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公开(公告)号：CN107636374B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201680026558.4
申请日：2016-04-06
Applicant: 应用材料公司
IPC: F16L11/15 , C23C16/44 , F16K41/10 , H01J37/32 , H01L21/687
Abstract: 本文所描述的实现方式可保护腔室部件免遭高温下使用的腐蚀性清洁气体腐蚀。在一个实施方式中，腔室部件包括至少一波纹管，此波纹管包括通过管状折形接头结构耦接至底部安装凸缘的顶部安装凸缘。在至少管状折形接头结构的外表面上设置涂层。涂层包括聚四氟乙烯、聚一氯对二甲苯、聚二氯对二甲苯、类金刚石碳(DLC)、氧化钇稳定的氧化锆、镍、氧化铝或铝硅镁钇氧复合物的至少一个。在一个实施方式中，腔室部件是具有内部波纹管的阀门。
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公开(公告)号：CN111508811A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010242936.0
申请日：2016-11-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本文所公开的实施方式大致涉及一种等离子体处理腔室和用于发弧事件的检测设备。在一个实施方式中，本文公开一种发弧检测设备。发弧检测设备包含探针、检测电路和数据记录系统。探针定位为部分地暴露于等离子体处理腔室的内部空间。检测电路配置成从探针接收模拟信号并且输出按比例缩放在模拟信号中呈现的事件的输出信号。数据记录系统经通信耦合以从检测电路接收输出信号。数据记录系统配置成跟踪内部空间中发生的发弧事件。
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公开(公告)号：CN108292582B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201680068256.3
申请日：2016-11-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本文所公开的实施方式大致涉及一种等离子体处理腔室和用于发弧事件的检测设备。在一个实施方式中，本文公开一种发弧检测设备。发弧检测设备包含探针、检测电路和数据记录系统。探针定位为部分地暴露于等离子体处理腔室的内部空间。检测电路配置成从探针接收模拟信号并且输出按比例缩放在模拟信号中呈现的事件的输出信号。数据记录系统经通信耦合以从检测电路接收输出信号。数据记录系统配置成跟踪内部空间中发生的发弧事件。
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公开(公告)号：CN108292588B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201680025485.7
申请日：2016-10-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/687 , H01L21/683 , H01L21/205
Abstract: 本文中所述的实施方式涉及用以减少(例如在HDP‑CVD、PECVD、PE‑ALD及蚀刻腔室中)腔室电弧放电的装置及涂覆方法。所述装置包括用于涂覆材料的原位沉积的环形气体分配器，及包括环形气体分配器的处理腔室。所述环形气体分配器包括环形主体，所述环形主体具有设置于环形主体的第一侧面上的至少一个气体进口及设置在环形主体的第一表面上的多个气体分配口。所述多个气体分配口被布置在多个均匀分布的行中。所述多个均匀分布的行的第一行中的多个气体分配口被调适为以与多个均匀分布的行的第二行中的多个气体分布口的出口角不同的出口角引导气体。
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公开(公告)号：CN111727499A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201980013792.7
申请日：2019-01-11
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文中的实施方式提供监测流体输送管道和其他部件的温度的方法和与所述方法相关的监测系统，所述流体输送管道用于将流体输送到在电子装置制造中使用的处理腔室的处理空间，所述其他部件在处理腔室的处理空间外部。在一个实施方式中，一种监测处理系统的方法包括以下步骤：经由数据采集装置接收来自一个或多个温度传感器的温度信息，和接收来自系统控制器的背景信息，所述系统控制器耦接至包括处理腔传达室的处理系统。在此，一个或多个温度传感器设置在处理腔室的处理空间外部的一个或多个位置中。背景信息与由系统控制器执行以控制处理系统的一个或多个操作的指令相关。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114551206A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210097874.8
申请日：2016-10-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/505 , C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/40
