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公开(公告)号：CN117377791A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202280018553.2
申请日：2022-02-01
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 索汉姆·桑杰·阿斯拉尼 , 约书亚·阿伦·鲁布尼茨 , 巴加夫·斯里达尔·西特拉 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 埃里卡·陈 , 尼古劳斯·贝基亚里斯 , 小道格拉斯·亚瑟·布赫伯格 , 杰思罗·塔诺斯 , 怡利·叶
IPC: C23C16/455
Abstract: 本文提供用于处理基板的方法与装置。例如，用于处理基板的方法包括：将汽化的含硅前驱物从气源供应至处理腔室的处理容积中；将第一工艺气体从气源供应至处理容积中；使用处于第一占空比的射频源功率激励第一工艺气体，以与汽化的含硅前驱物反应；和在提供处于第二占空比的射频偏压功率至设置于处理容积中的基板支撑件的同时，从气源供应工艺气体混合物，以将SiHx膜沉积至在基板支撑件上所支撑的基板上，第二占空比与第一占空比不同。
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