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公开(公告)号：CN117242586A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202180097706.2
申请日：2021-04-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 迈克尔·丘吉克 , 里亚·索梅斯赫瓦尔 , 丹尼尔·戴永 , 赵莎 , 米歇尔·库里
IPC: H01L33/32
Abstract: 示例性处理方法包括在基板上形成成核层。可通过物理气相沉积(PVD)形成成核层，且物理气相沉积的特征可在于高于或约为700℃的沉积温度。方法可进一步包括在成核层上形成图案化掩模层。图案化掩模层可包括暴露成核层的部分的开口。可在成核层的暴露部分上形成含镓和氮的区域。在其他实施方式中，成核层可包括由夹层分隔的第一及第二部分，该夹层终止成核层中至少一些位错的传播。
