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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106024618B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201610352823.X
申请日：2009-01-07
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 詹姆斯·D·卡达希 , 欧加·莱格拉曼 , 卡洛·贝拉 , 道格拉斯·A·布池贝尔格尔 , 保罗·比瑞哈特
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明一般而言包含加热的喷头组件，其可用来供应处理气体至处理腔室。该处理腔室可以是蚀刻腔室。当该处理气体从该处理腔室排出时，均匀处理该衬底会有难度。将该处理气体抽离该衬底并朝向该真空泵推送时，衬底上的等离子体，在蚀刻的情况下可能会不均匀。不均匀的等离子体可造成不均匀蚀刻。为了避免不均匀蚀刻，可将该喷头组件分为两个区域，每一个区域均具有可独立控制的气体导入及温度控制。该第一区域对应该衬底的边缘，而该第二区域对应该衬底的中心。通过独立控制温度及通过该喷头区域的气流，可增加该衬底的蚀刻均匀性。
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公开(公告)号：CN101911262A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200980102058.4
申请日：2009-01-07
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 詹姆斯·D·卡达希 , 欧加·莱格拉曼 , 卡洛·贝拉 , 道格拉斯·A·布池贝尔格尔 , 保罗·比瑞哈特
IPC: H01L21/3065 , H01L21/00
CPC classification number: H01J37/3244 , B32B43/00 , C23C16/4412 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45591 , H01J37/32449 , H01J37/32724 , H01J2237/3343 , Y10T29/49815
Abstract: 本发明一般而言包含加热的喷头组件，其可用来供应处理气体至处理腔室。该处理腔室可以是蚀刻腔室。当该处理气体从该处理腔室排出时，均匀处理该衬底会有难度。将该处理气体抽离该衬底并朝向该真空泵推送时，衬底上的等离子体，在蚀刻的情况下可能会不均匀。不均匀的等离子体可造成不均匀蚀刻。为了避免不均匀蚀刻，可将该喷头组件分为两个区域，每一个区域均具有可独立控制的气体导入及温度控制。该第一区域对应该衬底的边缘，而该第二区域对应该衬底的中心。通过独立控制温度及通过该喷头区域的气流，可增加该衬底的蚀刻均匀性。
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公开(公告)号：CN106024618A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610352823.X
申请日：2009-01-07
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 詹姆斯·D·卡达希 , 欧加·莱格拉曼 , 卡洛·贝拉 , 道格拉斯·A·布池贝尔格尔 , 保罗·比瑞哈特
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明一般而言包含加热的喷头组件，其可用来供应处理气体至处理腔室。该处理腔室可以是蚀刻腔室。当该处理气体从该处理腔室排出时，均匀处理该衬底会有难度。将该处理气体抽离该衬底并朝向该真空泵推送时，衬底上的等离子体，在蚀刻的情况下可能会不均匀。不均匀的等离子体可造成不均匀蚀刻。为了避免不均匀蚀刻，可将该喷头组件分为两个区域，每一个区域均具有可独立控制的气体导入及温度控制。该第一区域对应该衬底的边缘，而该第二区域对应该衬底的中心。通过独立控制温度及通过该喷头区域的气流，可增加该衬底的蚀刻均匀性。
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公开(公告)号：CN101911262B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN200980102058.4
申请日：2009-01-07
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 詹姆斯·D·卡达希 , 欧加·莱格拉曼 , 卡洛·贝拉 , 道格拉斯·A·布池贝尔格尔 , 保罗·比瑞哈特
IPC: H01L21/3065 , H01L21/00
CPC classification number: H01J37/3244 , B32B43/00 , C23C16/4412 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45591 , H01J37/32449 , H01J37/32724 , H01J2237/3343 , Y10T29/49815
Abstract: 本发明一般而言包含加热的喷头组件，其可用来供应处理气体至处理腔室。该处理腔室可以是蚀刻腔室。当该处理气体从该处理腔室排出时，均匀处理该衬底会有难度。将该处理气体抽离该衬底并朝向该真空泵推送时，衬底上的等离子体，在蚀刻的情况下可能会不均匀。不均匀的等离子体可造成不均匀蚀刻。为了避免不均匀蚀刻，可将该喷头组件分为两个区域，每一个区域均具有可独立控制的气体导入及温度控制。该第一区域对应该衬底的边缘，而该第二区域对应该衬底的中心。通过独立控制温度及通过该喷头区域的气流，可增加该衬底的蚀刻均匀性。
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公开(公告)号：CN1812684A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200610001547.9
申请日：2006-01-20
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01J37/32091 , H01J37/32082 , H01J37/32174 , H01J37/32183 , H01J37/3244
Abstract: 本发明公开了一种形成等离子反应器顶部至少一部分的顶置气体分布电极，其具有面对反应器处理区的底表面。该电极包括气体供应歧管和多个压降圆柱形孔，前者用于在所述电极顶部处接收供应压力下的处理气体，后者从每个孔的一端处的气体供应歧管相对于电极轴向延伸。电极内的径向气体分布歧管跨越电极径向延伸。多个轴向延伸高导通率气流通道将多个压降孔中各个的相对端耦合到径向气体分布歧管。多个高导通率圆柱形出气孔形成在电极的面对等离子的底表面中并轴向延伸到径向气体分布歧管。
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