公开(公告)号：CN101515542A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200810128783.6

申请日：2008-05-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王竹戌 ,  马绍铭 ,  斯昌林 ,  布赖恩·廖 ,  周杰 ,  金汉相

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/31138

Abstract: 本发明涉及用硫基蚀刻剂等离子体蚀刻含碳层，其用蚀刻剂气体混合物蚀刻含碳层，该蚀刻剂气体混合物包含氧分子(O2)和包含碳硫末端配位体的气体。在某些实施例中采用高RF频率源以便得到对无机电介质层具有高选择性的高蚀刻率。在某些实施例中，蚀刻剂气体混合物仅包含两种成分：COS和O2，但在其它实施例中，也可以进一步采用附加气体，例如氮分子(N2)、一氧化碳(CO)或二氧化碳(CO2)中的至少一种，来蚀刻含碳层。

公开(公告)号：CN100423208C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200510137398.4

申请日：2005-12-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 格拉多·A·戴戈迪诺 ,  斯昌林 ,  叶延 ,  史云炅

IPC: H01L21/3065 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46 ,  H05H1/00

CPC classification number: H01L21/31116 ,  C09K13/00 ,  H01L21/31122

Abstract: 在至少某些实施例中，本发明是一种等离子体蚀刻方法，包括施加包含CF4、N2和Ar的气体混合物，并形成高密度和低轰击能量的等离子体。高密度和低轰击能量的等离子体是通过使用高源和低偏压功率设置而形成的。气体混合物还可包括H2、NH3、碳氟氢化合物气体和/或碳氟化合物气体。碳氟氢化合物气体可包括CH2F2、CH3F；和/或CHF3。碳氟化合物气体可包括C4F8、C4F6和/或C5F8。

公开(公告)号：CN101448580B

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：CN200780010287.4

申请日：2007-03-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 逸风·周 ,  格拉多·A·戴戈迪诺 ,  斯昌林

IPC: B08B3/12 ,  B08B7/00 ,  B08B6/00 ,  B08B7/02

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01L21/02049

Abstract: 本发明公开了一种等离子体蚀刻工艺，包括通过工件上的光刻胶掩膜进行的等离子体蚀刻步骤，所述蚀刻步骤使用在等离子体聚合物质中生成的聚合蚀刻处理气体，所述等离子体聚合物质在蚀刻步骤中在所述光刻胶掩膜的表面上聚积成保护性聚合物层，所述工艺包括在蚀刻步骤之后且在去除光刻胶掩膜之前在相同的室中进行的以下步骤：(a)从包括所述室的室顶的室表面去除包括聚合物材料的残余物，这如下实现：将RF等离子体源功率耦合到所述室中，同时实质上不将RF等离子体偏置功率耦合到所述室中，并将含氢气体引入所述室中，直到所述残余物被从所述室表面去除；(b)从所述光刻胶掩膜的表面去除所述保护性聚合物层，这如下实现：将RF等离子体偏置功率耦合到所述室中，同时实质上不将RF等离子体源功率耦合到所述室中，并将包含氧和一氧化碳的处理气体引入所述室中，直到所述聚合物层被从所述光刻胶的表面去除。

公开(公告)号：CN101448580A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200780010287.4

申请日：2007-03-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 逸风·周 ,  格拉多·A·戴戈迪诺 ,  斯昌林

IPC: B08B3/12 ,  B08B7/00 ,  B08B6/00 ,  B08B7/02

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01L21/02049

Abstract: 本发明公开了一种等离子体蚀刻工艺，包括通过工件上的光刻胶掩膜进行的等离子体蚀刻步骤，所述蚀刻步骤使用在等离子体聚合物质中生成的聚合蚀刻处理气体，所述等离子体聚合物质在蚀刻步骤中在所述光刻胶掩膜的表面上聚积成保护性聚合物层，所述工艺包括在蚀刻步骤之后且在去除光刻胶掩膜之前在相同的室中进行的以下步骤：(a)从包括所述室的室顶的室表面去除包括聚合物材料的残余物，这如下实现：将RF等离子体源功率耦合到所述室中，同时实质上不将RF等离子体偏置功率耦合到所述室中，并将含氢气体引入所述室中，直到所述残余物被从所述室表面去除；(b)从所述光刻胶掩膜的表面去除所述保护性聚合物层，这如下实现：将RF等离子体偏置功率耦合到所述室中，同时实质上不将RF等离子体源功率耦合到所述室中，并将包含氧和一氧化碳的处理气体引入所述室中，直到所述聚合物层被从所述光刻胶的表面去除。

公开(公告)号：CN101515542B

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200810128783.6

申请日：2008-05-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王竹戌 ,  马绍铭 ,  斯昌林 ,  布赖恩·廖 ,  周杰 ,  金汉相

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/31138

Abstract: 本发明涉及用硫基蚀刻剂等离子体蚀刻含碳层，其用蚀刻剂气体混合物蚀刻含碳层，该蚀刻剂气体混合物包含氧分子(O2)和包含碳硫末端配位体的气体。在某些实施例中采用高RF频率源以便得到对无机电介质层具有高选择性的高蚀刻率。在某些实施例中，蚀刻剂气体混合物仅包含两种成分：COS和O2，但在其它实施例中，也可以进一步采用附加气体，例如氮分子(N2)、一氧化碳(CO)或二氧化碳(CO2)中的至少一种，来蚀刻含碳层。

公开(公告)号：CN101350303A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200810146284.X

申请日：2005-12-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 格拉多·A·戴戈迪诺 ,  斯昌林 ,  叶延 ,  史云炅

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/00 ,  H01J37/32 ,  H05H1/00

CPC classification number: H01L21/31116 ,  C09K13/00 ,  H01L21/31122

Abstract: 本发明公开了一种以高源和低轰击等离子体提供高蚀刻速率的电介质蚀刻方法。在至少某些实施例中，本发明是一种等离子体蚀刻方法，包括施加包含CF4、N2和Ar的气体混合物，并形成高密度和低轰击能量的等离子体。高密度和低轰击能量的等离子体是通过使用高源和低偏压功率设置而形成的。气体混合物还可包括H2、NH3、碳氟氢化合物气体和/或碳氟化合物气体。碳氟氢化合物气体可包括CH2F2、CH3F；和/或CHF3。碳氟化合物气体可包括C4F8、C4F6和/或C5F8。

公开(公告)号：CN1828843A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200510137398.4

申请日：2005-12-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 格拉多·A·戴戈迪诺 ,  斯昌林 ,  叶延 ,  史云炅

IPC: H01L21/3065 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46 ,  H05H1/00

CPC classification number: H01L21/31116 ,  C09K13/00 ,  H01L21/31122

Abstract: 在至少某些实施例中，本发明是一种等离子体蚀刻方法，包括施加包含CF4、N2和Ar的气体混合物，并形成高密度和低轰击能量的等离子体。高密度和低轰击能量的等离子体是通过使用高源和低偏压功率设置而形成的。气体混合物还可包括H2、NH3、碳氟氢化合物气体和/或碳氟化合物气体。碳氟氢化合物气体可包括CH2F2、CH3F；和/或CHF3。碳氟化合物气体可包括C4F8、C4F6和/或C5F8。