公开(公告)号：CN105374866A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510096751.2

申请日：2015-03-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 田中文悟 ,  末代知子 ,  押野雄一

IPC: H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/407

Abstract: 实施方式的半导体装置包括：第二导电型的第一半导体区域、第一导电型的第二半导体区域、第二导电型的第三半导体区域、第一导电型的第四半导体区域、第一栅极电极、第一区域、以及第二区域。第一栅极电极隔着第一绝缘膜而设置在第二半导体区域、第三半导体区域、以及第四半导体区域。第一区域设置在第二半导体区域中的第一半导体区域与第三半导体区域之间。第二区域设置在第二半导体区域中的第一区域与第一栅极电极之间。第二区域的第一导电型的载流子密度低于第一区域的第一导电型的载流子密度。

公开(公告)号：CN105321996A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510098087.5

申请日：2015-03-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 末代知子 ,  押野雄一 ,  田中文悟

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/404 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/66348

Abstract: 实施方式的半导体装置包括：第一导电型的第一半导体层；第二导电型的第二半导体层，在所述第一半导体层上设置在单元部与单元部外侧设置着的终端部的交界；第二导电型的第三半导体层，在所述第一半导体层上设置在所述终端部；第一绝缘层，在所述第一半导体层上设置在所述第三与第二半导体层之间；第二绝缘层，在所述第一半导体层上设置在相对于所述第三半导体层与所述第一绝缘层相反的侧；第一导电型的第四半导体层，设置在所述第一半导体层与所述第二绝缘层之间；层间绝缘膜，在所述第一半导体层上与所述第二、第三半导体层、所述第一、第二绝缘层相接而设置；以及多个场板电极，设置在所述层间绝缘膜内，与所述第一半导体层的距离彼此不同。

公开(公告)号：CN108461546B

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN201710700472.1

申请日：2017-08-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 新田峻介 ,  松冈长 ,  加藤俊亮 ,  新井雅俊 ,  小泽慎也 ,  田中文悟

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明一般涉及半导体装置。目的在于提供耐压更高的半导体装置。实施方式所涉及的半导体装置具备半导体层、第一电极以及第一绝缘膜。所述第一电极设置在所述半导体层内，在第一方向上延伸。所述第一绝缘膜设置在所述半导体层与所述第一电极之间，从所述第一电极朝向所述半导体层的方向上的厚度随着向所述第一方向而阶段性地变厚。所述第一绝缘膜具有相互不同的3个以上的厚度。

公开(公告)号：CN108461546A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201710700472.1

申请日：2017-08-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 新田峻介 ,  松冈长 ,  加藤俊亮 ,  新井雅俊 ,  小泽慎也 ,  田中文悟

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/0623 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53261 ,  H01L29/402 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明一般涉及半导体装置。目的在于提供耐压更高的半导体装置。实施方式所涉及的半导体装置具备半导体层、第一电极以及第一绝缘膜。所述第一电极设置在所述半导体层内，在第一方向上延伸。所述第一绝缘膜设置在所述半导体层与所述第一电极之间，从所述第一电极朝向所述半导体层的方向上的厚度随着向所述第一方向而阶段性地变厚。所述第一绝缘膜具有相互不同的3个以上的厚度。

公开(公告)号：CN105990411A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510101196.8

申请日：2015-03-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 末代知子 ,  小仓常雄 ,  田中文悟

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0696 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/08 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861

Abstract: 半导体装置，包含：第1电极；第1导电型的第1半导体层，设置在第1电极的上方；第2电极；第2导电型的第2半导体层，设置在第1区域内、且第1电极上；第2导电型的第3半导体层，设置在第1区域内、且第1半导体层上；第1导电型的第4半导体层，选择性地设置在第3半导体层上；栅极电极，隔着栅极绝缘膜而设置在第1半导体层、第3半导体层、及第4半导体层内；第1导电型的第5半导体层，设置在与第1区域相邻的第2区域内、且第1电极上；第2导电型的第6半导体层，设置在第2区域内、且第1半导体层上；及第2导电型的第7半导体层，具有位于比栅极绝缘膜及第6半导体层的底部更靠第1电极侧的底部。

