公开(公告)号：CN107208262A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201580063083.1

申请日：2015-10-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 刘凤全 ,  张镁 ,  戴维·汤普森

IPC: C23C16/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/18 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458

Abstract: 描述了选择性地沉积金属在金属表面上相对于在介电表面上的方法。方法包括将金属氧化物表面还原成金属表面且保护介电表面以将介电表面上的沉积予以最小化及暴露基板于金属前驱物和醇类以沉积膜。

公开(公告)号：CN116783325A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202280009881.6

申请日：2022-01-10

Applicant: 应用材料公司 ,  新加坡国立大学

Inventor： 安德里亚•列奥尼 ,  保罗·梅尔曼 ,  尼曼贾·多德维克 ,  韩荣•胡恩 ,  多琳•卫英•勇 ,  马克•沙丽 ,  巴斯卡尔•乔蒂•布雅 ,  刘凤全

IPC: C23C16/30

Abstract: 描述了钼(VI)配位络合物。描述了用于在基板上沉积含钼膜的方法。将所述基板暴露于钼前驱物和反应物以形成所述含钼膜(例如，元素钼、氧化钼、碳化钼、硅化钼、氮化钼)。所述暴露可以是顺序的或同时的。

公开(公告)号：CN107208262B

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201580063083.1

申请日：2015-10-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 刘凤全 ,  张镁 ,  戴维·汤普森

IPC: C23C16/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/18 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458

Abstract: 描述了选择性地沉积金属在金属表面上相对于在介电表面上的方法。方法包括将金属氧化物表面还原成金属表面且保护介电表面以将介电表面上的沉积予以最小化及暴露基板于金属前驱物和醇类以沉积膜。