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公开(公告)号：CN106558535B
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201510859341.9
申请日：2015-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及形成金属互连件的方法。具体的，本发明揭示一种制造半导体装置的方法。所述方法包含在衬底上形成第一传导特征，在所述第一传导特征上形成介电层，在所述介电层中形成通路沟槽，在所述通路沟槽中形成第一势垒层。因此，所述第一势垒具有安置于所述介电层上的第一部分和安置于所述第一传导特征上的第二部分，应用热处理以将所述势垒层的所述第一部分转换到第二势垒层，且在将所述第二势垒层的一部分安置在所述介电层上时暴露所述通路沟槽中的所述第一传导特征。
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公开(公告)号：CN106558535A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201510859341.9
申请日：2015-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及形成金属互连件的方法。具体的，本发明揭示一种制造半导体装置的方法。所述方法包含在衬底上形成第一传导特征，在所述第一传导特征上形成介电层，在所述介电层中形成通路沟槽，在所述通路沟槽中形成第一势垒层。因此，所述第一势垒具有安置于所述介电层上的第一部分和安置于所述第一传导特征上的第二部分，应用热处理以将所述势垒层的所述第一部分转换到第二势垒层，且在将所述第二势垒层的一部分安置在所述介电层上时暴露所述通路沟槽中的所述第一传导特征。
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公开(公告)号：CN103996652A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201310190400.9
申请日：2013-05-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76832 , H01L21/76829 , H01L21/76831 , H01L21/76834 , H01L21/76843 , H01L21/76849 , H01L21/76867 , H01L21/76885 , H01L21/76897 , H01L23/53233 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种形成后道工序金属互连层的方法。通过在半导体衬底上沉积一个或多个自组装单层以限定金属互连层区域来实施该方法。在金属互连层区域内的半导体衬底上形成具有多个金属结构的金属互连层。然后，在多个金属结构之间的区域中的半导体衬底的表面上形成层间介电层。本发明还公开了后道工序互连方案。
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公开(公告)号：CN109216262A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201710983975.4
申请日：2017-10-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本揭露提供一种半导体装置的内连结构。内连结构包含介层窗、与介层窗顶部具有重叠区域的沟渠，以及与介层窗底部具有重叠区域的第一导电材料层。内连结构也可包括形成于介层窗中的第二导电材料层，以及形成于沟渠中的第三导电材料层。第二导电材料层接触第一导电材料层，且二个导电材料层之间没有阻障。介层窗底部缺少阻障可减少内连结构的接触阻抗。
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公开(公告)号：CN113421851A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110285711.8
申请日：2021-03-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本公开实施例提供一种通孔。通孔包括中间部分，位于内连线层介电层中的通孔开口中；顶部，包含顶端延伸高于通孔开口并横向延伸出通孔开口的上侧边缘；以及底部，包含底端延伸低于通孔开口并横向延伸出通孔开口的下侧边缘。通孔的组成可为耐火材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106548974A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201510860211.7
申请日：2015-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 本公开提供一半导体装置及其制造方法。该半导体装置制造方法包含在基底上方形成第一导电特征部件，在第一导电特征部件上方形成介电层，在介电层中形成沟槽，在沟槽中形成第一阻挡层，实施热处理将第一阻挡层的第一部分转换成第二阻挡层，在沟槽中暴露出第一导电特征部件，而第二阻挡层的一部分设置于介电层上方，并在沟槽中形成第二导电特征部件。
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公开(公告)号：CN109216262B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201710983975.4
申请日：2017-10-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本揭露提供一种半导体装置的内连结构。内连结构包含介层窗、与介层窗顶部具有重叠区域的沟渠，以及与介层窗底部具有重叠区域的第一导电材料层。内连结构也可包括形成于介层窗中的第二导电材料层，以及形成于沟渠中的第三导电材料层。第二导电材料层接触第一导电材料层，且二个导电材料层之间没有阻障。介层窗底部缺少阻障可减少内连结构的接触阻抗。
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公开(公告)号：CN115602616A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202210007264.4
申请日：2022-01-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司(TW)
IPC: H01L21/768
Abstract: 本文揭示一种半导体结构，包括一基板、一介电层及一石墨烯导电结构。所述介电层设置于该基板上，且具有垂直于所述基板的一内侧面。所述石墨烯导电结构形成于所述介电层中并且具有至少一石墨烯层，所述石墨烯层在一平行所述介电层的内侧面的方向延伸。
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公开(公告)号：CN106548974B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201510860211.7
申请日：2015-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 本公开提供一半导体装置及其制造方法。该半导体装置制造方法包含在基底上方形成第一导电特征部件，在第一导电特征部件上方形成介电层，在介电层中形成沟槽，在沟槽中形成第一阻挡层，实施热处理将第一阻挡层的第一部分转换成第二阻挡层，在沟槽中暴露出第一导电特征部件，而第二阻挡层的一部分设置于介电层上方，并在沟槽中形成第二导电特征部件。
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公开(公告)号：CN103996652B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201310190400.9
申请日：2013-05-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76832 , H01L21/76829 , H01L21/76831 , H01L21/76834 , H01L21/76843 , H01L21/76849 , H01L21/76867 , H01L21/76885 , H01L21/76897 , H01L23/53233 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种形成后道工序金属互连层的方法。通过在半导体衬底上沉积一个或多个自组装单层以限定金属互连层区域来实施该方法。在金属互连层区域内的半导体衬底上形成具有多个金属结构的金属互连层。然后，在多个金属结构之间的区域中的半导体衬底的表面上形成层间介电层。本发明还公开了后道工序互连方案。
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