公开(公告)号：CN104900717A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201410306543.6

申请日：2014-06-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 下条亮平 ,  田中文悟

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/868 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0664 ,  H01L29/36 ,  H01L29/407 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明提供一种能够提高恢复耐量的半导体装置。半导体装置具备：第1导电型的第1半导体层(11)，具有第1面(11a)和与第1面对置的第2面(11b)；第2导电型的第2半导体层(12)，设置于第1面侧；第2导电型的第3半导体层(13)，部分地设置在第2半导体层内；第1导电型的第4半导体层(14)，设置在第1半导体层与第2半导体层之间，具备与第3半导体层对置且具有第1杂质浓度的第1区域(14a)、以及具有比第1杂质浓度高的第2杂质浓度的第2区域(14b)；第1导电型的第5半导体层(15)，设置于第2面；导电体(16)，经由绝缘膜(17)与第1半导体层、第2半导体层以及第3半导体层相接。

公开(公告)号：CN100485965C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200610019828.7

申请日：2006-03-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 鉾本吉孝 ,  高野彰夫 ,  田中文悟

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7835 ,  H01L29/41 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/41775

Abstract: 提供一种能够减小反馈电容的半导体器件。作为功率MOSFET的半导体器件(1)，在单元(9)侧形成漏电极(45)，在硅衬底(3)的背面形成源电极(7)。使源区(13)和基区(25)短路的短路电极(35)的一部分，隔着第一层间绝缘膜(31)位于栅电极(17)的上表面(53)之上。关于从源区(13)向漏区(11)的方向，使短路电极(35)的侧面(47)的位置与栅电极(17)的漏区侧的侧面(51)的位置相同。

公开(公告)号：CN104241347B

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201410071801.7

申请日：2014-02-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 末代知子 ,  押野雄一 ,  河村圭子 ,  田中文悟

IPC: H01L29/739

CPC classification number: H01L29/404 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明提供具有能够使耐压提高的终端结构的半导体装置。具有：第一导电型的第一半导体层；第一绝缘层，与所述第一半导体层相接而设置；第二导电型的第二半导体层，与所述第一绝缘层相接，设置于所述第一半导体层内；以及多个平坦的场板电极，设置于所述第一绝缘层内，距所述第一半导体层的距离不同，所述多个平坦的场板电极被周期性配置，周期性配置的所述场板电极中的、离单元区域最近的一个周期的所述场板电极与发射电极连接，与发射电极连接的所述场板电极的外侧的所述场板电极成为浮动部半导体装置。

公开(公告)号：CN106449752A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610129949.0

申请日：2016-03-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 田中文悟 ,  安原纪夫

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L21/28035 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/49 ,  H01L29/7395

Abstract: 一种能够降低栅极电极的电阻的半导体装置。涉及实施方式的半导体装置具有：第1电极、第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、栅极电极、栅极绝缘层、第1绝缘部、第2绝缘部和第2电极。栅极电极具有第1部分和第2部分。第1部分与第2半导体区域排列在第2方向上。第1部分包含多晶硅。第2部分设置在第1部分的一部分之上。第2部分包含金属。第1绝缘部设置在第1部分的其他的一部分之上，包围第2部分。第2绝缘部设置在第2部分之上以及第1绝缘部之上。第2电极设置在第3半导体区域之上以及第2绝缘部之上。第2电极与第2部分在第2方向上排列。

公开(公告)号：CN1828941A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610019828.7

申请日：2006-03-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 鉾本吉孝 ,  高野彰夫 ,  田中文悟

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7835 ,  H01L29/41 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/41775

Abstract: 提供一种能够减小反馈电容的半导体器件。作为功率MOSFET的半导体器件(1)，在单元(9)侧形成漏电极(45)，在硅衬底(3)的背面形成源电极(7)。使源区(13)和基区(25)短路的短路电极(35)的一部分，隔着第一层间绝缘膜(31)位于栅电极(17)的上表面(53)之上。关于从源区(13)向漏区(11)的方向，使短路电极(35)的侧面(47)的位置与栅电极(17)的漏区侧的侧面(51)的位置相同。