公开(公告)号：CN118116900A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202311543364.X

申请日：2023-11-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐东熙 ,  金洛焕 ,  金桢益 ,  申忠桓

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L27/088

Abstract: 一种集成电路器件包括衬底上的中间绝缘结构、穿过中间绝缘结构并从中间绝缘结构的顶表面朝向衬底延伸第一垂直长度的第一接触结构、以及穿过中间绝缘结构的第二接触结构。中间绝缘结构可以具有在第一垂直水平处沿横向方向延伸的顶表面。第二接触结构可以从中间绝缘结构的顶表面朝向衬底延伸大于第一垂直长度的第二垂直长度。第一接触结构可以具有沿着中间绝缘结构的顶表面的延长线平面延伸的第一顶表面。第二接触结构可以具有可在远离衬底的方向上凸出的第二顶表面。

公开(公告)号：CN107799464B

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN201710794636.1

申请日：2017-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔正宪 ,  金桢益 ,  梁明 ,  金哲性 ,  玄尚镇

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L23/535 ,  H01L29/423 ,  H01L29/45

Abstract: 公开了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底；在所述衬底上的绝缘层，所述绝缘层中包括有第一沟槽和第二沟槽，所述第二沟槽的深宽比小于所述第一沟槽的深宽比；在第一沟槽和第二沟槽中的阻挡层；在所述第一沟槽和所述第二沟槽中的所述阻挡层上的籽晶层；在籽晶层上并填充在第一沟槽中的第一体层；和在籽晶层上并填充在第二沟槽中的第二体层，其中第二体层的平均晶粒大小大于第一体层的平均晶粒大小。

公开(公告)号：CN106898545A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201710130527.X

申请日：2013-05-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申忠桓 ,  姜尚范 ,  金大容 ,  金桢益 ,  金哲性 ,  柳制亨 ,  李相遇 ,  崔孝锡

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L23/485 ,  H01L27/092 ,  H01L29/08 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一层间绝缘膜，包括孔，位于基底上；栅极，形成在孔中；抬升源极/漏极区域，形成在栅极的两侧上；开口，位于第一层间绝缘膜中并暴露抬升源极/漏极区域的表面；金属硅化物，形成在开口中；其中，金属硅化物包括远离抬升源极/漏极区域的表面的硅化物下轮廓，硅化物下轮廓具有弯曲的剖面，其中，金属硅化物包括具有底部和侧壁的上凹进，其中，上凹进的底部与硅化物下轮廓的底部分开的距离大于上凹进的侧壁与硅化物下轮廓的侧壁分开的距离，其中，上凹进的侧壁与开口的侧壁共面，其中，半导体装置的集成密度是20nm或更小。

公开(公告)号：CN106531719B

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201610825719.8

申请日：2016-09-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 严多一 ,  金桢益 ,  具滋钦 ,  金哲性 ,  朴俊起 ,  玄尚镇

IPC: H01L23/538

Abstract: 提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：有源鳍，在基底上从隔离图案部分地突出；栅极结构，在有源鳍上；源/漏层，在与栅极结构相邻的有源鳍的一部分上；金属硅化物图案，在源/漏层上；以及塞，在金属硅化物图案上。塞包括：第二金属图案；金属氮化物图案，接触金属硅化物图案的上表面，并覆盖第二金属图案的底部和侧壁；以及第一金属图案，在金属硅化物图案上，第一金属图案覆盖金属氮化物图案的外侧壁。第一金属图案的氮浓度根据距金属氮化物图案的外侧壁的距离而逐渐减小。

公开(公告)号：CN106898545B

公开(公告)日：2020-02-18

申请号：CN201710130527.X

申请日：2013-05-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申忠桓 ,  姜尚范 ,  金大容 ,  金桢益 ,  金哲性 ,  柳制亨 ,  李相遇 ,  崔孝锡

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L23/485 ,  H01L27/092 ,  H01L29/08 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一层间绝缘膜，包括孔，位于基底上；栅极，形成在孔中；抬升源极/漏极区域，形成在栅极的两侧上；开口，位于第一层间绝缘膜中并暴露抬升源极/漏极区域的表面；金属硅化物，形成在开口中；其中，金属硅化物包括远离抬升源极/漏极区域的表面的硅化物下轮廓，硅化物下轮廓具有弯曲的剖面，其中，金属硅化物包括具有底部和侧壁的上凹进，其中，上凹进的底部与硅化物下轮廓的底部分开的距离大于上凹进的侧壁与硅化物下轮廓的侧壁分开的距离，其中，上凹进的侧壁与开口的侧壁共面，其中，半导体装置的集成密度是20nm或更小。

