公开(公告)号：CN101063755B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200710100846.2

申请日：2007-04-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金彰洙 ,  金湘甲

IPC: G02F1/13 ,  G03F7/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214

Abstract: 在形成金属线的方法和制造显示基板的方法中，沟道层和金属层连续地形成在基板上。光致抗蚀剂图案形成在布线区域。利用光致抗蚀剂图案蚀刻金属层以形成金属线。移除预定厚度的光致抗蚀剂图案以在金属线上形成残留的光致抗蚀剂图案。利用金属线蚀刻沟道层以形成位于金属线下面的底切。利用残留的光致抗蚀剂图案移除金属线的突起部分。突起部分相对于地突出于底切的形成构造。因此，增加了开口率，防止了余像并提高了显示质量。

公开(公告)号：CN1828914B

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN200610057753.1

申请日：2006-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金彰洙 ,  金湘甲 ,  秦洪基 ,  吴旼锡 ,  崔熙焕 ,  金时烈

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括栅极线、与栅极线交叉的数据线、与栅极线和数据线分离的存储电极、连接至栅极线和数据线并具有漏电极的薄膜晶体管、连接至漏电极的像素电极、位于薄膜晶体管之上并设置在像素电极下的第一绝缘层、以及设置在第一绝缘层上并具有用于露出存储电极上第一绝缘层的开口的第二绝缘层。

公开(公告)号：CN1897285B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610098474.X

申请日：2006-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金湘甲 ,  李禹根 ,  金时烈 ,  周振豪 ,  金彰洙 ,  皇甫尙佑 ,  吴旼锡 ,  柳慧英 ,  秦洪基

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F2001/13629 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，包括：在基板上形成栅极线；在该栅极线上形成栅极绝缘层、半导体层和欧姆接触；在该欧姆接触上形成含Mo的第一导电膜、含Al的第二导电膜和含Mo的第三导电膜；在该第三导电膜上形成第一光刻胶图样；使用该第一光刻胶图样作为掩模，蚀刻第一、第二和第三导电膜、欧姆接触、以及半导体层；将该第一光刻胶图样除去预定厚度，以便形成第二光刻胶图样；使用该第二光刻胶图样作为掩模，蚀刻该第一、第二和第三导电膜，以便暴露欧姆接触的一部分；以及使用含Cl气体和含F气体蚀刻暴露的欧姆接触。

公开(公告)号：CN101211044A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200710306095.X

申请日：2007-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申暻周 ,  金时烈 ,  流慧营 ,  郑美惠 ,  金彰洙 ,  姜秀馨

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1343 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明公开了一种显示基板，包括：栅极线、栅极绝缘层、数据线、薄膜晶体管(TFT)、存储线、钝化层、滤色片层、像素电极、第一阻光层以及第二阻光层。存储线包含与栅极线相同的材料。钝化层覆盖数据线。滤色片层形成于钝化层上。像素电极形成于每个像素中的滤色片层上。第一阻光层形成于相邻像素电极之间，并包含与栅极线相同的材料。第二阻光层形成于第一阻光层之间，并包含与数据线相同的材料。因此，可减小孔径比。

公开(公告)号：CN101106142A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200710146458.8

申请日：2007-06-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申暻周 ,  周振豪 ,  金彰洙 ,  昔俊亨 ,  张元基 ,  林淳权 ,  金时烈 ,  金湘甲 ,  梁成勋 ,  蔡钟哲 ,  金镇奭 ,  柳慧英

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/133

Abstract: 一种显示基板，包括TFT层、钝化层、有机层、无机绝缘层和像素电极。该TFT层包括栅极线和数据线、薄膜晶体管和存储电极。该数据线与该栅极线相交叉，并通过栅绝缘层与该栅极线电绝缘。该TFT电连接至该栅极线和数据线。该钝化层覆盖住该TFT层。该有机层在该钝化层上。该低温沉积的无机绝缘层在该有机层上，并且该低温为约100℃至约250℃。该像素电极在该无机绝缘层上，以通过穿过该无机绝缘层、有机层和钝化层形成的接触孔电连接至该TFT。该无机绝缘层有助于阻挡来自该有机层的杂质泄漏到该无机绝缘层上方的层中。本发明还涉及一种显示基板的制造方法和一种具有该显示基板的显示装置。

公开(公告)号：CN1550827A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410031865.0

申请日：2004-03-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘永勋 ,  金彰洙 ,  柳慧英

