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公开(公告)号：CN101110347A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200610099337.8
申请日：2006-07-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01J37/32 , H05H1/00
Abstract: 等离子体反应器具有用于供应分别包括第一频率分量和第二频率分量的RF偏置功率的双频等离子体RF偏置功率源和具有耦合到等离子体RF偏置功率源的输入端和耦合到晶片支撑基座的输出端的RF功率路径，以及提供代表RF功率路径的输入端附近处的测量电压的第一频率分量和第二频率分量以及测量电流的第一频率分量和第二频率分量的测量信号的传感器电路。反应器还包括用于提供晶片电压信号的第一频率分量和第二频率分量的处理器，所述晶片电压信号的第一频率和第二频率分量分别是测量电压和测量电流的第一频率分量分别乘上第一系数和第二系数的第一加和，以及测量电压和测量电流的第二频率分量分别乘上第三系数和第四系数的第二加和。处理器通过利用互调制校正因子组合晶片电压的第一频率分量和第二频率分量的DC分量来生成DC晶片电压，互调制校正因子是被升高到选定功率并且乘上选定系数的晶片电压的第一分量和第二分量的DC分量的乘积。
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公开(公告)号：CN100530529C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200610099337.8
申请日：2006-07-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01J37/32 , H05H1/00
Abstract: 等离子体反应器具有用于供应分别包括第一频率分量和第二频率分量的RF偏置功率的双频等离子体RF偏置功率源和具有耦合到等离子体RF偏置功率源的输入端和耦合到晶片支撑基座的输出端的RF功率路径，以及提供代表RF功率路径的输入端附近处的测量电压的第一频率分量和第二频率分量以及测量电流的第一频率分量和第二频率分量的测量信号的传感器电路。反应器还包括用于提供晶片电压信号的第一频率分量和第二频率分量的处理器。处理器通过利用互调制校正因子组合晶片电压的第一频率分量和第二频率分量的DC分量来生成DC晶片电压，互调制校正因子是被升高到选定功率并且乘上选定系数的晶片电压的第一分量和第二分量的DC分量的乘积。
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公开(公告)号：CN1812684A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200610001547.9
申请日：2006-01-20
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01J37/32091 , H01J37/32082 , H01J37/32174 , H01J37/32183 , H01J37/3244
Abstract: 本发明公开了一种形成等离子反应器顶部至少一部分的顶置气体分布电极，其具有面对反应器处理区的底表面。该电极包括气体供应歧管和多个压降圆柱形孔，前者用于在所述电极顶部处接收供应压力下的处理气体，后者从每个孔的一端处的气体供应歧管相对于电极轴向延伸。电极内的径向气体分布歧管跨越电极径向延伸。多个轴向延伸高导通率气流通道将多个压降孔中各个的相对端耦合到径向气体分布歧管。多个高导通率圆柱形出气孔形成在电极的面对等离子的底表面中并轴向延伸到径向气体分布歧管。
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