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公开(公告)号:CN114207482B
公开(公告)日:2024-02-09
申请号:CN202080053854.X
申请日:2020-05-19
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 提供了一种成像系统和一种制造超透镜阵列的方法。所述成像系统包括超透镜阵列,并且从对象散射的光被所述超透镜阵列分割,使得在观察者面前形成图像。所述超透镜阵列对可见光是至少部分地透明的,使得所述观察者也可看到环境。制造所述超透镜阵列的所述方法包括将多个基板粘结在一起,并且将所述多个基板切割成超透镜阵列。所述超透镜阵列可用于所述成像系统中。
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公开(公告)号:CN119767820A
公开(公告)日:2025-04-04
申请号:CN202411817242.X
申请日:2019-02-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H10F39/12 , G03F7/00 , H10H20/855 , H01S5/0225
Abstract: 此处系统及方法相关于使用硅晶圆、玻璃、或如基板的装置来形成光学装置,所述光学装置包含堆叠的光学元件层。可在暂时或永久基板上制造此处所讨论的光学元件。在一些范例中,制造光学装置以包含透明基板或装置,所述装置包含电荷耦合装置(CCD)、或互补式金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器、发光二极管(LED)、微LED(μLED)显示器、有机发光二极管(OLED)或垂直腔表面发光激光器(VCSEL)。光学元件可在光学元件层之间形成夹层,夹层的厚度范围可为1nm至3mm。
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公开(公告)号:CN112041710A
公开(公告)日:2020-12-04
申请号:CN201980028904.6
申请日:2019-02-26
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 塔帕什里·罗伊 , 罗格·梅耶·蒂默曼·蒂杰森 , 罗伯特·简·维瑟
Abstract: 本文描述的实施方式涉及具有亚波长尺寸的纳米结构的透反射滤光器。在一个实施方式中,所述透反射滤光器包括膜堆叠,所述膜堆叠透射一波长范围内的过滤光,并反射不在第一波长范围内的光。所述膜堆叠包括:第一金属膜,设置在基板上,具有第一厚度;第一介电膜,设置在所述第一金属膜上,具有第二厚度;第二金属膜,设置在所述第一介电膜上,具有第三厚度;和第二介电膜,设置在所述第二金属膜上,具有第四厚度。
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公开(公告)号:CN112041710B
公开(公告)日:2022-07-19
申请号:CN201980028904.6
申请日:2019-02-26
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 塔帕什里·罗伊 , 罗格·梅耶·蒂默曼·蒂杰森 , 罗伯特·简·维瑟
Abstract: 本文描述的实施方式涉及具有亚波长尺寸的纳米结构的透反射滤光器。在一个实施方式中,所述透反射滤光器包括膜堆叠,所述膜堆叠透射一波长范围内的过滤光,并反射不在第一波长范围内的光。所述膜堆叠包括:第一金属膜,设置在基板上,具有第一厚度;第一介电膜,设置在所述第一金属膜上,具有第二厚度;第二金属膜,设置在所述第一介电膜上,具有第三厚度;和第二介电膜,设置在所述第二金属膜上,具有第四厚度。
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公开(公告)号:CN112020770A
公开(公告)日:2020-12-01
申请号:CN201980028149.1
申请日:2019-02-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/027 , H01L21/52 , H01L33/00 , H01L27/146 , G03F7/00
Abstract: 此处系统及方法相关于使用硅晶圆、玻璃、或如基板的装置来形成光学装置,所述光学装置包含堆叠的光学元件层。可在暂时或永久基板上制造此处所讨论的光学元件。在一些范例中,制造光学装置以包含透明基板或装置,所述装置包含电荷耦合装置(CCD)、或互补式金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器、发光二极管(LED)、微LED(uLED)显示器、有机发光二极管(OLED)或垂直腔表面发光激光器(VCSEL)。光学元件可在光学元件层之间形成夹层,夹层的厚度范围可为1nm至3mm。
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公开(公告)号:CN112020770B
公开(公告)日:2024-12-27
申请号:CN201980028149.1
申请日:2019-02-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/027 , H01L21/52 , H01L33/00 , H01L27/146 , G03F7/00
Abstract: 此处系统及方法相关于使用硅晶圆、玻璃、或如基板的装置来形成光学装置,所述光学装置包含堆叠的光学元件层。可在暂时或永久基板上制造此处所讨论的光学元件。在一些范例中,制造光学装置以包含透明基板或装置,所述装置包含电荷耦合装置(CCD)、或互补式金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器、发光二极管(LED)、微LED(μLED)显示器、有机发光二极管(OLED)或垂直腔表面发光激光器(VCSEL)。光学元件可在光学元件层之间形成夹层,夹层的厚度范围可为1nm至3mm。
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公开(公告)号:CN113728250B
公开(公告)日:2023-06-06
申请号:CN202080031521.7
申请日:2020-02-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 塔帕什里·罗伊 , 罗格·梅耶·蒂默曼·蒂杰森
IPC: G02B1/00
Abstract: 本公开内容的实施方式大体上涉及形成光学器件的方法,光学器件包含设置在透明基板上的纳米结构。提供基板作为用于形成光学器件的底座。透明层设置在基板的第一表面上,以及结构层设置在透明表面上。氧化物层设置在基板的与第一表面相反的第二表面上,以及在氧化物层中形成窗口或开口,以暴露出基板的第二表面的一部分。接着,在结构层中形成多个纳米结构,以及移除基板的从窗口延伸至透明层的部分。然后,使透明层的一部分与基板分离以形成光学器件,透明层的该部分具有设置在其上的纳米结构。
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公开(公告)号:CN114207482A
公开(公告)日:2022-03-18
申请号:CN202080053854.X
申请日:2020-05-19
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 提供了一种成像系统和一种制造超透镜阵列的方法。所述成像系统包括超透镜阵列,并且从对象散射的光被所述超透镜阵列分割,使得在观察者面前形成图像。所述超透镜阵列对可见光是至少部分地透明的,使得所述观察者也可看到环境。制造所述超透镜阵列的所述方法包括将多个基板粘结在一起,并且将所述多个基板切割成超透镜阵列。所述超透镜阵列可用于所述成像系统中。
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公开(公告)号:CN114051485A
公开(公告)日:2022-02-15
申请号:CN202080048619.3
申请日:2020-06-16
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文描述的实施方式涉及扁平光学器件和形成扁平光学器件的方法。一个实施方式包括基板,该基板具有在其上形成的第一多个支柱的第一布置。第一多个支柱的第一布置包括具有高度h和横向距离d的支柱,以及与第一多个支柱中的相邻支柱之间的距离相对应的间隙g。间隙g与高度h的深宽比在约1:1和约1:20之间。第一封装层设置在第一多个支柱的第一布置上。第一封装层的折射率为约1.0至约1.5。第一封装层、基板与第一布置的每个支柱在它们之间界定第一空间。第一空间的折射率为约1.0至约1.5。
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公开(公告)号:CN119654706A
公开(公告)日:2025-03-18
申请号:CN202380060798.6
申请日:2023-08-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/68 , G06N20/00
Abstract: 一种方法,包括通过处理装置接收由基板处理系统的第一传感器产生的第一数据。第一数据响应于第一传感器接收到来自由基板处理系统中的传送腔室的机器人手臂保持的基板的电磁辐射而产生。该方法进一步包括处理第一数据以获得第二数据。第二数据包括基板处理系统的性能的第一指示。该方法进一步包括鉴于第二数据来促使与基板处理系统相关联的校正动作的执行。
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