公开(公告)号：CN107170707A

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201710131431.5

申请日：2017-03-07

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： 张洵渊 ,  谢瑞龙 ,  夫马尔·卡米尼

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76882 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53238 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76879

Abstract: 本发明涉及在金属化层中形成具有不同材料组成物的导电结构的方法，其所揭示的一种说明性方法此外还包括在绝缘材料层中形成第一沟槽与第二沟槽，第一沟槽具有第一横向关键尺寸，第二沟槽具有比第一沟槽的第一横向关键尺寸更大的第二横向关键尺寸，在第一沟槽中形成第一导电结构，其中，第一主体金属材料构成第一导电结构的主体部分，以及在第二沟槽中形成第二导电结构，其中，第二主体金属材料构成第二导电结构的主体部分，并且其中第一主体金属材料与第二主体金属材料为不同材料。

公开(公告)号：CN107452684B

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN201710276635.8

申请日：2017-04-25

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： 史帝文·本利 ,  夫马尔·卡米尼

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/225

Abstract: 本发明涉及增强源极/漏极区的表面掺杂浓度的方法，其中，一种增强源极/漏极区的表面扩散物种浓度的方法包括提供用于集成电路的衬底。在该衬底的表面上形成用于半导体装置的n型及p型S/D区中的一者。暴露该S/D区的顶面。沉积扩散层于该S/D区的该顶面上面，该扩散层具有一浓度的扩散物种。加热该扩散层以使该扩散物种扩散进入该S/D区以增强该扩散物种紧邻该S/D区顶面的浓度。从该S/D区的该顶面移除该扩散层。在移除该扩散层后，立即沉积金属层于该S/D区的该顶面上面。从该金属层形成电接触在该S/D区的该顶面上面。

公开(公告)号：CN107452684A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710276635.8

申请日：2017-04-25

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： 史帝文·本利 ,  夫马尔·卡米尼

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/225

Abstract: 本发明涉及增强源极/漏极区的表面掺杂浓度的方法，其中，一种增强源极/漏极区的表面扩散物种浓度的方法包括提供用于集成电路的衬底。在该衬底的表面上形成用于半导体装置的n型及p型S/D区中的一者。暴露该S/D区的顶面。沉积扩散层于该S/D区的该顶面上面，该扩散层具有一浓度的扩散物种。加热该扩散层以使该扩散物种扩散进入该S/D区以增强该扩散物种紧邻该S/D区顶面的浓度。从该S/D区的该顶面移除该扩散层。在移除该扩散层后，立即沉积金属层于该S/D区的该顶面上面。从该金属层形成电接触在该S/D区的该顶面上面。