公开(公告)号：CN103996652A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201310190400.9

申请日：2013-05-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭启良 ,  郭子骏 ,  李香寰

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76832 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种形成后道工序金属互连层的方法。通过在半导体衬底上沉积一个或多个自组装单层以限定金属互连层区域来实施该方法。在金属互连层区域内的半导体衬底上形成具有多个金属结构的金属互连层。然后，在多个金属结构之间的区域中的半导体衬底的表面上形成层间介电层。本发明还公开了后道工序互连方案。

公开(公告)号：CN104934409B

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201410234625.4

申请日：2014-05-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭兆贤 ,  郭启良 ,  李明翰 ,  李香寰 ,  眭晓林

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53261 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种使用减少空隙的预填充工艺形成的金属互连层及其相关联的方法。在一些实施例中，金属互连层具有设置在衬底上方的介电层。具有水平面以上的上部和水平面以下的下部的开口向下延伸穿过介电层。第一导电层填充开口的下部。上部势垒层设置在第一导电层上方以覆盖开口的上部的底面和侧壁表面。第二导电层设置在上部势垒层上方以填充开口的上部。

公开(公告)号：CN103996652B

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201310190400.9

申请日：2013-05-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭启良 ,  郭子骏 ,  李香寰

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76832 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种形成后道工序金属互连层的方法。通过在半导体衬底上沉积一个或多个自组装单层以限定金属互连层区域来实施该方法。在金属互连层区域内的半导体衬底上形成具有多个金属结构的金属互连层。然后，在多个金属结构之间的区域中的半导体衬底的表面上形成层间介电层。本发明还公开了后道工序互连方案。

公开(公告)号：CN104934409A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201410234625.4

申请日：2014-05-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭兆贤 ,  郭启良 ,  李明翰 ,  李香寰 ,  眭晓林

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53261 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种使用减少空隙的预填充工艺形成的金属互连层及其相关联的方法。在一些实施例中，金属互连层具有设置在衬底上方的介电层。具有水平面以上的上部和水平面以下的下部的开口向下延伸穿过介电层。第一导电层填充开口的下部。上部势垒层设置在第一导电层上方以覆盖开口的上部的底面和侧壁表面。第二导电层设置在上部势垒层上方以填充开口的上部。