公开(公告)号：CN117083632A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202280024726.1

申请日：2022-03-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 苏米特·杰哈 ,  迪瓦克·达斯 ,  尼萨尔·沙阿 ,  马尤克·巴塔克利亚 ,  舒瑞基·雷格瑞简

IPC: G06T7/00

Abstract: 描述了用于在千兆像素全切片图像上将信息可视化的方法和系统。在一个示例中，一种用于将信息可视化的方法包括向图像查看器提供要可视化的信息列表，加载图像以及信息源的掩模，以及动态地找到缩放因子。如果所述缩放因子不适合细详细视图，则显示用于粗掩模的信息。如果所述缩放因子适合细详细视图，则从多个信息源选择用于细详细掩模的信息。

公开(公告)号：CN116964714A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202280019935.7

申请日：2022-02-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 吉蒂卡·巴贾 ,  普雷纳·桑塔利亚·戈拉迪亚 ,  赛沙德利·甘古利 ,  斯里尼瓦·甘迪科塔 ,  罗伯特·詹·维瑟 ,  舒瑞基·雷格瑞简

IPC: H01L21/02

Abstract: 一种处理方法，包括：将基板定位在处理腔室中并将所述基板的温度设定为50℃至500℃的范围；在所述基板上进行原子层沉积(ALD)循环；以及重复所述ALD循环以形成硅氧化物膜。所述ALD循环包括：通过脉冲氨基硅烷前驱物的流来在所述处理腔室中将所述基板暴露于所述氨基硅烷前驱物；从所述处理腔室净化所述氨基硅烷前驱物；在大于或等于100毫秒至小于或等于3秒的范围内的持续时间内通过脉冲氧化剂的流来将所述基板暴露于所述氧化剂；以及从所述处理腔室净化所述氧化剂。