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公开(公告)号：CN113924656B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202080040979.9
申请日：2020-05-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 林永景 , 卡拉·M·伯纳尔·拉莫斯 , 李路平 , 陈世忠 , 杰奎琳·S·阮奇 , 杨逸雄 , 史蒂文·C.H·洪 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 吉田尚美 , 董琳
Abstract: 描述了形成和处理半导体装置的方法。某些实施方式涉及包括偶极区的电子装置，偶极区具有层间电介质、高K介电材料、和偶极层。偶极层包括以下的一者或多者：氮化钛镧(TiLaN)、氮化钛钇(TiYN)、氮化钛锶(TiSrN)、氮化钛镁(TiMgN)、氮化钛铝(TiAlN)、氮化钛钽(TiTaN)、碳化铪(HfC)、氮化铪(HfN)、氮氧化铪(HfON)、碳氧化铪(HfOC)、碳化铪铝(HfCAl)、氮化铪铝(HfAlN)、或氮碳化铪(HfCN)。
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公开(公告)号：CN114080681A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202080038529.6
申请日：2020-05-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 杰奎琳·S·阮奇 , 杨逸雄 , 巫勇 , 薇·V·唐 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 林永景 , 卡拉·M·伯纳尔·拉莫斯 , 陈世忠
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L21/67
Abstract: 讨论了形成存储器结构的方法。具体地，讨论了形成3D NAND器件的方法。一些实施方式形成具有金属氮化物阻挡层、α‑钨层和体金属材料的存储器结构。所述阻挡层包括TiXN或TaXN材料，其中X包括选自铝(Al)、硅(Si)、钨(W)、镧(La)、钇(Yt)、锶(Sr)或镁(Mg)中的一种或多种的金属。
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公开(公告)号：CN113924656A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202080040979.9
申请日：2020-05-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 林永景 , 卡拉·M·伯纳尔·拉莫斯 , 李路平 , 陈世忠 , 杰奎琳·S·阮奇 , 杨逸雄 , 史蒂文·C.H·洪 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 吉田尚美 , 董琳
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 描述了形成和处理半导体装置的方法。某些实施方式涉及包括偶极区的电子装置，偶极区具有层间电介质、高K介电材料、和偶极层。偶极层包括以下的一者或多者：氮化钛镧(TiLaN)、氮化钛钇(TiYN)、氮化钛锶(TiSrN)、氮化钛镁(TiMgN)、氮化钛铝(TiAlN)、氮化钛钽(TiTaN)、碳化铪(HfC)、氮化铪(HfN)、氮氧化铪(HfON)、碳氧化铪(HfOC)、碳化铪铝(HfCAl)、氮化铪铝(HfAlN)、或氮碳化铪(HfCN)。
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