公开(公告)号：CN119855937A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202380064517.4

申请日：2023-09-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 徐翼 ,  赵咸元 ,  亓智敏 ,  张爱西 ,  杰拉尔丁·瓦斯奎兹 ,  吴典晔 ,  雷蔚 ,  高兴尧 ,  谢里什·派斯 ,  侯文婷 ,  杜超 ,  杨宗翰 ,  夫敬皓 ,  林政汉 ,  贾勒帕里·拉维 ,  雷雨 ,  汪荣军 ,  唐先敏

IPC: C23C14/04 ,  C23C14/14 ,  C23C14/58 ,  C23C16/04 ,  C23C16/08 ,  C23C16/455 ,  C23C28/00

Abstract: 提供了一种用于在半导体元件中形成钨特征的方法及设备。方法包括将在基板中形成的特征的顶部开口暴露于物理气相沉积(PVD)工艺以在特征内沉积钨衬垫层。PVD工艺在第一处理腔室的第一处理区域中执行并且钨衬垫层形成部分阻碍特征的顶部开口的悬垂部分。将基板从第一处理腔室的第一处理区域传送到第二处理腔室的第二处理区域而不破坏真空。将悬垂部分暴露于第二处理区域中的含氮自由基以抑制钨沿着悬垂部分的后续生长。将特征暴露于含钨前驱物气体以在特征内的钨衬垫层上方形成钨填充层。