公开(公告)号：CN116093073A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202211222233.7

申请日：2022-10-08

Applicant: 英特尔公司

Inventor： D·B·奥布莱恩 ,  J·S·莱布 ,  J·Y·银 ,  C-H·简 ,  P·白 ,  S·安 ,  P·S·普列汉诺夫 ,  D·巴苏

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 一种集成电路互连结构，与单镶嵌技术兼容，并且包括非铜过孔，该过孔包括低电阻率的(一种或多种)金属，该金属可以在低温下以同样确保良好粘合的方式沉积。适用于非铜过孔的(一种或多种)金属可以具有BCC结晶度，其可以有利地在上级互连特征的扩散阻挡层内模板化出有利的结晶度，从而进一步降低互连结构的电阻。

公开(公告)号：CN115939093A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211012465.X

申请日：2022-08-23

Applicant: 英特尔公司

Inventor： A·S·乔杜里 ,  D·巴苏 ,  G·F·阿拉帕特 ,  J·E·米勒 ,  J·Y·银

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234

Abstract: 本公开内容涉及集成电路结构及其制造方法。一种集成电路结构包括具有第一导电特征部件的第一金属层。第二金属层具有第二导电特征部件。过孔层位于第一金属层和第二金属层之间的绝缘层中。在绝缘层中形成第一过孔和第二过孔。第一过孔具有的第一深宽比大于第二过孔的第二深宽比。无阻隔层金属部分地填充第一过孔并填充第二过孔。纯金属填充第一过孔的剩余部分。