公开(公告)号：CN101655624A

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200910162935.9

申请日：2009-08-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩京泰 ,  李成荣 ,  孔香植 ,  柳世桓 ,  梁丙德 ,  姜秀馨 ,  田京叔

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/1345 ,  G02F1/1343 ,  G02F2001/133388

Abstract: 本发明提供一种液晶显示器及其制造方法。该液晶显示器能够降低非显示区域的杂散电容。该液晶显示器包括：第一基板；栅极线和数据线，在第一基板上彼此交叉从而限定像素；第二基板，与第一基板相对设置；公共电极，形成在第二基板的显示图像的显示区域中；以及浮置电极，形成在第二基板的不显示图像的非显示区域中。

公开(公告)号：CN101211044A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200710306095.X

申请日：2007-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申暻周 ,  金时烈 ,  流慧营 ,  郑美惠 ,  金彰洙 ,  姜秀馨

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1343 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明公开了一种显示基板，包括：栅极线、栅极绝缘层、数据线、薄膜晶体管(TFT)、存储线、钝化层、滤色片层、像素电极、第一阻光层以及第二阻光层。存储线包含与栅极线相同的材料。钝化层覆盖数据线。滤色片层形成于钝化层上。像素电极形成于每个像素中的滤色片层上。第一阻光层形成于相邻像素电极之间，并包含与栅极线相同的材料。第二阻光层形成于第一阻光层之间，并包含与数据线相同的材料。因此，可减小孔径比。

公开(公告)号：CN101127358B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200710142674.5

申请日：2007-08-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳慧英 ,  金彰洙 ,  姜秀馨

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1362

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F2001/136222 ,  H01L27/3258

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管基板及其制造方法和具有其的显示设备。在薄膜晶体管(TFT)基板中，栅极绝缘层布置于电连接到栅极线的栅电极上。半导体层设置于栅极绝缘层上。源电极电连接到与栅极线相交的数据线。漏电极面对源电极并界定半导体层的沟道区域。有机层设置于数据线上并具有暴露沟道区域的第一开口。无机绝缘层设置于有机层上。像素电极设置于无机绝缘层上且电连接到漏电极。无机绝缘层覆盖第一开口，且无机绝缘层的厚度基本均匀。

公开(公告)号：CN101562189A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200810189700.4

申请日：2008-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金彰洙 ,  尹在亨 ,  姜秀馨

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1362

CPC classification number: G02F1/136209 ,  H01L27/1248

Abstract: 一种薄膜晶体管阵列面板，所述薄膜晶体管阵列面板包括：基板；在基板上沿第一方向延伸的栅极线；设置在基板上的数据线，数据线与栅极线相交且该数据线与栅极线之间具有绝缘层，并且数据线在第二方向上延伸；包括连接到栅极线的控制端子、连接到数据线的输入端子、以及输出端子的薄膜晶体管；设置在薄膜晶体管上的彩色滤光片，彩色滤光片具有对应于薄膜晶体管的输出端子的开口；设置在彩色滤光片的开口中的光线阻挡件，光线阻挡件露出薄膜晶体管的输出端子的第一端部的第一区域，并且具有包围第一区域的圆周的输出端子光线阻挡部分；以及设置在光线阻挡件以及彩色滤光片上的像素电极，像素电极接触输出端子的第一区域。

公开(公告)号：CN101127358A

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200710142674.5

申请日：2007-08-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳慧英 ,  金彰洙 ,  姜秀馨

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1362

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F2001/136222 ,  H01L27/3258

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管基板及其制造方法和具有其的显示设备。在薄膜晶体管(TFT)基板中，栅极绝缘层布置于电连接到栅极线的栅电极上。半导体层设置于栅极绝缘层上。源电极电连接到与栅极线相交的数据线。漏电极面对源电极并界定半导体层的沟道区域。有机层设置于数据线上并具有暴露沟道区域的第一开口。无机绝缘层设置于有机层上。像素电极设置于无机绝缘层上且电连接到漏电极。无机绝缘层覆盖第一开口，且无机绝缘层的厚度基本均匀。

公开(公告)号：CN102856364A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210222544.3

申请日：2012-06-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镕守 ,  姜闰浩 ,  柳世桓 ,  姜秀馨

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78642 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法。薄膜晶体管包括栅电极、半导体层、栅绝缘层、源电极、漏电极和石墨烯层。半导体层与栅电极交叠。栅绝缘层设置在栅电极与半导体层之间。源电极与半导体层交叠。漏电极与半导体层交叠。漏电极与源电极间隔开。石墨烯图案设置在半导体层与源电极和漏电极中至少之一之间。

公开(公告)号：CN101211044B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200710306095.X

申请日：2007-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申暻周 ,  金时烈 ,  流慧营 ,  郑美惠 ,  金彰洙 ,  姜秀馨

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1343 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明公开了一种显示基板，包括：栅极线、栅极绝缘层、数据线、薄膜晶体管(TFT)、存储线、钝化层、滤色片层、像素电极、第一阻光层以及第二阻光层。存储线包含与栅极线相同的材料。钝化层覆盖数据线。滤色片层形成于钝化层上。像素电极形成于每个像素中的滤色片层上。第一阻光层形成于相邻像素电极之间，并包含与栅极线相同的材料。第二阻光层形成于第一阻光层之间，并包含与数据线相同的材料。因此，可减小孔径比。