-
公开(公告)号：CN114080661A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202080048224.3
申请日：2020-06-19
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 形成集成电路结构的方法与设备，包括：输送工艺气体至工艺腔室的工艺空间；将低频RF功率施加到设置在工艺空间中由高二次电子发射系数材料形成的电极；在工艺空间中产生包含离子的等离子体；用离子轰击电极，以引起电极发射电子并且形成电子束；和使介电材料与电子束接触以固化介电材料，其中介电材料是可流动化学气相沉积产物。在实施方式中，固化通过降低介电材料的氧含量和增加介电材料的氮含量来使介电材料稳定。
-
公开(公告)号：CN114402417A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202080065353.3
申请日：2020-09-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 巴加夫·S·西特拉 , 杰思罗·塔诺斯 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 约书亚·鲁布尼茨
IPC: H01L21/02 , C23C16/04 , C23C16/40 , C23C16/452 , C23C16/455 , C23C16/505 , C23C16/56
Abstract: 用于沉积介电材料的方法和设备包括：将第一气体混合物提供到处理腔室中；在远程等离子体源中形成包括第一自由基的第一远程等离子体，并将第一自由基输送至处理腔室，以在存在第一气体混合物和第一自由基的情况下在设置在基板上的材料层中的开口中形成介电材料层；终止第一远程等离子体并向处理腔室施加第一RF偏置功率以形成第一偏置等离子体；使介电材料层与第一偏置等离子体接触以形成第一介电材料处理层；及随后在远程等离子体源中形成包括第二自由基的第二远程等离子体，并在存在第二气体混合物的情况下将第二自由基输送到内部处理区域中，同时施加第二RF偏置功率以形成第二偏置等离子体，其中第二自由基和第二偏置等离子体接触第一介电材料处理层，以增加第一介电材料处理层的疏水性或流动性。
-
公开(公告)号：CN118020141A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202280065304.9
申请日：2022-08-31
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 巴加夫·S·西特拉 , 索哈姆·阿萨尼 , 约书亚·鲁布尼茨 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 怡利·Y·叶
IPC: H01L21/02 , H01L21/311
Abstract: 示例处理方法可包括形成含硅前驱物的等离子体。此方法可包括以含硅前驱物的等离子体流出物在半导体基板上沉积可流动膜。处理区可至少部分地被限定在面板与基板支撑件之间，半导体基板坐落在基板支撑件上。可从偏压电源施加偏压功率至基板支撑件。此方法可包括在半导体处理腔室的处理区内形成含氢前驱物的等离子体。此方法可包括以含氢前驱物的等离子体流出物从半导体基板内的特征的侧壁蚀刻可流动膜。此方法可包括以含氢前驱物的等离子体流出物致密化限定在半导体基板内的特征内的剩余可流动膜。
-
公开(公告)号：CN115190917A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202080082849.1
申请日：2020-12-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/36 , C23C16/04 , C23C16/505
Abstract: 描述了用于碳氮化硅膜的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法。通过将基板表面暴露于前驱物和反应物来在基板表面上形成可流动的碳氮化硅膜，所述前驱物具有通式(I)或通式(II)的结构其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11和R12独立地选自氢(H)、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的乙烯基、硅烷、取代或未取代的胺或卤化物；净化处理腔室中的硅前驱物，然后将基板暴露于氨等离子体。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.014 seconds)
