公开(公告)号：CN101536155B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200780009968.9

申请日：2007-03-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 格拉多·A·戴戈迪诺 ,  理查德·汉格伯格 ,  道格拉斯·A·小布什伯格

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/461 ,  G03C5/00 ,  B08B6/00 ,  B44C1/22

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76814

Abstract: 具有原位背侧聚合物去除的等离子体蚀刻工艺，开始于具有多孔掺杂碳二氧化硅电介质层和在工件表面上的光刻胶掩模的工件。工件在蚀刻反应室被夹紧到静电卡盘上。所述工艺包括引入氟碳基工艺气体，并在光刻胶掩模上沉积保护氟碳聚合物时，把RF偏压功率施加到静电卡盘和/或把RF源功率施加到高架电极来蚀刻电介质层的暴露部分。所述工艺还包括去除氟碳基工艺气体并引入氢基工艺气体，而且把RF源功率施加到高架电极。伸长静电卡盘中的提升销来把工件升高在静电卡盘上，并在反应室中把工件的背侧暴露给等离子体，以便去除之前沉积在背侧的聚合物，直到已经从背侧去除了聚合物。

公开(公告)号：CN101536155A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200780009968.9

申请日：2007-03-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 格拉多·A·戴戈迪诺 ,  理查德·汉格伯格 ,  道格拉斯·A·小布什伯格

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/461 ,  G03C5/00 ,  B08B6/00 ,  B44C1/22

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76814

Abstract: 具有原位背侧聚合物去除的等离子体蚀刻工艺，开始于具有多孔掺杂碳二氧化硅电介质层和在工件表面上的光刻胶掩模的工件。工件在蚀刻反应室被夹紧到静电卡盘上。所述工艺包括引入氟碳基工艺气体，并在光刻胶掩模上沉积保护氟碳聚合物时，把RF偏压功率施加到静电卡盘和/或把RF源功率施加到高架电极来蚀刻电介质层的暴露部分。所述工艺还包括去除氟碳基工艺气体并引入氢基工艺气体，而且把RF源功率施加到高架电极。伸长静电卡盘中的提升销来把工件升高在静电卡盘上，并在反应室中把工件的背侧暴露给等离子体，以便去除之前沉积在背侧的聚合物，直到已经从背侧去除了聚合物。