公开(公告)号：CN101106142A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200710146458.8

申请日：2007-06-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申暻周 ,  周振豪 ,  金彰洙 ,  昔俊亨 ,  张元基 ,  林淳权 ,  金时烈 ,  金湘甲 ,  梁成勋 ,  蔡钟哲 ,  金镇奭 ,  柳慧英

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/133

Abstract: 一种显示基板，包括TFT层、钝化层、有机层、无机绝缘层和像素电极。该TFT层包括栅极线和数据线、薄膜晶体管和存储电极。该数据线与该栅极线相交叉，并通过栅绝缘层与该栅极线电绝缘。该TFT电连接至该栅极线和数据线。该钝化层覆盖住该TFT层。该有机层在该钝化层上。该低温沉积的无机绝缘层在该有机层上，并且该低温为约100℃至约250℃。该像素电极在该无机绝缘层上，以通过穿过该无机绝缘层、有机层和钝化层形成的接触孔电连接至该TFT。该无机绝缘层有助于阻挡来自该有机层的杂质泄漏到该无机绝缘层上方的层中。本发明还涉及一种显示基板的制造方法和一种具有该显示基板的显示装置。

公开(公告)号：CN1976044A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610140028.0

申请日：2006-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金周汉 ,  林淳权 ,  朴弘植 ,  金時烈 ,  李殷国 ,  裴良浩 ,  李炳珍 ,  郑钟铉 ,  洪瑄英 ,  金俸均 ,  申原硕 ,  康盛旭

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768

Abstract: 一种薄膜晶体管阵列面板，包括：像素电极，形成在基板上；栅极线，形成在像素电极上；栅极绝缘薄膜，形成在栅极线上；半导体，形成在栅极绝缘薄膜上；数据线和漏电极，形成在栅极绝缘薄膜上；以及钝化层，形成在数据线和漏电极的部分上。栅极线包括与像素电极形成在相同层上并且具有相同材料的第一薄膜以及形成在第一薄膜上的第二薄膜。

公开(公告)号：CN101226901A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200710300775.0

申请日：2007-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李殷国 ,  金度贤 ,  郑敞午 ,  李制勋 ,  林淳权

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L27/12 ,  H01L23/532 ,  H01L29/786 ,  H01L29/43 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管基板及其制造方法。制造薄膜晶体管基板的方法包括在基板上形成包括栅极线、栅电极和下部栅极垫片电极的第一导电图形组，在其上形成有该第一导电图形组的基板上形成栅极绝缘层，在该栅极绝缘层上形成与该栅电极重叠的氧化物半导体图形，以及在其上形成有该氧化物半导体图形的基板上形成第一导电层和第二导电层，并且图形化该第一导电层和第二导电层以形成第二导电图形组，其包括数据线、源电极、漏电极和数据垫片。