公开(公告)号：CN1959932A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200610140074.0

申请日：2006-10-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 丹尼尔·J·霍夫曼 ,  保罗·卢卡丝·比瑞哈特 ,  理查德·弗威尔 ,  哈密迪·塔瓦索里 ,  道格拉斯·A·小布什伯格 ,  道格拉斯·H·伯恩斯 ,  卡洛·贝拉

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  C23F4/00

CPC classification number: H01L21/67248 ,  F25B49/02 ,  F25B2400/0401 ,  F25B2400/0403 ,  F25B2400/0411 ,  F25B2700/21174 ,  F25B2700/21175 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H05H2001/4682

Abstract: 一种从RF耦合的等离子体反应装置中的工件支撑传热或者向其传热的方法包括将冷却剂放置于位于工件支撑内部的内部流通道中，并通过使冷却剂循环经过制冷环路而从冷却剂传热或者向冷却剂传热，在制冷环路中，工件支撑的内部流通道构成制冷环路的蒸发器。该方法还包括将蒸发器内部的冷却剂的热条件维持在这样一个范围内，其中工件支撑和冷却剂之间的热交换主要或完全是通过冷却剂的蒸发潜热进行的。

公开(公告)号：CN101699613A

公开(公告)日：2010-04-28

申请号：CN200910168282.5

申请日：2006-10-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 丹尼尔·J·霍夫曼 ,  保罗·卢卡丝·比瑞哈特 ,  理查德·弗威尔 ,  哈密迪·塔瓦索里 ,  道格拉斯·A·小布什伯格 ,  道格拉斯·H·伯恩斯 ,  卡洛·贝拉

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/00 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/67248 ,  F25B49/02 ,  F25B2400/0401 ,  F25B2400/0403 ,  F25B2400/0411 ,  F25B2700/21174 ,  F25B2700/21175 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H05H2001/4682

Abstract: 本发明公开一种在等离子体反应装置中以均匀温度冷却晶片支撑的方法。从RF耦合的等离子体反应装置中的工件支撑传热或者向其传热的方法包括将冷却剂放置于位于工件支撑内部的内部流通道中，并通过使冷却剂循环经过制冷环路而从冷却剂传热或者向冷却剂传热，在制冷环路中，工件支撑的内部流通道构成制冷环路的蒸发器。该方法还包括将蒸发器内部的冷却剂的热条件维持在这样一个范围内，其中工件支撑和冷却剂之间的热交换主要或完全是通过冷却剂的蒸发潜热进行的。

公开(公告)号：CN101582375A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200810178907.1

申请日：2006-10-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 丹尼尔·J·霍夫曼 ,  保罗·卢卡丝·比瑞哈特 ,  理查德·弗威尔 ,  哈密迪·塔瓦索里 ,  道格拉斯·A·小布什伯格 ,  道格拉斯·H·伯恩斯 ,  卡洛·贝拉

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/683 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67248 ,  F25B49/02 ,  F25B2400/0401 ,  F25B2400/0403 ,  F25B2400/0411 ,  F25B2700/21174 ,  F25B2700/21175 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H05H2001/4682

Abstract: 本发明公开具有均匀温度分布晶片支撑的电容耦合等离子体反应装置。用于处理工件的等离子体反应装置包括反应室、在室内用于支撑工件的静电吸盘、耦合用来向静电吸盘施加RF功率的RF等离子体偏置功率发生器以及具有在静电吸盘内部并且具有入口和出口的热交换器的相变传热(PCHT)环路。PCHT环路可以工作在两种模式之一，这两种模式是冷却模式和加热模式。PCHT环路还可以包括至少间接耦合到热交换器的出口的压缩器以及(在冷却模式中)耦合到压缩器的出口的冷凝器及耦合在冷凝器的输出和热交换器的入口之间的膨胀阀。优选地，在热交换器内的相变传热(PCHT)介质的一部分是气相和液相的混合物。结果，静电吸盘和热交换器内的PCHT介质之间的传热是恒温过程。

公开(公告)号：CN101699613B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200910168282.5

申请日：2006-10-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 丹尼尔·J·霍夫曼 ,  保罗·卢卡丝·比瑞哈特 ,  理查德·弗威尔 ,  哈密迪·塔瓦索里 ,  道格拉斯·A·小布什伯格 ,  道格拉斯·H·伯恩斯 ,  卡洛·贝拉

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/00 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/67248 ,  F25B49/02 ,  F25B2400/0401 ,  F25B2400/0403 ,  F25B2400/0411 ,  F25B2700/21174 ,  F25B2700/21175 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H05H2001/4682

Abstract: 本发明公开一种在等离子体反应装置中以均匀温度冷却晶片支撑的方法。从RF耦合的等离子体反应装置中的工件支撑传热或者向其传热的方法包括将冷却剂放置于位于工件支撑内部的内部流通道中，并通过使冷却剂循环经过制冷环路而从冷却剂传热或者向冷却剂传热，在制冷环路中，工件支撑的内部流通道构成制冷环路的蒸发器。该方法还包括将蒸发器内部的冷却剂的热条件维持在这样一个范围内，其中工件支撑和冷却剂之间的热交换主要或完全是通过冷却剂的蒸发潜热进行的。

公开(公告)号：CN1956143A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200610140073.6

申请日：2006-10-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 丹尼尔·J·霍夫曼 ,  保罗·卢卡丝·比瑞哈特 ,  理查德·弗威尔 ,  哈密迪·塔瓦索里 ,  道格拉斯·A·小布什伯格 ,  道格拉斯·H·伯恩斯 ,  卡洛·贝拉

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  C23F4/00 ,  H05H1/00 ,  F25B1/00

CPC classification number: H01L21/67248 ,  F25B49/02 ,  F25B2400/0401 ,  F25B2400/0403 ,  F25B2400/0411 ,  F25B2700/21174 ,  F25B2700/21175 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H05H2001/4682

Abstract: 用于处理工件的等离子体反应装置包括反应室、在室内用于支撑工件的静电吸盘、耦合用来向静电吸盘施加RF功率的RF等离子体偏置功率发生器以及具有在静电吸盘内部并且具有入口和出口的热交换器的相变传热(PCHT)环路。PCHT环路可以工作在两种模式之一，这两种模式是冷却模式和加热模式。PCHT环路还可以包括至少间接耦合到热交换器的出口的压缩器以及(在冷却模式中)耦合到压缩器的出口的冷凝器及耦合在冷凝器的输出和热交换器的入口之间的膨胀阀。优选地，在热交换器内的相变传热(PCHT)介质的一部分是气相和液相的混合物。结果，静电吸盘和热交换器内的PCHT介质之间的传热是恒温过程。该特征提高了静电吸盘的直径上的温度分布的均匀性。