公开(公告)号：CN119998487A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202380070863.3

申请日：2023-10-03

Applicant: 应用材料公司 ,  加利福尼亚大学董事会

Inventor： 基思·T·黄 ,  斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ,  怡利·Y·叶 ,  安德鲁·C·库梅尔 ,  赵润镒 ,  詹姆斯·黄

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/52 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/44 ,  C23C16/34 ,  C23C16/02

Abstract: 一种方法包括在第一介电层上形成导电材料，将导电材料暴露于苯胺以产生导电材料的钝化表面，以及在将导电材料暴露于苯胺之后，使用沉积工艺在第一介电层上形成第二介电层。该沉积工艺是无水且无等离子体的沉积工艺，并且第二介电层不在导电材料的钝化表面上形成。