Abstract: 本文中所述的实施方式涉及用以减少(例如在HDP‑CVD、PECVD、PE‑ALD及蚀刻腔室中)腔室电弧放电的装置及涂覆方法。所述装置包括用于涂覆材料的原位沉积的环形气体分配器，及包括环形气体分配器的处理腔室。所述环形气体分配器包括环形主体，所述环形主体具有设置于环形主体的第一侧面上的至少一个气体进口及设置在环形主体的第一表面上的多个气体分配口。所述多个气体分配口被布置在多个均匀分布的行中。所述多个均匀分布的行的第一行中的多个气体分配口被调适为以与多个均匀分布的行的第二行中的多个气体分布口的出口角不同的出口角引导气体。
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公开(公告)号：CN108292588A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680025485.7
申请日：2016-10-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/687 , H01L21/683 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4558 , C23C16/34 , C23C16/403 , C23C16/4404 , C23C16/45536 , C23C16/45544 , C23C16/505 , C23C16/507 , H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: 本文中所述的实施方式涉及用以减少(例如在HDP-CVD、PECVD、PE-ALD及蚀刻腔室中)腔室电弧放电的装置及涂覆方法。所述装置包括用于涂覆材料的原位沉积的环形气体分配器，及包括环形气体分配器的处理腔室。所述环形气体分配器包括环形主体，所述环形主体具有设置于环形主体的第一侧面上的至少一个气体进口及设置在环形主体的第一表面上的多个气体分配口。所述多个气体分配口被布置在多个均匀分布的行中。所述多个均匀分布的行的第一行中的多个气体分配口被调适为以与多个均匀分布的行的第二行中的多个气体分布口的出口角不同的出口角引导气体。
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公开(公告)号：CN108140551A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680058670.6
申请日：2016-10-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/683
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/458 , C23C16/50 , C23C16/5096 , H01J37/32899 , H01L21/67161 , H01L21/6719 , H01L21/67196 , H01L21/67201
Abstract: 本揭示案的实施方式大体涉及用于处理半导体基板的群集工具。在一个实施方式中，群集工具包含多个处理腔室，所述多个处理腔室连接至传送腔室，且每一处理腔室可同时处理四个或更多个基板。为了降低成本，每一处理腔室包含：基板支撑件，用于支撑四个或更多个基板；单一喷淋头，所述喷淋头设置于所述基板支撑件之上；及电气地耦接至所述喷淋头的单一射频电源。所述喷淋头可包含面对基板支撑件的第一表面及与第一表面相对的第二表面。多个气体通路可形成在喷淋头中且从第一表面延伸至第二表面。通过从喷淋头中央至喷淋头边缘增加气体通路的密度而改良处理均匀性。
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公开(公告)号：CN111727499B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN201980013792.7
申请日：2019-01-11
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文中的实施方式提供监测流体输送管道和其他部件的温度的方法和与所述方法相关的监测系统，所述流体输送管道用于将流体输送到在电子装置制造中使用的处理腔室的处理空间，所述其他部件在处理腔室的处理空间外部。在一个实施方式中，一种监测处理系统的方法包括以下步骤：经由数据采集装置接收来自一个或多个温度传感器的温度信息，和接收来自系统控制器的背景信息，所述系统控制器耦接至包括处理腔传达室的处理系统。在此，一个或多个温度传感器设置在处理腔室的处理空间外部的一个或多个位置中。背景信息与由系统控制器执行以控制处理系统的一个或多个操作的指令相关。
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公开(公告)号：CN108292582A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680068256.3
申请日：2016-11-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本文所公开的实施方式大致涉及一种等离子体处理腔室和用于发弧事件的检测设备。在一个实施方式中，本文公开一种发弧检测设备。发弧检测设备包含探针、检测电路和数据记录系统。探针定位为部分地暴露于等离子体处理腔室的内部空间。检测电路配置成从探针接收模拟信号并且输出按比例缩放在模拟信号中呈现的事件的输出信号。数据记录系统经通信耦合以从检测电路接收输出信号。数据记录系统配置成跟踪内部空间中发生的发弧事件。
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