用于清洁INGAAS(或III-V族)基板的方法和解决方案

    公开(公告)号:CN108369894A

    公开(公告)日:2018-08-03

    申请号:CN201680070844.0

    申请日:2016-11-01

    Inventor: 春·燕 鲍新宇

    Abstract: 本文所述的实施方式大体涉及针对在III-V族沟道材料的外延生长之前清洁基板的改善的方法和解决方案。使用第一处理气体以从基板表面移除原生氧化物层,第一处理气体包括惰性气体和氢源。随后使用第二处理气体Ar/Cl2/H2以在基板表面上产生反应性表面层。最后,使用第三处理气体进行氢烘烤(hydrogen bake)以从基板表面移除反应性层,第三处理气体包括氢源和胂源。

    用于在低于7纳米CMOS制造中控制砷脱气的紫外线辐射系统与方法

    公开(公告)号:CN109643638B

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN201780050599.1

    申请日:2017-01-27

    Abstract: 本文公开的实施方式涉及用于在外延处理之后,控制有害气体的基板脱气的方法。在一个实施方式中,方法包含将包含外延层的基板提供入移送腔室,其中移送腔室具有设置为邻接移送腔室的顶板的紫外线(UV)灯模块,使含氧气体经过移送腔室的气体线流入移送腔室,使不反应气体经过移送腔室的气体线流入移送腔室,启用UV灯模块以将在基板的表面上的残留物或物质氧化以在基板的表面上形成脱气阻挡层,使含氧气体与含氮气体停止流入移送腔室,泵送移送腔室,以及停用UV灯模块。

    用于清洁INGAAS(或III-V族)基板的方法和解决方案

    公开(公告)号:CN108369894B

    公开(公告)日:2019-10-15

    申请号:CN201680070844.0

    申请日:2016-11-01

    Inventor: 春·燕 鲍新宇

    Abstract: 本文所述的实施方式大体涉及针对在III‑V族沟道材料的外延生长之前清洁基板的改善的方法和解决方案。使用第一处理气体以从基板表面移除原生氧化物层,第一处理气体包括惰性气体和氢源。随后使用第二处理气体Ar/Cl2/H2以在基板表面上产生反应性表面层。最后,使用第三处理气体进行氢烘烤(hydrogen bake)以从基板表面移除反应性层,第三处理气体包括氢源和胂源。

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