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公开(公告)号：CN1319146C
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN02821269.X
申请日：2002-10-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , C23C16/44 , C23C16/455
CPC classification number: H01L21/76843 , C23C16/4411 , C23C16/45508 , C23C16/45512 , C23C16/45525 , C23C16/45563 , C23C16/45582 , H01L21/28562 , H01L21/76871
Abstract: 本发明提供了一种用于在衬底上形成金属互连的方法。一方面，本方法包括沉积含难熔金属的阻挡层，所述阻挡层的厚度小于2nm使得其呈现类晶体结构，并足以抑制至少一部分金属层上的原子迁移；通过交替地引入一次或多次含金属化合物的脉冲和一次或多次含氮化合物的脉冲，在至少一部分阻挡层上沉积晶种层；并在至少一部分晶种层上沉积第二金属层来生成互连。
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公开(公告)号：CN100524692C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200710101714.1
申请日：2002-10-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/28562 , C23C16/34 , C23C16/4411 , C23C16/4412 , C23C16/45504 , C23C16/45508 , C23C16/45512 , C23C16/45525 , C23C16/45544 , C23C16/45563 , C23C16/45582 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76871
Abstract: 本发明提供了一种用于在衬底上形成金属互连的方法。一方面，本方法包括沉积含难熔金属的阻挡层，所述阻挡层的厚度小于2nm使得其呈现类晶体结构，并足以抑制至少一部分金属层上的原子迁移；通过交替地引入一次或多次含金属化合物的脉冲和一次或多次含氮化合物的脉冲，在至少一部分阻挡层上沉积晶种层；并在至少一部分晶种层上沉积第二金属层来生成互连。
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公开(公告)号：CN101174577A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710101714.1
申请日：2002-10-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/28562 , C23C16/34 , C23C16/4411 , C23C16/4412 , C23C16/45504 , C23C16/45508 , C23C16/45512 , C23C16/45525 , C23C16/45544 , C23C16/45563 , C23C16/45582 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76871
Abstract: 本发明提供了一种用于在衬底上形成金属互连的方法。一方面，本方法包括沉积含难熔金属的阻挡层，所述阻挡层的厚度小于2nm使得其呈现类晶体结构，并足以抑制至少一部分金属层上的原子迁移；通过交替地引入一次或多次含金属化合物的脉冲和一次或多次含氮化合物的脉冲，在至少一部分阻挡层上沉积晶种层；并在至少一部分晶种层上沉积第二金属层来生成互连。
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公开(公告)号：CN1575517A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN02821269.X
申请日：2002-10-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , C23C16/44 , C23C16/455
CPC classification number: H01L21/76843 , C23C16/4411 , C23C16/45508 , C23C16/45512 , C23C16/45525 , C23C16/45563 , C23C16/45582 , H01L21/28562 , H01L21/76871
Abstract: 本发明提供了一种用于在衬底上形成金属互连的方法。一方面，本方法包括沉积含难熔金属的阻挡层，所述阻挡层的厚度小于2nm使得其呈现类晶体结构，并足以抑制至少一部分金属层上的原子迁移；通过交替地引入一次或多次含金属化合物的脉冲和一次或多次含氮化合物的脉冲，在至少一部分阻挡层上沉积晶种层；并在至少一部分晶种层上沉积第二金属层来生成互连。
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