公开(公告)号：CN117276341A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202310737782.6

申请日：2023-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金桢益 ,  申忠桓 ,  李在纹 ,  任星东

IPC: H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：基板；有源区，在基板上在第一方向上延伸；栅极结构，在基板上在第二方向上延伸并包括栅电极；源极/漏极区，提供在有源区上在栅极结构的至少一侧；层间绝缘层，覆盖栅极结构；第一接触结构，在栅极结构的至少一侧连接到源极/漏极区；以及栅极接触结构，至少部分地穿过层间绝缘层并连接到栅电极，其中栅极接触结构包括：第一层，包括导电材料；第二层，提供在第一层上，通过第一层与层间绝缘层间隔开，并包括第一杂质；以及第三层，提供在第二层上并包括第二杂质。

公开(公告)号：CN103426739B

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201310195386.1

申请日：2013-05-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申忠桓 ,  姜尚范 ,  金大容 ,  金桢益 ,  金哲性 ,  柳制亨 ,  李相遇 ,  崔孝锡

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7839 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/28 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28537 ,  H01L21/76814 ,  H01L23/485 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/401 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66643 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了使用预非晶化注入形成半导体装置的方法以及形成的半导体装置。可以通过形成暴露抬升源极/漏极区域的表面的开口来提供形成半导体装置的方法。可以减小开口的尺寸，并可以通过开口对抬升源极/漏极区域执行预非晶化注入（PAI），以形成抬升源极/漏极区域的非晶化部分。可以由金属和非晶化部分形成金属硅化物。

公开(公告)号：CN103426739A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310195386.1

申请日：2013-05-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申忠桓 ,  姜尚范 ,  金大容 ,  金桢益 ,  金哲性 ,  柳制亨 ,  李相遇 ,  崔孝锡

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7839 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/28 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28537 ,  H01L21/76814 ,  H01L23/485 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/401 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66643 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了使用预非晶化注入形成半导体装置的方法以及形成的半导体装置。可以通过形成暴露抬升源极/漏极区域的表面的开口来提供形成半导体装置的方法。可以减小开口的尺寸，并可以通过开口对抬升源极/漏极区域执行预非晶化注入（PAI），以形成抬升源极/漏极区域的非晶化部分。可以由金属和非晶化部分形成金属硅化物。

公开(公告)号：CN107799464A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710794636.1

申请日：2017-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔正宪 ,  金桢益 ,  梁明 ,  金哲性 ,  玄尚镇

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L23/535 ,  H01L29/423 ,  H01L29/45

CPC classification number: H01L21/76862 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/485 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/535 ,  H01L29/4236 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5283 ,  H01L29/45

Abstract: 公开了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底；在所述衬底上的绝缘层，所述绝缘层中包括有第一沟槽和第二沟槽，所述第二沟槽的深宽比小于所述第一沟槽的深宽比；在第一沟槽和第二沟槽中的阻挡层；在所述第一沟槽和所述第二沟槽中的所述阻挡层上的籽晶层；在籽晶层上并填充在第一沟槽中的第一体层；和在籽晶层上并填充在第二沟槽中的第二体层，其中第二体层的平均晶粒大小大于第一体层的平均晶粒大小。

公开(公告)号：CN106531719A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610825719.8

申请日：2016-09-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 严多一 ,  金桢益 ,  具滋钦 ,  金哲性 ,  朴俊起 ,  玄尚镇

IPC: H01L23/538

Abstract: 提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：有源鳍，在基底上从隔离图案部分地突出；栅极结构，在有源鳍上；源/漏层，在与栅极结构相邻的有源鳍的一部分上；金属硅化物图案，在源/漏层上；以及塞，在金属硅化物图案上。塞包括：第二金属图案；金属氮化物图案，接触金属硅化物图案的上表面，并覆盖第二金属图案的底部和侧壁；以及第一金属图案，在金属硅化物图案上，第一金属图案覆盖金属氮化物图案的外侧壁。第一金属图案的氮浓度根据距金属氮化物图案的外侧壁的距离而逐渐减小。