公开(公告)号：CN113421851A

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN202110285711.8

申请日：2021-03-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卢孟珮 ,  郭子骏 ,  杨士亿 ,  李明翰

IPC: H01L21/768

Abstract: 本公开实施例提供一种通孔。通孔包括中间部分，位于内连线层介电层中的通孔开口中；顶部，包含顶端延伸高于通孔开口并横向延伸出通孔开口的上侧边缘；以及底部，包含底端延伸低于通孔开口并横向延伸出通孔开口的下侧边缘。通孔的组成可为耐火材料。

公开(公告)号：CN115084007A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210409108.0

申请日：2022-04-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨士亿 ,  卢孟珮 ,  锺进龙 ,  李明翰 ,  眭晓林

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明实施例关于一种集成芯片。上述集成芯片包括一基底。一第一导电部件在上述基底的上方。一第二导电部件在上述基底的上方，并横向邻近上述第一导电部件。一凹孔将上述第一导电部件与上述第二导电部件横向分离。一介电衬层沿着上述凹孔的底部从上述第一导电部件延伸至上述第二导电部件且进一步沿着上述第一导电部件与上述第二导电部件的对向侧壁延伸。一介电盖覆盖并密封上述凹孔。上述介电盖具有一顶表面，其与上述第一导电部件及上述第二导电部件的顶表面共平面。上述第一导电部件与上述第二导电部件包括夹入一或多种金属的石墨烯。

公开(公告)号：CN113571493A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202110671401.X

申请日：2021-06-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶菁馥 ,  詹佑晨 ,  骆冠宇 ,  卢孟珮 ,  彭兆贤 ,  杨士亿 ,  李明翰 ,  李书玮

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 半导体装置，包含嵌在第一金属化层中的互连结构，第一金属化层包含介电材料。互连结构包含第一金属材料。半导体装置包含嵌在第一金属化层中的第一衬垫结构。第一衬垫结构沿着第一金属化层中的互连结构的一或多个边界延伸。第一衬垫结构包含与一或多种掺质反应的第二金属材料，第二金属材料不同于第一金属材料。

公开(公告)号：CN113555313A

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202110348142.7

申请日：2021-03-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨士亿 ,  詹佑晨 ,  卢孟珮 ,  黄心岩 ,  李明翰 ,  眭晓林

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明一些实施例关于集成芯片，其包括下侧内连线介电层，配置于基板上。内连线线路，配置于下侧内连线介电层上；以及第一内连线介电层，配置于内连线线路的外侧侧壁周围。含石墨烯的保护衬垫层，直接配置于内连线线路的外侧侧壁与内连线线路的上表面上。集成芯片还包括第一蚀刻停止层，直接配置于第一内连线介电层的上表面上；以及第二内连线介电层，配置于第一内连线介电层与内连线线路上。此外，内连线通孔延伸穿过第二内连线介电层、直接配置于保护衬垫层上、并电性耦接至内连线线路。