IPC: G02F1/133

CPC classification number: G02F1/1339 ,  G02F1/133516 ,  G02F1/1345

Abstract: 本发明公开了一种液晶显示装置及其制造方法，该装置包括一第一基板、制在第一基板上的一公共电极、以及一第二基板，其中的第二基板被布置成与第一基板相对置。一公共电压施加构件向公共电极施加一公共电压，并保持着第一基板与第二基板之间的一液晶盒间隙。公共电压施加构件包括一绝缘体以及制在该绝缘体上的一导体。

公开(公告)号：CN101304034B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200810127753.3

申请日：2008-02-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申暻周 ,  金彰洙 ,  蔡钟哲

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1362 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: G02F1/136213 ,  G02F2001/136222

Abstract: 本发明涉及显示基板、具有其的显示装置及其制造方法。一种显示基板包括薄膜晶体管(TFT)层、滤色层和形成在基板上的像素电极。该TFT层包括栅极线、与栅极线电绝缘并沿不同于栅极线的方向延伸的数据线、电连接到栅极线和数据线的TFT、和由与栅极线相同的层在每个像素中形成的存储电极。该滤色层包括延伸到TFT层对应于存储电极的部分的存储孔。该存储孔具有大于存储电极的水平横截面面积，其中在平行于基板的平面中测量该水平横截面面积。该像素电极形成在滤色层上和存储孔中以与存储电极一起形成存储电容器。

公开(公告)号：CN1575525B

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN02820938.9

申请日：2002-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金彰洙 ,  孔香植 ,  朴旻昱 ,  全相镇

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  G02F1/133

CPC classification number: G02F1/13458 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136236 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明涉及一种制造用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列基片的方法。在该方法中，在基片上形成包括栅极线、栅极、和栅极衬垫的横向栅极布线。然后，形成栅极绝缘层，在其上部顺次形成半导体层及欧姆接触层。接着，将导电层沉积在基片上，并制作布线图案形成包括与栅极线交叉的数据线、源极、漏极、和数据衬垫的数据布线。接着，将保护层和有机绝缘层沉积在基片上。将有机绝缘层进行曝光和显像，从而形成分别露出漏极、栅极衬垫、及数据衬垫上部保护层的接触孔。接着，将有机绝缘层作为掩膜蚀刻露出的保护层，露出漏极、栅极衬垫以及数据衬垫。接着，通过固化收缩或回流有机绝缘层，以便在接触区域除去底切结构。在固化步骤之前抛光有机绝缘层。接着，将ITO或IZO沉积在有机绝缘层上，并制作布线图案以形成分别与漏极、栅极衬垫、及数据衬垫连接的像素电极、辅助栅极衬垫及辅助数据衬垫。

公开(公告)号：CN101127358B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200710142674.5

申请日：2007-08-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳慧英 ,  金彰洙 ,  姜秀馨

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1362

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F2001/136222 ,  H01L27/3258

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管基板及其制造方法和具有其的显示设备。在薄膜晶体管(TFT)基板中，栅极绝缘层布置于电连接到栅极线的栅电极上。半导体层设置于栅极绝缘层上。源电极电连接到与栅极线相交的数据线。漏电极面对源电极并界定半导体层的沟道区域。有机层设置于数据线上并具有暴露沟道区域的第一开口。无机绝缘层设置于有机层上。像素电极设置于无机绝缘层上且电连接到漏电极。无机绝缘层覆盖第一开口，且无机绝缘层的厚度基本均匀。

公开(公告)号：CN101676783A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200910177895.5

申请日：2009-08-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白承洙 ,  李成荣 ,  金东奎 ,  金彰洙

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/133 ,  H01L27/02 ,  H01L21/82

CPC classification number: G02F1/1345 ,  G02F1/136209

Abstract: 一种薄膜晶体管(TFT)阵列面板包括：基板，包括显示和周围区域；设置在显示区域的显示区域信号线和显示区域TFT，显示区域TFT连接到显示区域信号线；多个周围区域信号线；光阻挡部件，设置在显示区域信号线、显示区域TFT以及周围区域信号线上；透明连接器，通过穿过光阻挡部件的接触孔连接周围区域信号线中的一个和周围区域信号线中的另一个；像素电极，连接到显示区域TFT；间隔体，设置在光阻挡部件上方的层上；以及光阻辅助部件，在透明连接器上，由与间隔体同样的材料组成，该光阻辅助部件至少覆盖该至少一个接触孔。