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公开(公告)号：CN107924993B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN201580082488.X
申请日：2015-09-18
Applicant: 英特尔公司
Abstract: 公开了用于制造自旋转移矩存储器(STTM)元件的技术。在一些实施例中，该技术包括用于去除再沉积的层和/或中断在STTM元件的一个或多个侧壁上形成的再沉积层在其形成期间的电气连续性的方法。还描述了包括这样的STTM元件的器件和系统。
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公开(公告)号：CN106605267A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201480081490.0
申请日：2014-09-26
Applicant: 英特尔公司
IPC: G11C11/16
CPC classification number: H01L43/12 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 一种方法，包括在包括与电介质材料的晶格类似的晶格的完全晶体的牺牲膜或衬底上形成包括位于固定磁性层与自由磁性层之间的电介质层的器件叠置体；以及将器件叠置体从牺牲膜转移到器件衬底。一种装置，包括：器件叠置体，该器件叠置体包括位于器件衬底上的固定磁性层与自由磁性层之间的电介质层，其中，固定磁性层和自由磁性层各自的晶格与牺牲膜或衬底的晶格一致，其中所述固定磁性层和所述自由磁性层在转移到所述器件衬底之前形成在所述牺牲膜或衬底上。
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公开(公告)号：CN106575519A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201480081448.9
申请日：2014-09-26
Applicant: 英特尔公司
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/161 , H01F10/3286 , H01L27/222 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 一种用于磁性隧道结的材料层叠置体，材料层叠置体包括：固定磁性层；电介质层；自由磁性层；以及非晶导电籽晶层，其中，固定磁性层设置在电介质层与籽晶层之间。一种非易失性存储器器件，包括材料叠置体，材料叠置体包括：非晶导电籽晶层；以及固定磁性层，其与籽晶层并置并接触。一种方法，包括：在存储器器件的第一电极上形成非晶籽晶层；在非晶籽晶层上形成材料层叠置体，材料叠置体包括设置在固定磁性层与自由磁性层之间的电介质层，其中固定磁性层。
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公开(公告)号：CN106463168A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201480079621.1
申请日：2014-07-07
Applicant: 英特尔公司
Abstract: 公开了用于形成包括磁性隧道结(MTJ)(例如，具有磁性接触部的自旋转移矩存储器(STTM)器件)的集成电路结构的技术。该技术包括并入附加磁性层(例如，与磁性接触层类似或相同的层)，以使得该附加磁性层反铁磁地(或者以大体上反平行的方式)耦合。附加磁性层可以有助于平衡磁性接触层的磁场，以限制将以其它方式由磁性接触层引起的寄生边缘场。该附加磁性层可以例如通过在两个磁性层之间包括非磁性间隔体层来反铁磁地耦合到磁性接触层，由此创建合成的反铁磁体(SAF)。该技术可以例如有益于具有与MTJ叠置体的层大体上共线或大体上共面的磁性方向的磁性接触部。
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公开(公告)号：CN102165580A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200980137685.1
申请日：2009-09-28
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/027
CPC classification number: H01L28/40 , H01G4/012 , H01G4/33 , H01L23/5223 , H01L27/10852 , H01L28/90 , H01L28/91 , H01L28/92 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种对挖空特征(130，330，830)的垂直侧壁(132，332，832)上的金属(141，341，841)进行构图的方法包括：在挖空特征中设置材料(350)，使得材料的一部分(435)暴露于所述材料上方的挖空特征中，使用第一湿法蚀刻化学试剂从所述垂直侧壁蚀刻掉所述金属的暴露部分；以及使用第二湿法蚀刻化学试剂通过蚀刻所述材料从所述挖空特征去除所述材料。可以使用所述方法制造适用于eDRAM器件的MIM电容器(800)。
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公开(公告)号：CN107995976B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN201580079992.4
申请日：2015-06-17
Applicant: 英特尔公司
Inventor： C·C·郭 , J·S·布罗克曼 , J·G·阿尔萨特维纳斯科 , K·奥乌兹 , K·P·奥布莱恩 , B·S·多伊尔 , M·L·多齐 , S·苏里 , R·S·周 , P·马吉 , R·皮拉里塞泰 , E·V·卡尔波夫
IPC: G06F7/58
Abstract: 描述了一种装置，包括：磁隧道结(MTJ)器件，其具有其自由磁性层和固定磁性层的平面外磁化，并且被配置为具有远离中心并且较接近该MTJ器件的切换阈值的磁化偏移；以及逻辑单元，其用于根据MTJ器件的电阻状态产生随机数。
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公开(公告)号：CN104813468B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201380060946.0
申请日：2013-06-17
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L27/10
CPC classification number: H01L43/12 , G11C11/161 , G11C11/1659 , H01L27/222 , H01L27/228 , H01L29/66007 , H01L29/82 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 描述了具有偏移单元的垂直自旋转移扭矩存储器(STTM)器件和用于制造具有偏移单元的垂直STTM器件的方法。例如，自旋转移扭矩存储器(STTM)阵列包括设置于衬底上方并且只具有第一STTM器件的第一负载线。所述STTM阵列还包括设置于所述衬底上方、与所述第一负载线相邻并且只具有第二STTM器件的第二负载线，所述第二STTM器件与所述第一STTM器件非共面。
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公开(公告)号：CN106062880A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201480076425.9
申请日：2014-03-28
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , H01L43/02 , H01L43/12
Abstract: 公开了用于制造具有点接触的自由磁性层的自对准自旋转移扭矩存储器(STTM)器件的技术。在一些实施例中，所公开的STTM器件包括第一电介质间隔体，第一电介质间隔体覆盖被图案化为为STTM的自由磁性层提供电子接触的导电硬掩模层的侧壁。硬掩模接触部可以比自由磁性层窄。第一电介质间隔体可以用于对STTM的固定磁性层进行图案化。在一些实施例中，STTM还包括覆盖其自由磁性层的侧壁的可选的第二电介质间隔体。第二电介质间隔体可以用于对STTM的固定磁性层进行图案化，并且可以至少部分地用于在这种图案化期间保护自由磁性层的侧壁免于再沉积蚀刻副产品，由此防止固定磁性层与自由磁性层之间的电短路。
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公开(公告)号：CN106575519B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN201480081448.9
申请日：2014-09-26
Applicant: 英特尔公司
IPC: G11C11/16
Abstract: 一种用于磁性隧道结的材料层叠置体，材料层叠置体包括：固定磁性层；电介质层；自由磁性层；以及非晶导电籽晶层，其中，固定磁性层设置在电介质层与籽晶层之间。一种非易失性存储器器件，包括材料叠置体，材料叠置体包括：非晶导电籽晶层；以及固定磁性层，其与籽晶层并置并接触。一种方法，包括：在存储器器件的第一电极上形成非晶籽晶层；在非晶籽晶层上形成材料层叠置体，材料叠置体包括设置在固定磁性层与自由磁性层之间的电介质层，其中固定磁性层。
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公开(公告)号：CN108701645A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201680082948.3
申请日：2016-03-30
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/76802 , H01L21/0337 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/7682 , H01L21/76843 , H01L21/76847 , H01L21/76865 , H01L21/76883 , H01L21/76885 , H01L21/76889 , H01L21/76897 , H01L23/5226 , H01L23/53209 , H01L23/53271
Abstract: 在衬底上的第一绝缘层上的互连层中形成多个互连特征。通过互连特征中的至少一个形成第一绝缘层中的开口。在开口中沉积间隙填充层。
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