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公开(公告)号：CN108779568A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780016714.3
申请日：2017-02-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 拉克什斯瓦尔·卡利塔 , 普莉娜·A·古拉迪雅 , 吉蒂卡·巴贾 , 尤吉塔·巴瑞克 , 宜兴·林 , 迪米特里·卢伯米尔斯基 , 安库尔·凯达姆 , 拜平·塔库尔 , 凯文·A·帕克 , 考希克·维迪亚
IPC: C25D5/50 , C25D3/54 , C25D9/12 , C23C16/455
CPC classification number: C23C8/12 , C22F1/16 , C23C8/16 , C25D3/54 , C25D5/18 , C25D5/48 , C25D5/50 , C25D11/08 , C25D11/34
Abstract: 此公开内容一般地涉及以电化学方式形成三氧化二钇或氧化钇的方法。所述方法可包括视情况地制备电化学浴、将三氧化二钇或氧化钇电沉积至基板上、从基板的表面上去除溶剂，及后处理其上具有经电沉积的三氧化二钇或氧化钇的基板。
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公开(公告)号：CN113924387A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202080037702.0
申请日：2020-02-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/44
Abstract: 本公开内容的多个实施方式一般涉及用于清洁处理腔室的设备和方法。在一个实施方式中，基板支承件盖包括用氟化物涂层涂布的块状构件。在清洁处理期间，基板支承件盖放置在布置在处理腔室中的基板支承件上。氟化物涂层不会与清洁物质反应。基板支承件盖保护基板支承件防止与清洁物质反应，导致降低在腔室部件上形成的凝结，进而导致降低在后续处理中基板的污染。
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公开(公告)号：CN108885979B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201780016071.2
申请日：2017-02-14
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 尤吉塔·巴瑞克 , 拉克什斯瓦尔·卡利塔 , 吉蒂卡·巴贾 , 凯文·A·帕克 , 安科尔·卡达姆 , 拜平·塔库尔 , 宜兴·林 , 迪米特里·卢伯米尔斯基 , 普莉娜·A·古拉迪雅
Abstract: 本公开内容一般地涉及以电化学方式形成铝或氧化铝的方法。所述方法可包括：视情况地制备电化学浴，将铝或氧化铝电沉积至基板上，从该基板的表面去除溶剂，及后处理上面有该电沉积的铝或氧化铝的该基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108780768A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780016548.7
申请日：2017-03-22
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: B08B3/12 , G01N1/38 , G01N2001/028 , G01N2001/383 , G01N2015/1486
Abstract: 本文中所述的实施方式一般涉及30nm排队式液体颗粒计数测试装备，所述装备分析和清洁半导体处理装备。更具体而言，所述的实施方式涉及用于稀释、分析和调整流体以允许观察流体的成分的系统。稀释物取样工具与液体颗粒检测器耦合以读取包含来自清洁槽中的半导体处理装备(诸如衬垫、屏蔽物、面板或喷头)的颗粒的提取液的成分。如此，可获得减少颗粒检测器的过饱和的准确液体颗粒读数。
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公开(公告)号：CN117043534A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202280016677.7
申请日：2022-02-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: F26B21/14
Abstract: 本文提供用于烘烤腔室的方法及设备，该烘烤腔室用于处理腔室部件。在一些实施方式中，烘烤腔室包括：壳体，该壳体界定第一腔室，其中该第一腔室包括：第一腔室主体，该第一腔室主体具有第一地板及第一侧壁，这些第一侧壁耦接该第一地板至该第一腔室主体的第一盖以界定第一内部容积；第一支撑件，该第一支撑件设置于该第一内部容积中；第一气体管线，该第一气体管线设置于该第一内部容积中接近该第一盖；第一喷头，该第一喷头设置于该第一气体管线与该第一支撑件之间；第一排气部，该第一排气部耦接至该第一地板；及第一加热器，该第一加热器设置于该第一内部容积中且在该第一支撑件与该第一地板之间；及其中该壳体包括门，该门被配置为促使该腔室部件传送进入及离开该壳体。
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公开(公告)号：CN108780768B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN201780016548.7
申请日：2017-03-22
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文中所述的实施方式一般涉及30nm排队式液体颗粒计数测试装备，所述装备分析和清洁半导体处理装备。更具体而言，所述的实施方式涉及用于稀释、分析和调整流体以允许观察流体的成分的系统。稀释物取样工具与液体颗粒检测器耦合以读取包含来自清洁槽中的半导体处理装备(诸如衬垫、屏蔽物、面板或喷头)的颗粒的提取液的成分。如此，可获得减少颗粒检测器的过饱和的准确液体颗粒读数。
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公开(公告)号：CN108779568B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201780016714.3
申请日：2017-02-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 拉克什斯瓦尔·卡利塔 , 普莉娜·A·古拉迪雅 , 吉蒂卡·巴贾 , 尤吉塔·巴瑞克 , 宜兴·林 , 迪米特里·卢伯米尔斯基 , 安库尔·凯达姆 , 拜平·塔库尔 , 凯文·A·帕克 , 考希克·维迪亚
IPC: C25D5/50 , C25D3/54 , C25D9/12 , C23C16/455
Abstract: 此公开内容一般地涉及以电化学方式形成三氧化二钇或氧化钇的方法。所述方法可包括视情况地制备电化学浴、将钇电沉积至基板上、从基板的表面上去除溶剂，及后处理其上具有经电沉积的钇的基板。
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公开(公告)号：CN108885979A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780016071.2
申请日：2017-02-14
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 尤吉塔·巴瑞克 , 拉克什斯瓦尔·卡利塔 , 吉蒂卡·巴贾 , 凯文·A·帕克 , 安科尔·卡达姆 , 拜平·塔库尔 , 宜兴·林 , 迪米特里·卢伯米尔斯基 , 普莉娜·A·古拉迪雅
CPC classification number: C25D3/44 , C25D3/66 , C25D5/022 , C25D5/18 , C25D5/48 , C25D5/50 , C25D11/04 , H01L21/67023
Abstract: 本公开内容一般地涉及以电化学方式形成铝或氧化铝的方法。所述方法可包括：视情况地制备电化学浴，将铝或氧化铝电沉积至基板上，从该基板的表面去除溶剂，及后处理上面有该电沉积的铝或氧化铝的该基板。
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