公开(公告)号：CN101421829A

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200780013193.2

申请日：2007-04-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 格拉多·A·戴戈迪诺 ,  因扎吉特·拉西里 ,  谭-迪恩·苏 ,  布莱恩·西-元·施赫 ,  阿施克·K·辛哈

IPC: H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31138 ,  G03F7/427 ,  H01J37/32357 ,  H01L21/0209

Abstract: 通过在工件上执行氟碳基蚀刻处理以蚀刻电介质层的露出部分同时在光刻胶掩膜上沉积保护性氟碳聚合物来在蚀刻反应器中首先执行用于使用光刻胶掩膜蚀刻多孔掺杂碳氧化硅电介质层的等离子体蚀刻处理。然后，在灰化反应器中，通过将工件加热超过100℃来去除聚合物和光刻胶，露出所述工件的背侧的外围部分，并提供来自氢处理气体的等离子体的产品以在所述工件上还原在聚合物和光刻胶中包含的碳，直到聚合物已经从所述工件的背侧去除。处理气体优选包含氢气体和水蒸气两者，不过主要成分是氢气体。晶片(工件)背侧可以通过延伸晶片升降销露出。

公开(公告)号：CN101405844A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200780010190.3

申请日：2007-03-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 肖莹 ,  格拉多·A·戴戈迪诺 ,  卡斯特恩·施奈德

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814

Abstract: 本发明提供了用于以相对于电介质块绝缘层的高选择性来刻蚀电介质阻挡层的方法。在一种实施例中，该方法包括：在反应器中提供衬底，衬底具有经过电介质块绝缘层而暴露的一部分电介质阻挡层；将包含H2的气体混合物流入反应器中；以及相对于电介质块绝缘层选择性地刻蚀电介质阻挡层的暴露部分。

公开(公告)号：CN100423208C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200510137398.4

申请日：2005-12-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 格拉多·A·戴戈迪诺 ,  斯昌林 ,  叶延 ,  史云炅

IPC: H01L21/3065 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46 ,  H05H1/00

CPC classification number: H01L21/31116 ,  C09K13/00 ,  H01L21/31122

Abstract: 在至少某些实施例中，本发明是一种等离子体蚀刻方法，包括施加包含CF4、N2和Ar的气体混合物，并形成高密度和低轰击能量的等离子体。高密度和低轰击能量的等离子体是通过使用高源和低偏压功率设置而形成的。气体混合物还可包括H2、NH3、碳氟氢化合物气体和/或碳氟化合物气体。碳氟氢化合物气体可包括CH2F2、CH3F；和/或CHF3。碳氟化合物气体可包括C4F8、C4F6和/或C5F8。

公开(公告)号：CN101405234A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200780010228.7

申请日：2007-03-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 肖莹 ,  格拉多·A·戴戈迪诺 ,  卡斯特恩·施奈德

IPC: C03C25/68 ,  H01L21/461

CPC classification number: H01L21/76808 ,  H01L21/31138

Abstract: 提供一种以两个步骤蚀刻双镶嵌结构中的BARC层的方法。在一个实施例中，该方法包括在蚀刻反应器中提供具有过孔的衬底，该过孔填充有沉积在衬底上的BARC层，将第一气体混合物供应到反应器以蚀刻填充在过孔中BARC层的第一部分，并将包括NH3气体的第二气体混合物供应到反应器中以蚀刻沉积在过孔中的BARC层的第二部分。

公开(公告)号：CN101350303A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200810146284.X

申请日：2005-12-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 格拉多·A·戴戈迪诺 ,  斯昌林 ,  叶延 ,  史云炅

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/00 ,  H01J37/32 ,  H05H1/00

CPC classification number: H01L21/31116 ,  C09K13/00 ,  H01L21/31122

Abstract: 本发明公开了一种以高源和低轰击等离子体提供高蚀刻速率的电介质蚀刻方法。在至少某些实施例中，本发明是一种等离子体蚀刻方法，包括施加包含CF4、N2和Ar的气体混合物，并形成高密度和低轰击能量的等离子体。高密度和低轰击能量的等离子体是通过使用高源和低偏压功率设置而形成的。气体混合物还可包括H2、NH3、碳氟氢化合物气体和/或碳氟化合物气体。碳氟氢化合物气体可包括CH2F2、CH3F；和/或CHF3。碳氟化合物气体可包括C4F8、C4F6和/或C5F8。

公开(公告)号：CN1828843A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200510137398.4

申请日：2005-12-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 格拉多·A·戴戈迪诺 ,  斯昌林 ,  叶延 ,  史云炅

IPC: H01L21/3065 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46 ,  H05H1/00

CPC classification number: H01L21/31116 ,  C09K13/00 ,  H01L21/31122

Abstract: 在至少某些实施例中，本发明是一种等离子体蚀刻方法，包括施加包含CF4、N2和Ar的气体混合物，并形成高密度和低轰击能量的等离子体。高密度和低轰击能量的等离子体是通过使用高源和低偏压功率设置而形成的。气体混合物还可包括H2、NH3、碳氟氢化合物气体和/或碳氟化合物气体。碳氟氢化合物气体可包括CH2F2、CH3F；和/或CHF3。碳氟化合物气体可包括C4F8、C4F6和/或C5F8。

