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公开(公告)号：CN117043387A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202280021015.9
申请日：2022-03-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44
Abstract: 本文公开的示例关于清洁及修复其中设置有加热器的基板支撑件的方法及设备。一种方法包括：(a)清洁具有块体层的基板支撑件的表面，基板支撑件设置在被配置为处理基板的处理环境中。清洁处理包括在高温下从具有含氟气体及氧的清洁气体混合物形成等离子体。该方法包括：(b)利用由处理气体混合物形成的处理等离子体从处理环境移除氧自由基。该处理气体混合物包括含氟气体。此方法进一步包括：(c)利用后处理等离子体修复基板支撑件与块体层的界面。该后处理等离子体由包括含氮气体的后处理气体混合物所形成。该高温大于或等于约500℃。
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公开(公告)号：CN113924387A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202080037702.0
申请日：2020-02-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/44
Abstract: 本公开内容的多个实施方式一般涉及用于清洁处理腔室的设备和方法。在一个实施方式中，基板支承件盖包括用氟化物涂层涂布的块状构件。在清洁处理期间，基板支承件盖放置在布置在处理腔室中的基板支承件上。氟化物涂层不会与清洁物质反应。基板支承件盖保护基板支承件防止与清洁物质反应，导致降低在腔室部件上形成的凝结，进而导致降低在后续处理中基板的污染。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107034448A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611178021.8
申请日：2016-12-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 戈文达·瑞泽 , 哈里斯·库马尔·帕纳瓦拉菲·库马兰库蒂 , 林·张 , 斯坦利·吴
IPC: C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了用于减少在具有冷却气体进料块的高温处理腔室中的粒子污染形成的方法和设备的技术。所述冷却气体进料块具有主体。所述主体具有主中心部分，所述主中心部分具有顶表面和底表面。所述主体还具有凸缘，所述凸缘从所述主中心部分的所述底表面向外延伸。气体通道穿过所述主体设置。所述气体通道具有在所述主中心部分的所述顶表面中形成的入口和在所述主中心部分的所述底表面中形成的出口。所述主体还具有中心冷却剂通道。所述中心冷却剂通道具有第一部分和耦接至所述第一部分的第二部分，所述第一部分具有在所述主中心部分的顶表面中形成的入口，所述第二部分具有在所述凸缘的侧壁上形成的出口。
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公开(公告)号：CN114746989A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202080082546.X
申请日：2020-11-03
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 拉尔夫·彼得·安东尼奥 , 盛殊然 , 林·张 , 约瑟夫·C·沃纳
Abstract: 本文提供了用于检测紫外光的方法和设备。例如，紫外(UV)处理腔室包括：真空窗或透明喷头；UV光源，设置在真空窗或透明喷头的一个的上方，并配置成产生UV光并将UV光传送到UV处理腔室的处理空间中；和第一UV传感器，配置成测量来自UV光源的发射率或传送到处理空间中的UV光的辐照度的至少一个，并在操作期间将与来自UV光源的发射率或UV光的辐照度的所测量的至少一个相对应的信号传送到耦合到UV处理腔室的控制器。
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公开(公告)号：CN107034448B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201611178021.8
申请日：2016-12-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 戈文达·瑞泽 , 哈里斯·库马尔·帕纳瓦拉菲·库马兰库蒂 , 林·张 , 斯坦利·吴
IPC: C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了用于减少在具有冷却气体进料块的高温处理腔室中的粒子污染形成的方法和设备的技术。所述冷却气体进料块具有主体。所述主体具有主中心部分，所述主中心部分具有顶表面和底表面。所述主体还具有凸缘，所述凸缘从所述主中心部分的所述底表面向外延伸。气体通道穿过所述主体设置。所述气体通道具有在所述主中心部分的所述顶表面中形成的入口和在所述主中心部分的所述底表面中形成的出口。所述主体还具有中心冷却剂通道。所述中心冷却剂通道具有第一部分和耦接至所述第一部分的第二部分，所述第一部分具有在所述主中心部分的顶表面中形成的入口，所述第二部分具有在所述凸缘的侧壁上形成的出口。
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公开(公告)号：CN206574680U
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201621395316.6
申请日：2016-12-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 戈文达·瑞泽 , 哈里斯·库马尔·帕纳瓦拉菲·库马兰库蒂 , 林·张 , 斯坦利·吴
IPC: H01L21/67
CPC classification number: C23C16/45572 , C23C16/4401 , C23C16/4404 , C23C16/4405 , C23C16/45563 , C23C16/45591 , C23C16/507 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32467 , H01J37/32522 , H01J37/32853 , H01J2237/327 , H01J2237/3321 , H01J2237/3322 , H01J2237/335
Abstract: 本实用新型公开了冷却气体进料块和处理腔室。所述冷却气体进料块具有主体。所述主体具有主中心部分，所述主中心部分具有顶表面和底表面。所述主体还具有凸缘，所述凸缘从所述主中心部分的所述底表面向外延伸。气体通道穿过所述主体设置。所述气体通道具有在所述主中心部分的所述顶表面中形成的入口和在所述主中心部分的所述底表面中形成的出口。所述主体还具有中心冷却剂通道。所述中心冷却剂通道具有第一部分和耦接至所述第一部分的第二部分，所述第一部分具有在所述主中心部分的顶表面中形成的入口，所述第二部分具有在所述凸缘的侧壁上形成的出口。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN221447101U
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202190000793.0
申请日：2021-08-24
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , C23C16/448
Abstract: 本文的实施方式提供一种温度检测系统，用于监测向用于电子装置加工制造的处理腔室的处理容积输送流体的流体输送导管及该处理容积外部的其他元件的温度。在一个实施方式中，该系统被操作以用于在温度监测系统(TMS)控制器处从第一多个温度传感器及第二多个温度传感器接收信息，使用TMS控制器将温度信息与一个或多个预定的控制限值比较，及使用TMS控制器向使用者传达失控事件。总体而言，温度监测系统的特征在于第一及第二多个温度传感器、TMS控制器、第一连接模块及第二连接模块。
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