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公开(公告)号：CN1959932A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610140074.0
申请日：2006-10-18
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 丹尼尔·J·霍夫曼 , 保罗·卢卡丝·比瑞哈特 , 理查德·弗威尔 , 哈密迪·塔瓦索里 , 道格拉斯·A·小布什伯格 , 道格拉斯·H·伯恩斯 , 卡洛·贝拉
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/683 , C23F4/00
CPC classification number: H01L21/67248 , F25B49/02 , F25B2400/0401 , F25B2400/0403 , F25B2400/0411 , F25B2700/21174 , F25B2700/21175 , H01J37/32091 , H01J37/32183 , H01J37/32724 , H01J2237/2001 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/6831 , H05H2001/4682
Abstract: 一种从RF耦合的等离子体反应装置中的工件支撑传热或者向其传热的方法包括将冷却剂放置于位于工件支撑内部的内部流通道中，并通过使冷却剂循环经过制冷环路而从冷却剂传热或者向冷却剂传热，在制冷环路中，工件支撑的内部流通道构成制冷环路的蒸发器。该方法还包括将蒸发器内部的冷却剂的热条件维持在这样一个范围内，其中工件支撑和冷却剂之间的热交换主要或完全是通过冷却剂的蒸发潜热进行的。
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公开(公告)号：CN101699613A
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200910168282.5
申请日：2006-10-18
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 丹尼尔·J·霍夫曼 , 保罗·卢卡丝·比瑞哈特 , 理查德·弗威尔 , 哈密迪·塔瓦索里 , 道格拉斯·A·小布什伯格 , 道格拉斯·H·伯恩斯 , 卡洛·贝拉
IPC: H01J37/32 , H01L21/00 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/67248 , F25B49/02 , F25B2400/0401 , F25B2400/0403 , F25B2400/0411 , F25B2700/21174 , F25B2700/21175 , H01J37/32091 , H01J37/32183 , H01J37/32724 , H01J2237/2001 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/6831 , H05H2001/4682
Abstract: 本发明公开一种在等离子体反应装置中以均匀温度冷却晶片支撑的方法。从RF耦合的等离子体反应装置中的工件支撑传热或者向其传热的方法包括将冷却剂放置于位于工件支撑内部的内部流通道中，并通过使冷却剂循环经过制冷环路而从冷却剂传热或者向冷却剂传热，在制冷环路中，工件支撑的内部流通道构成制冷环路的蒸发器。该方法还包括将蒸发器内部的冷却剂的热条件维持在这样一个范围内，其中工件支撑和冷却剂之间的热交换主要或完全是通过冷却剂的蒸发潜热进行的。
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公开(公告)号：CN101582375A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200810178907.1
申请日：2006-10-18
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 丹尼尔·J·霍夫曼 , 保罗·卢卡丝·比瑞哈特 , 理查德·弗威尔 , 哈密迪·塔瓦索里 , 道格拉斯·A·小布什伯格 , 道格拉斯·H·伯恩斯 , 卡洛·贝拉
IPC: H01L21/00 , H01L21/683 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/67248 , F25B49/02 , F25B2400/0401 , F25B2400/0403 , F25B2400/0411 , F25B2700/21174 , F25B2700/21175 , H01J37/32091 , H01J37/32183 , H01J37/32724 , H01J2237/2001 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/6831 , H05H2001/4682
Abstract: 本发明公开具有均匀温度分布晶片支撑的电容耦合等离子体反应装置。用于处理工件的等离子体反应装置包括反应室、在室内用于支撑工件的静电吸盘、耦合用来向静电吸盘施加RF功率的RF等离子体偏置功率发生器以及具有在静电吸盘内部并且具有入口和出口的热交换器的相变传热(PCHT)环路。PCHT环路可以工作在两种模式之一，这两种模式是冷却模式和加热模式。PCHT环路还可以包括至少间接耦合到热交换器的出口的压缩器以及(在冷却模式中)耦合到压缩器的出口的冷凝器及耦合在冷凝器的输出和热交换器的入口之间的膨胀阀。优选地，在热交换器内的相变传热(PCHT)介质的一部分是气相和液相的混合物。结果，静电吸盘和热交换器内的PCHT介质之间的传热是恒温过程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100530529C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200610099337.8
申请日：2006-07-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01J37/32 , H05H1/00
Abstract: 等离子体反应器具有用于供应分别包括第一频率分量和第二频率分量的RF偏置功率的双频等离子体RF偏置功率源和具有耦合到等离子体RF偏置功率源的输入端和耦合到晶片支撑基座的输出端的RF功率路径，以及提供代表RF功率路径的输入端附近处的测量电压的第一频率分量和第二频率分量以及测量电流的第一频率分量和第二频率分量的测量信号的传感器电路。反应器还包括用于提供晶片电压信号的第一频率分量和第二频率分量的处理器。处理器通过利用互调制校正因子组合晶片电压的第一频率分量和第二频率分量的DC分量来生成DC晶片电压，互调制校正因子是被升高到选定功率并且乘上选定系数的晶片电压的第一分量和第二分量的DC分量的乘积。