公开(公告)号：CN101536155B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200780009968.9

申请日：2007-03-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 格拉多·A·戴戈迪诺 ,  理查德·汉格伯格 ,  道格拉斯·A·小布什伯格

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/461 ,  G03C5/00 ,  B08B6/00 ,  B44C1/22

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76814

Abstract: 具有原位背侧聚合物去除的等离子体蚀刻工艺，开始于具有多孔掺杂碳二氧化硅电介质层和在工件表面上的光刻胶掩模的工件。工件在蚀刻反应室被夹紧到静电卡盘上。所述工艺包括引入氟碳基工艺气体，并在光刻胶掩模上沉积保护氟碳聚合物时，把RF偏压功率施加到静电卡盘和/或把RF源功率施加到高架电极来蚀刻电介质层的暴露部分。所述工艺还包括去除氟碳基工艺气体并引入氢基工艺气体，而且把RF源功率施加到高架电极。伸长静电卡盘中的提升销来把工件升高在静电卡盘上，并在反应室中把工件的背侧暴露给等离子体，以便去除之前沉积在背侧的聚合物，直到已经从背侧去除了聚合物。

公开(公告)号：CN101448580B

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：CN200780010287.4

申请日：2007-03-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 逸风·周 ,  格拉多·A·戴戈迪诺 ,  斯昌林

IPC: B08B3/12 ,  B08B7/00 ,  B08B6/00 ,  B08B7/02

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01L21/02049

Abstract: 本发明公开了一种等离子体蚀刻工艺，包括通过工件上的光刻胶掩膜进行的等离子体蚀刻步骤，所述蚀刻步骤使用在等离子体聚合物质中生成的聚合蚀刻处理气体，所述等离子体聚合物质在蚀刻步骤中在所述光刻胶掩膜的表面上聚积成保护性聚合物层，所述工艺包括在蚀刻步骤之后且在去除光刻胶掩膜之前在相同的室中进行的以下步骤：(a)从包括所述室的室顶的室表面去除包括聚合物材料的残余物，这如下实现：将RF等离子体源功率耦合到所述室中，同时实质上不将RF等离子体偏置功率耦合到所述室中，并将含氢气体引入所述室中，直到所述残余物被从所述室表面去除；(b)从所述光刻胶掩膜的表面去除所述保护性聚合物层，这如下实现：将RF等离子体偏置功率耦合到所述室中，同时实质上不将RF等离子体源功率耦合到所述室中，并将包含氧和一氧化碳的处理气体引入所述室中，直到所述聚合物层被从所述光刻胶的表面去除。

公开(公告)号：CN101536155A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200780009968.9

申请日：2007-03-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 格拉多·A·戴戈迪诺 ,  理查德·汉格伯格 ,  道格拉斯·A·小布什伯格

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/461 ,  G03C5/00 ,  B08B6/00 ,  B44C1/22

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76814

Abstract: 具有原位背侧聚合物去除的等离子体蚀刻工艺，开始于具有多孔掺杂碳二氧化硅电介质层和在工件表面上的光刻胶掩模的工件。工件在蚀刻反应室被夹紧到静电卡盘上。所述工艺包括引入氟碳基工艺气体，并在光刻胶掩模上沉积保护氟碳聚合物时，把RF偏压功率施加到静电卡盘和/或把RF源功率施加到高架电极来蚀刻电介质层的暴露部分。所述工艺还包括去除氟碳基工艺气体并引入氢基工艺气体，而且把RF源功率施加到高架电极。伸长静电卡盘中的提升销来把工件升高在静电卡盘上，并在反应室中把工件的背侧暴露给等离子体，以便去除之前沉积在背侧的聚合物，直到已经从背侧去除了聚合物。

公开(公告)号：CN101448580A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200780010287.4

申请日：2007-03-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 逸风·周 ,  格拉多·A·戴戈迪诺 ,  斯昌林

IPC: B08B3/12 ,  B08B7/00 ,  B08B6/00 ,  B08B7/02

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01L21/02049

Abstract: 本发明公开了一种等离子体蚀刻工艺，包括通过工件上的光刻胶掩膜进行的等离子体蚀刻步骤，所述蚀刻步骤使用在等离子体聚合物质中生成的聚合蚀刻处理气体，所述等离子体聚合物质在蚀刻步骤中在所述光刻胶掩膜的表面上聚积成保护性聚合物层，所述工艺包括在蚀刻步骤之后且在去除光刻胶掩膜之前在相同的室中进行的以下步骤：(a)从包括所述室的室顶的室表面去除包括聚合物材料的残余物，这如下实现：将RF等离子体源功率耦合到所述室中，同时实质上不将RF等离子体偏置功率耦合到所述室中，并将含氢气体引入所述室中，直到所述残余物被从所述室表面去除；(b)从所述光刻胶掩膜的表面去除所述保护性聚合物层，这如下实现：将RF等离子体偏置功率耦合到所述室中，同时实质上不将RF等离子体源功率耦合到所述室中，并将包含氧和一氧化碳的处理气体引入所述室中，直到所述聚合物层被从所述光刻胶的表面去除。