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公开(公告)号:CN102210017A
公开(公告)日:2011-10-05
申请号:CN200980144472.1
申请日:2009-11-05
申请人: 应用材料股份有限公司
发明人: 库赫斯特·索瑞伯基 , 约瑟夫·M·拉内什 , 沃尔夫冈·阿德霍尔德 , 阿伦·M·亨特 , 布莱克·R·凯尔梅尔 , 亚历山大·N·勒纳 , 尼尔·梅里
IPC分类号: H01L21/324 , H01L21/68 , H01L21/683 , H01L21/687
CPC分类号: H01L21/67259 , C23C16/46 , H01L21/324 , H01L21/67115 , H01L21/68 , H01L21/681 , H01L21/6835 , H01L21/68742
摘要: 描述了用于快速热处理平坦基板的方法及装置,其包括使该基板轴向地对准于基板支撑件或对准于依实验判定的位置。该方法及装置包括判定该基板与该基板支撑件的相对定向的传感器系统。
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公开(公告)号:CN102150248A
公开(公告)日:2011-08-10
申请号:CN200980135169.5
申请日:2009-09-09
申请人: 应用材料股份有限公司
IPC分类号: H01L21/324
CPC分类号: F27B17/0025 , F27D5/0037 , F27D21/0014 , H01L21/67109 , H01L21/67115
摘要: 在此提供灯头和利用灯头的设备的实施例。一些实施例中,用于热处理的灯头可包括:整体件,其具有多个冷却剂通道和多个灯通道及多个反射腔,其中各个灯通道设以容纳灯,而各个反射腔经构形以作为反射器或用以接收灯的可替换式反射器,且其中所述多个冷却剂通道配置邻近所述多个灯通道;及至少一热传送件,自整体件延伸进入各个冷却剂通道。一些实施例中,灯头可配置在设备中,所述设备包括具有基材支撑件的处理腔室,其中灯头经配置以提供能量至基材支撑件。
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公开(公告)号:CN101978481A
公开(公告)日:2011-02-16
申请号:CN200980110262.0
申请日:2009-03-25
申请人: 应用材料股份有限公司
IPC分类号: H01L21/324 , H01L21/683 , H01L21/687
CPC分类号: H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/67248
摘要: 公开了在快速热处理过程中达成均匀加热或冷却基板的设备与方法。更明确地说,公开了在快速热处理过程中控制支撑基板的边缘环与/或反射体平板的温度以改善横跨基板的温度均匀性的设备与方法,其包括邻近边缘环以加热或冷却边缘环的热团或平板。
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公开(公告)号:CN102077330A
公开(公告)日:2011-05-25
申请号:CN200980125079.8
申请日:2009-07-09
申请人: 应用材料股份有限公司
发明人: 库赫斯特·索瑞伯基 , 约瑟夫·M·拉内什 , 沃尔夫冈·阿德霍尔德 , 阿伦·M·亨特 , 亚历山大·N·勒纳
IPC分类号: H01L21/324
CPC分类号: H01L21/67109 , C23C16/4404 , C23C16/45512 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45572 , C23C16/4584 , C23C16/481 , F27B17/0025 , H01L21/67098 , H01L21/67115 , H01L21/67167 , H01L21/67207
摘要: 本发明提供用于热处理基板的设备及方法。腔室包括浮置支撑组件,在基板的加热及冷却期间,该支撑组件经配置以将基板定位在离一板为不同距离之处。在一实施例中,板的表面上的复数个开口经配置以跨越基板的径向表面而均匀地分布气体。气体的分布可以将热处理期间未反射回基板的辐射能耦合至板的吸收区域,由此开始基板的冷却。在本发明中所提供的方法及设备允许用于快速热处理基板的可控制的及有效的手段。
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公开(公告)号:CN101911281A
公开(公告)日:2010-12-08
申请号:CN200980102395.3
申请日:2009-01-14
申请人: 应用材料股份有限公司
IPC分类号: H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/205 , H01L21/324
CPC分类号: H01L21/67115 , H01L21/6838 , H01L21/68742 , H01L21/68785 , H01L21/68792
摘要: 本发明的实施例涵盖处理期间用来支撑、定位及旋转基板的方法、设备和系统。本发明的实施例还包括控制处理腔室内基板与基板支撑件间的传热的方法。在一或多个处理步骤期间,例如快速热处理(RTP)工艺、化学汽相沉积(CVD)工艺、物理汽相沉积(PVD)工艺、原子层沉积(ALD)工艺、干法蚀刻工艺、湿式清洁工艺及/或激光退火处理,所述设备和方法不需复杂、昂贵又常不可靠的组件来正确定位及旋转基板。
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公开(公告)号:CN101663101A
公开(公告)日:2010-03-03
申请号:CN200880012921.2
申请日:2008-05-08
申请人: 应用材料股份有限公司
IPC分类号: B05C13/00
CPC分类号: H01L21/6838 , H01L21/67115
摘要: 提供支撑、定位及旋转基板的设备与方法。一实施例中,支撑基板的支撑组件包括上底板与下底板。基板浮动于上底板上方的气体薄层上。定位组件包括多个空气轴承边缘辊或气流气穴,用于以要求的方向在上底板上方内定位基板。多个斜向穿孔或气流气穴设于上底板中以让气体流过好旋转基板以确保处理过程的均匀加热。
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公开(公告)号:CN101207010A
公开(公告)日:2008-06-25
申请号:CN200710163593.3
申请日:2007-10-12
申请人: 应用材料股份有限公司
IPC分类号: H01L21/00 , H01L21/683
CPC分类号: H01L21/67098 , C30B31/14 , H01L21/30 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L22/10 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要: 本发明描述了一种用于热处理衬底的方法和装置。该装置包括配置为通过磁驱动线性移动和/或旋转移动的衬底支架。该衬底支架还配置为接收辐射热源在腔室的一部分中提供加热区。包括冷却板的有源冷却区与加热区相对设置。衬底可以在该两个区域之间移动以便于衬底的快速可控加热和冷却。
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