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公开(公告)号：CN110720138A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201880037973.9
申请日：2018-06-14
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 尼兰詹·库玛尔 , 金·拉姆库马尔·韦洛尔 , 道格拉斯·H·伯恩斯 , 高塔姆·皮莎罗蒂 , 塞沙德里·拉马斯瓦米 , 小道格拉斯·A·布池贝尔格尔
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/02
Abstract: 本公开内容的实施方式涉及使用静电载具以固定、传送及组装晶粒于基板上。在一个实施方式中，一种静电载具，包含：主体，具有顶表面与底表面；设置在主体内的至少第一双极性吸附电极；设置在主体的底表面上的至少两个接触垫，且至少两个接触垫连接至第一双极性吸附电极；以及浮接电极，设置在第一双极性吸附电极与底表面之间。在另一实施方式中，一种晶粒组装系统，包含：静电载具，静电载具经配置以静电固定多个晶粒；载具保持平台，经配置以保持静电载具；晶粒输入平台；以及装载机器人，具有一动作范围，动作范围经配置以从晶粒输入平台拾取多个晶粒并将多个晶粒放置在静电载具上。
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公开(公告)号：CN101699613B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200910168282.5
申请日：2006-10-18
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 丹尼尔·J·霍夫曼 , 保罗·卢卡丝·比瑞哈特 , 理查德·弗威尔 , 哈密迪·塔瓦索里 , 道格拉斯·A·小布什伯格 , 道格拉斯·H·伯恩斯 , 卡洛·贝拉
IPC: H01J37/32 , H01L21/00 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/67248 , F25B49/02 , F25B2400/0401 , F25B2400/0403 , F25B2400/0411 , F25B2700/21174 , F25B2700/21175 , H01J37/32091 , H01J37/32183 , H01J37/32724 , H01J2237/2001 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/6831 , H05H2001/4682
Abstract: 本发明公开一种在等离子体反应装置中以均匀温度冷却晶片支撑的方法。从RF耦合的等离子体反应装置中的工件支撑传热或者向其传热的方法包括将冷却剂放置于位于工件支撑内部的内部流通道中，并通过使冷却剂循环经过制冷环路而从冷却剂传热或者向冷却剂传热，在制冷环路中，工件支撑的内部流通道构成制冷环路的蒸发器。该方法还包括将蒸发器内部的冷却剂的热条件维持在这样一个范围内，其中工件支撑和冷却剂之间的热交换主要或完全是通过冷却剂的蒸发潜热进行的。
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公开(公告)号：CN101110347A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200610099337.8
申请日：2006-07-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01J37/32 , H05H1/00
Abstract: 等离子体反应器具有用于供应分别包括第一频率分量和第二频率分量的RF偏置功率的双频等离子体RF偏置功率源和具有耦合到等离子体RF偏置功率源的输入端和耦合到晶片支撑基座的输出端的RF功率路径，以及提供代表RF功率路径的输入端附近处的测量电压的第一频率分量和第二频率分量以及测量电流的第一频率分量和第二频率分量的测量信号的传感器电路。反应器还包括用于提供晶片电压信号的第一频率分量和第二频率分量的处理器，所述晶片电压信号的第一频率和第二频率分量分别是测量电压和测量电流的第一频率分量分别乘上第一系数和第二系数的第一加和，以及测量电压和测量电流的第二频率分量分别乘上第三系数和第四系数的第二加和。处理器通过利用互调制校正因子组合晶片电压的第一频率分量和第二频率分量的DC分量来生成DC晶片电压，互调制校正因子是被升高到选定功率并且乘上选定系数的晶片电压的第一分量和第二分量的DC分量的乘积。
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公开(公告)号：CN1956143A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200610140073.6
申请日：2006-10-18
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 丹尼尔·J·霍夫曼 , 保罗·卢卡丝·比瑞哈特 , 理查德·弗威尔 , 哈密迪·塔瓦索里 , 道格拉斯·A·小布什伯格 , 道格拉斯·H·伯恩斯 , 卡洛·贝拉
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/683 , C23F4/00 , H05H1/00 , F25B1/00
CPC classification number: H01L21/67248 , F25B49/02 , F25B2400/0401 , F25B2400/0403 , F25B2400/0411 , F25B2700/21174 , F25B2700/21175 , H01J37/32091 , H01J37/32183 , H01J37/32724 , H01J2237/2001 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/6831 , H05H2001/4682
Abstract: 用于处理工件的等离子体反应装置包括反应室、在室内用于支撑工件的静电吸盘、耦合用来向静电吸盘施加RF功率的RF等离子体偏置功率发生器以及具有在静电吸盘内部并且具有入口和出口的热交换器的相变传热(PCHT)环路。PCHT环路可以工作在两种模式之一，这两种模式是冷却模式和加热模式。PCHT环路还可以包括至少间接耦合到热交换器的出口的压缩器以及(在冷却模式中)耦合到压缩器的出口的冷凝器及耦合在冷凝器的输出和热交换器的入口之间的膨胀阀。优选地，在热交换器内的相变传热(PCHT)介质的一部分是气相和液相的混合物。结果，静电吸盘和热交换器内的PCHT介质之间的传热是恒温过程。该特征提高了静电吸盘的直径上的温度分布的均匀性。
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