公开(公告)号：CN119361416A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411344557.7

申请日：2019-08-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 巴加夫·S·西特拉 ,  杰思罗·塔诺斯 ,  李景义 ,  小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 ,  华忠强 ,  斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ,  怡利·Y·叶

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/509 ,  C23C16/515 ,  C23C16/517 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明的实施方式提供了一种用于使用RF偏压脉冲以及远程等离子体源沉积来沉积介电材料的设备和方法，以用于制造半导体装置，特别是用于在半导体应用中填充具有高深宽比的开口。在一个实施方式中，一种沉积介电材料的方法包括：将气体混合物提供到处理腔室中，处理腔室中设置有基板；在远程等离子体源中形成远程等离子体并将远程等离子体输送到处理腔室中界定的内部处理区域；以脉冲模式将RF偏压功率施加到处理腔室；及在存在气体混合物和远程等离子体的情况下，在设置在基板上的材料层中界定的开口中形成介电材料。

公开(公告)号：CN112673457B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN201980059660.8

申请日：2019-08-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 巴加夫·S·西特拉 ,  杰思罗·塔诺斯 ,  李景义 ,  小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 ,  华忠强 ,  斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ,  怡利·Y·叶

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  C23C16/455 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明的实施方式提供了一种用于使用RF偏压脉冲以及远程等离子体源沉积来沉积介电材料的设备和方法，以用于制造半导体装置，特别是用于在半导体应用中填充具有高深宽比的开口。在一个实施方式中，一种沉积介电材料的方法包括：将气体混合物提供到处理腔室中，处理腔室中设置有基板；在远程等离子体源中形成远程等离子体并将远程等离子体输送到处理腔室中界定的内部处理区域；以脉冲模式将RF偏压功率施加到处理腔室；及在存在气体混合物和远程等离子体的情况下，在设置在基板上的材料层中界定的开口中形成介电材料。

公开(公告)号：CN112673457A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN201980059660.8

申请日：2019-08-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 巴加夫·S·西特拉 ,  杰思罗·塔诺斯 ,  李景义 ,  小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 ,  华忠强 ,  斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ,  怡利·Y·叶

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  C23C16/455 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明的实施方式提供了一种用于使用RF偏压脉冲以及远程等离子体源沉积来沉积介电材料的设备和方法，以用于制造半导体装置，特别是用于在半导体应用中填充具有高深宽比的开口。在一个实施方式中，一种沉积介电材料的方法包括：将气体混合物提供到处理腔室中，处理腔室中设置有基板；在远程等离子体源中形成远程等离子体并将远程等离子体输送到处理腔室中界定的内部处理区域；以脉冲模式将RF偏压功率施加到处理腔室；及在存在气体混合物和远程等离子体的情况下，在设置在基板上的材料层中界定的开口中形成介电材料。