公开(公告)号：CN117377791A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202280018553.2

申请日：2022-02-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 索汉姆·桑杰·阿斯拉尼 ,  约书亚·阿伦·鲁布尼茨 ,  巴加夫·斯里达尔·西特拉 ,  斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ,  埃里卡·陈 ,  尼古劳斯·贝基亚里斯 ,  小道格拉斯·亚瑟·布赫伯格 ,  杰思罗·塔诺斯 ,  怡利·叶

IPC: C23C16/455

Abstract: 本文提供用于处理基板的方法与装置。例如，用于处理基板的方法包括：将汽化的含硅前驱物从气源供应至处理腔室的处理容积中；将第一工艺气体从气源供应至处理容积中；使用处于第一占空比的射频源功率激励第一工艺气体，以与汽化的含硅前驱物反应；和在提供处于第二占空比的射频偏压功率至设置于处理容积中的基板支撑件的同时，从气源供应工艺气体混合物，以将SiHx膜沉积至在基板支撑件上所支撑的基板上，第二占空比与第一占空比不同。

公开(公告)号：CN101256937B

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN200810006332.5

申请日：2008-02-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 埃兹拉·罗伯特·古德 ,  理查德·查尔斯·福韦尔 ,  詹姆斯·帕特里克·克鲁斯 ,  贾里德·阿曼德·李 ,  布拉诺·杰夫林 ,  小道格拉斯·亚瑟·布赫伯格 ,  马丁·杰弗里·萨利纳斯

IPC: H01L21/00 ,  C23C16/455 ,  C30B25/14 ,  H01J37/08 ,  H01J37/317 ,  H01J37/32 ,  F17D1/04 ,  F17D3/01 ,  G05D7/06

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  Y10T137/7761 ,  Y10T137/87249

Abstract: 本发明提供一种用于将气体输送到半导体处理系统的方法和装置。在一个实施方式中，用于将气体输送到半导体处理系统的装置包括具有入口和出口的多个气体输入和输出管道。连接管道耦接各对气体输入和气体输出管道。连接阀配置为控制经过各个连接管道的流量。气体质量流量控制器配置为控制流入各个入口的流量。在另一实施方式中，一种方法包括：提供具有至少多个入口的歧管，其中该多个入口可选择性耦接到多个出口其中至少之一；在处理之前或到校准管路之前，流动一种或多种气体经过歧管到旁通处理腔室的真空环境；以及在衬底处理期间流动一种或多种气体进入处理腔室。