具备包含第一导电型的第一半导体层的半导体部、设于半导体部的表面上的电极、以及设于半导体部与电极之间的控制电极。半导体部还包含设于第一半导体层与第二电极之间的第二导电型的第二半导体层和选择性地设于第二半导体层与第二电极之间的第一导电型的第三半导体层。半导体部包含位于第二电极的中央部之下的第一区域和位于中央部的外侧的外周部之下的第二区域。第二半导体层包含在第一区域中与控制电极面对的第一部分、以及在第二区域中与控制电极面对的第二部分，第一部分中的第二导电型杂质的浓度比第二区域中的第二导电型杂质的浓度低。
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