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公开(公告)号：CN112673457B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN201980059660.8
申请日：2019-08-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 巴加夫·S·西特拉 , 杰思罗·塔诺斯 , 李景义 , 小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 , 华忠强 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 怡利·Y·叶
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , C23C16/455 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 本发明的实施方式提供了一种用于使用RF偏压脉冲以及远程等离子体源沉积来沉积介电材料的设备和方法，以用于制造半导体装置，特别是用于在半导体应用中填充具有高深宽比的开口。在一个实施方式中，一种沉积介电材料的方法包括：将气体混合物提供到处理腔室中，处理腔室中设置有基板；在远程等离子体源中形成远程等离子体并将远程等离子体输送到处理腔室中界定的内部处理区域；以脉冲模式将RF偏压功率施加到处理腔室；及在存在气体混合物和远程等离子体的情况下，在设置在基板上的材料层中界定的开口中形成介电材料。
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公开(公告)号：CN117377791A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202280018553.2
申请日：2022-02-01
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 索汉姆·桑杰·阿斯拉尼 , 约书亚·阿伦·鲁布尼茨 , 巴加夫·斯里达尔·西特拉 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 埃里卡·陈 , 尼古劳斯·贝基亚里斯 , 小道格拉斯·亚瑟·布赫伯格 , 杰思罗·塔诺斯 , 怡利·叶
IPC: C23C16/455
Abstract: 本文提供用于处理基板的方法与装置。例如，用于处理基板的方法包括：将汽化的含硅前驱物从气源供应至处理腔室的处理容积中；将第一工艺气体从气源供应至处理容积中；使用处于第一占空比的射频源功率激励第一工艺气体，以与汽化的含硅前驱物反应；和在提供处于第二占空比的射频偏压功率至设置于处理容积中的基板支撑件的同时，从气源供应工艺气体混合物，以将SiHx膜沉积至在基板支撑件上所支撑的基板上，第二占空比与第一占空比不同。
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公开(公告)号：CN114402417A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202080065353.3
申请日：2020-09-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 巴加夫·S·西特拉 , 杰思罗·塔诺斯 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 约书亚·鲁布尼茨
IPC: H01L21/02 , C23C16/04 , C23C16/40 , C23C16/452 , C23C16/455 , C23C16/505 , C23C16/56
Abstract: 用于沉积介电材料的方法和设备包括：将第一气体混合物提供到处理腔室中；在远程等离子体源中形成包括第一自由基的第一远程等离子体，并将第一自由基输送至处理腔室，以在存在第一气体混合物和第一自由基的情况下在设置在基板上的材料层中的开口中形成介电材料层；终止第一远程等离子体并向处理腔室施加第一RF偏置功率以形成第一偏置等离子体；使介电材料层与第一偏置等离子体接触以形成第一介电材料处理层；及随后在远程等离子体源中形成包括第二自由基的第二远程等离子体，并在存在第二气体混合物的情况下将第二自由基输送到内部处理区域中，同时施加第二RF偏置功率以形成第二偏置等离子体，其中第二自由基和第二偏置等离子体接触第一介电材料处理层，以增加第一介电材料处理层的疏水性或流动性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116897409A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202280016117.1
申请日：2022-02-04
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 杰思罗·塔诺斯 , 巴加夫•斯里达尔•西特拉 , 斯里尼瓦斯•D•内曼尼 , 叶怡利 , 约书亚•阿伦•鲁布尼茨 , 埃莉卡•陈 , 索汉姆•桑杰•阿斯拉尼 , 尼古劳斯·贝基亚里斯 , 小道格拉斯·阿瑟·布彻格尔
IPC: H01J37/32
Abstract: 本文提供了用于处理基板的方法及设备。例如，一种方法包括：将气化的前驱物供应到处理容积中；从远程等离子体源供应包括离子和自由基的被激活元素；以第一工作周期使用RF源功率激励这些被激活元素以与该气化的前驱物反应，以将SiNHx膜沉积到设置在该处理容积中的基板上；从该远程等离子体源供应第一工艺气体，同时以不同于该第一工作周期的第二工作周期向该基板支撑件提供RF偏置功率以将该SiNHx膜转化为SiOx膜；供应由从该远程等离子体源供应的第二工艺气体和从该气体源供应的第三工艺气体形成的工艺气体混合物，同时以该第二工作周期向该基板支撑件提供RF偏置功率；以及对该基板进行退火。
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公开(公告)号：CN114080661A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202080048224.3
申请日：2020-06-19
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 形成集成电路结构的方法与设备，包括：输送工艺气体至工艺腔室的工艺空间；将低频RF功率施加到设置在工艺空间中由高二次电子发射系数材料形成的电极；在工艺空间中产生包含离子的等离子体；用离子轰击电极，以引起电极发射电子并且形成电子束；和使介电材料与电子束接触以固化介电材料，其中介电材料是可流动化学气相沉积产物。在实施方式中，固化通过降低介电材料的氧含量和增加介电材料的氮含量来使介电材料稳定。
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公开(公告)号：CN112673457A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201980059660.8
申请日：2019-08-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 巴加夫·S·西特拉 , 杰思罗·塔诺斯 , 李景义 , 小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 , 华忠强 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 怡利·Y·叶
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , C23C16/455 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 本发明的实施方式提供了一种用于使用RF偏压脉冲以及远程等离子体源沉积来沉积介电材料的设备和方法，以用于制造半导体装置，特别是用于在半导体应用中填充具有高深宽比的开口。在一个实施方式中，一种沉积介电材料的方法包括：将气体混合物提供到处理腔室中，处理腔室中设置有基板；在远程等离子体源中形成远程等离子体并将远程等离子体输送到处理腔室中界定的内部处理区域；以脉冲模式将RF偏压功率施加到处理腔室；及在存在气体混合物和远程等离子体的情况下，在设置在基板上的材料层中界定的开口中形成介电材料。
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公开(公告)号：CN119361416A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411344557.7
申请日：2019-08-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 巴加夫·S·西特拉 , 杰思罗·塔诺斯 , 李景义 , 小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 , 华忠强 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 怡利·Y·叶
IPC: H01L21/02 , C23C16/509 , C23C16/515 , C23C16/517 , H01L21/67
Abstract: 本发明的实施方式提供了一种用于使用RF偏压脉冲以及远程等离子体源沉积来沉积介电材料的设备和方法，以用于制造半导体装置，特别是用于在半导体应用中填充具有高深宽比的开口。在一个实施方式中，一种沉积介电材料的方法包括：将气体混合物提供到处理腔室中，处理腔室中设置有基板；在远程等离子体源中形成远程等离子体并将远程等离子体输送到处理腔室中界定的内部处理区域；以脉冲模式将RF偏压功率施加到处理腔室；及在存在气体混合物和远程等离子体的情况下，在设置在基板上的材料层中界定的开口中形成介电材料。
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公开(公告)号：CN115190917A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202080082849.1
申请日：2020-12-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/36 , C23C16/04 , C23C16/505
Abstract: 描述了用于碳氮化硅膜的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法。通过将基板表面暴露于前驱物和反应物来在基板表面上形成可流动的碳氮化硅膜，所述前驱物具有通式(I)或通式(II)的结构其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11和R12独立地选自氢(H)、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的乙烯基、硅烷、取代或未取代的胺或卤化物；净化处理腔室中的硅前驱物，然后将基板暴露于氨等离子体。
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