公开(公告)号：CN114792650A

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202210171502.5

申请日：2022-02-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 詹佑晨 ,  李书玮 ,  杨士亿 ,  李明翰 ,  眭晓林

IPC: H01L21/768

Abstract: 本公开实施例提出一种内连线结构。内连线结构包括具有二维材料层的第一导电结构，位于第一导电结构上的第二导电结构，以及与第一导电结构及第二导电结构相邻的介电材料。介电材料自第一导电结构的底部高度延伸至第二导电结构的顶部高度。

公开(公告)号：CN113871371A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202110776783.2

申请日：2021-07-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卢孟佩 ,  杨士亿 ,  李书玮 ,  钟进龙 ,  李明翰

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明实施例涉及半导体结构及其形成方法。根据本发明的一些实施例，一种半导体结构包含：衬底；多个导电构件，其位于所述衬底上方；及隔离结构，其在导电构件之间且使所述导电构件彼此分离。所述导电构件中的每一者包含第一金属层及二维材料层。另一半导体结构包含第一导电构件、所述第一导电构件上方的电介质结构、在所述电介质结构中且耦合到所述第一导电构件的第二导电构件及在所述第二导电构件上方且耦合到所述第二导电构件的导线。在一些实施例中，所述导线包含第一三维材料层、第一二维材料层及第二三维材料层。所述第一二维材料层位于所述第一三维材料层与所述第二三维材料层之间。

公开(公告)号：CN114864542A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210328949.9

申请日：2022-03-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李书玮 ,  骆冠宇 ,  杨士亿 ,  李明翰

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本公开提出一种互连结构，互连结构包含介电材料以及延伸通过介电材料的导电部件。导电部件包含导电材料且具有第一顶表面。此结构还包含设置于介电材料中且相邻于导电部件的虚设导电部件，且虚设导电部件具有与第一顶表面大致共平面的第二顶表面。空气间隙形成于虚设导电部件中。

公开(公告)号：CN113571493A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202110671401.X

申请日：2021-06-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶菁馥 ,  詹佑晨 ,  骆冠宇 ,  卢孟珮 ,  彭兆贤 ,  杨士亿 ,  李明翰 ,  李书玮

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 半导体装置，包含嵌在第一金属化层中的互连结构，第一金属化层包含介电材料。互连结构包含第一金属材料。半导体装置包含嵌在第一金属化层中的第一衬垫结构。第一衬垫结构沿着第一金属化层中的互连结构的一或多个边界延伸。第一衬垫结构包含与一或多种掺质反应的第二金属材料，第二金属材料不同于第一金属材料。

公开(公告)号：CN115602620A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210011779.1

申请日：2022-01-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司(TW)

Inventor： 叶菁馥 ,  钟进龙 ,  李书玮 ,  詹佑晨 ,  杨士亿 ,  李明翰

IPC: H01L21/768

Abstract: 一种用于制造半导体结构的方法，其包括：在一基板上设置一接触特征件；在所述基板上形成一介电层；蚀刻所述介电层以形成露出所述接触特征件的一互连通道；在所述介电层上及所述接触特征件以外区域上形成一金属层；以及在所述金属层上形成一石墨烯导电结构，所述石墨烯导电结构填入所述互连通道且与所述接触特征件电连接，所述石墨烯导电结构具有至少一石墨烯层，所述石墨烯层在一实质垂直于所述基板的方向延伸。

公开(公告)号：CN115602616A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210007264.4

申请日：2022-01-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司(TW)

Inventor： 郭子骏 ,  杨士亿 ,  詹佑晨 ,  李书玮 ,  卢孟佩 ,  李明翰

IPC: H01L21/768

Abstract: 本文揭示一种半导体结构，包括一基板、一介电层及一石墨烯导电结构。所述介电层设置于该基板上，且具有垂直于所述基板的一内侧面。所述石墨烯导电结构形成于所述介电层中并且具有至少一石墨烯层，所述石墨烯层在一平行所述介电层的内侧面的方向延伸。

公开(公告)号：CN115084067A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210492483.6

申请日：2022-05-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李书玮 ,  詹佑晨 ,  杨士亿 ,  李明翰 ,  睦晓林

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本公开提出一种内连线结构。内连线结构包括导电层的第一部分，且导电层包括一或多个石墨烯层。导电层的第一部分包括对向的第一界面部分与第二界面部分，且第一界面部分与第二界面部分的每一个包括金属位于相邻的石墨烯层之间。结构还包括导电层的第二部分与导电层的第一部分相邻，且导电层的第二部分包括对向的第三界面部分与第四界面部分。第三界面部分与第四界面部分的每一个包括金属位于相邻的石墨烯层之间。内连线结构还包括介电材料位于导电层的第一部分与第二部分之间。

公开(公告)号：CN114823501A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210271007.1

申请日：2022-03-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李书玮 ,  骆冠宇 ,  杨士亿 ,  李明翰

IPC: H01L21/768

Abstract: 一种半导体结构，包括互连级介电层，包含介电材料并覆盖于基板上，以及金属互连结构，嵌入至互连级介电层中并包括渐变金属合金层以及金属填充材料部分。渐变金属合金层包含第一金属材料与第二金属材料的渐变金属合金。第二金属材料的原子浓度随着渐变金属合金与互连级介电层之间的界面的距离而增加。可通过同时进行或者周期性进行第一金属材料及第二金属材料的沉积来形成渐变金属合金层。第一金属材料可提供阻隔特性，而第二金属材料可提供粘合特性。

公开(公告)号：CN115472555A

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN202210158269.7

申请日：2022-02-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李书玮 ,  詹佑晨 ,  卢孟佩 ,  杨士亿 ,  李明翰

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。本公开提供一种半导体结构及制造半导体结构的方法。所述半导体结构包括：至少一个二维2D导电结构；电介质层，其放置于所述2D导电结构上；及至少一个互连结构，其放置于所述电介质层中且延伸到所述2D导电结构中，其中所述互连结构横向连接到所述2D导电结构的至少一个边缘。

公开(公告)号：CN115249646A

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN202210609741.4

申请日：2022-05-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李书玮 ,  杨士亿 ,  李明翰 ,  眭晓林

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明实施例关于集成芯片，其包括下侧导电线路于基板上的第一介电层中。第二介电层位于第一介电层上。导电通孔，位于下侧导电线路之上与第二介电层之中。导电衬垫层，衬垫导电通孔的侧壁。阻障层衬垫导电衬垫层的侧壁与第二介电层的侧壁。导电衬垫层与第二介电层横向隔有阻障层。导电衬垫层自导电通孔的下表面至下侧导电线路的上表面垂直延伸于阻障层的侧壁之间。