公开(公告)号：CN115939093A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211012465.X

申请日：2022-08-23

Applicant: 英特尔公司

Inventor： A·S·乔杜里 ,  D·巴苏 ,  G·F·阿拉帕特 ,  J·E·米勒 ,  J·Y·银

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234

Abstract: 本公开内容涉及集成电路结构及其制造方法。一种集成电路结构包括具有第一导电特征部件的第一金属层。第二金属层具有第二导电特征部件。过孔层位于第一金属层和第二金属层之间的绝缘层中。在绝缘层中形成第一过孔和第二过孔。第一过孔具有的第一深宽比大于第二过孔的第二深宽比。无阻隔层金属部分地填充第一过孔并填充第二过孔。纯金属填充第一过孔的剩余部分。

公开(公告)号：CN119230521A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202311839425.7

申请日：2023-12-28

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 沈明逸 ,  C-H·崔 ,  J·梅赫塔 ,  T·拉赫曼 ,  P·阿明 ,  J·E·米勒 ,  V·希普韦尔 ,  C·S·福格尔斯贝格尔 ,  S·F·帕特尔

IPC: H01L23/538 ,  H01L27/088 ,  H05K1/11

Abstract: 讨论了形成低电阻过孔的技术。在示例中，给定行的半导体器件各自包括在第一方向上在对应的源极区域或漏极区域之间延伸的半导体区域，以及在第二方向上在半导体区域上方延伸的栅极结构。任何半导体器件可以由电介质结构沿着第二方向与相邻的半导体器件分离，过孔穿过该电介质结构。过孔可以包括导电部分，该导电部分沿着栅极结构的至少整个厚度在第三方向上延伸穿过电介质壁。导电部分包括直接在电介质壁上的导电衬层和在导电衬层上的导电填充物。导电衬层包括纯元素金属，诸如钨、钼、钌或镍铝合金，其中在导电衬层与电介质壁之间不存在金属氮化物或阻挡层。