公开(公告)号：CN119673913A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411150116.3

申请日：2024-08-21

Applicant: 英特尔公司

Inventor： B·马林科维奇 ,  B·克里格尔 ,  P·阿明 ,  D·N·鲁伊斯阿马多尔 ,  T·雅克鲁 ,  M·阿布德埃尔卡迪尔 ,  T·拉赫曼 ,  X·杨 ,  C·P·普尔斯

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: IC设备可以包括用于向IC设备中的一个或多个晶体管输送电力的一个或多个过孔。过孔可以具有一个或多个加宽端部以增加电容并减小电阻。晶体管可以包括源极区域上方的源电极和漏极区域上方的漏电极。源极区域或漏极区域可以在具有一种或多种半导体材料的支撑结构中。过孔具有主体区段和两个端部区段，主体区段在端部区段之间。一个或两个端部区段比主体区段宽，例如宽约6纳米至约12纳米。一个端部区段连接到支撑结构的背面处的互连。另一端部区段连接到跳线，该跳线连接到源电极或漏电极。