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公开(公告)号：CN117062939A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202280022451.8
申请日：2022-02-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 尼廷·迪帕克 , 加亚特里•纳图 , 阿尔伯特·巴雷特·希克斯 , 普雷纳·桑塔利亚·戈拉迪亚 , 詹妮弗•Y•孙
IPC: C23C16/455
Abstract: 提供了形成金属氟氧化物膜的方法。将基板放置在具有处理区的原子层沉积(ALD)腔室中。将含锆气体、锆前驱物气体(例如，三(二甲基氨基)环戊二烯基锆)、含氧气体、含氟气体和钇前驱物(例如，三(丁基环戊二烯基)钇气体的流递送到所述处理区，其中形成金属氟氧化物膜，诸如氟氧化钇锆膜。
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