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公开(公告)号：CN102856364A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210222544.3
申请日：2012-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/417 , H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78642 , H01L29/41733 , H01L29/41741 , H01L29/41775 , H01L29/45 , H01L29/66666 , H01L29/6675 , H01L29/78606 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法。薄膜晶体管包括栅电极、半导体层、栅绝缘层、源电极、漏电极和石墨烯层。半导体层与栅电极交叠。栅绝缘层设置在栅电极与半导体层之间。源电极与半导体层交叠。漏电极与半导体层交叠。漏电极与源电极间隔开。石墨烯图案设置在半导体层与源电极和漏电极中至少之一之间。
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公开(公告)号：CN1580917A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410062409.2
申请日：2004-07-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/00
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/13458 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/136231 , G02F2001/13629 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 本发明涉及一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括以下工序：在基片上形成栅极线；在栅极线上连续沉积栅极绝缘层和半导体层；在半导体层上沉积下部导电层和上部导电层；光学蚀刻上部导电层、下部导电层、及半导体层；沉积钝化层；光学蚀刻钝化层露出上部导电层第一部分和第二部分；除去上部导电层第一及第二部分，露出下部导电层第一部分和第二部分；形成覆盖下部导电层第一部分的像素电极；除去下部导电层第二部分，露出半导体层一部分；在半导体层露出部分上形成间隔材料支柱。
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公开(公告)号：CN101655630A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200910162936.3
申请日：2009-08-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1335 , G02F1/1362 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/1333 , G02F1/133512 , G02F1/136209 , G02F2001/133354 , G02F2203/11
Abstract: 本发明提供了一种液晶显示器及其制造方法。该液晶显示器的制造方法包括：在第一基板上形成包括金属的对准键；涂布与对准键重叠的挡光层；将红外光透射穿过对准键上的挡光层；通过透射红外光到对准键和挡光层来识别对准键；以及通过曝光并显影挡光层来形成挡光件。
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公开(公告)号：CN101655624A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200910162935.9
申请日：2009-08-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/133 , G02F1/136 , G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/1345 , G02F1/1343 , G02F2001/133388
Abstract: 本发明提供一种液晶显示器及其制造方法。该液晶显示器能够降低非显示区域的杂散电容。该液晶显示器包括：第一基板；栅极线和数据线，在第一基板上彼此交叉从而限定像素；第二基板，与第一基板相对设置；公共电极，形成在第二基板的显示图像的显示区域中；以及浮置电极，形成在第二基板的不显示图像的非显示区域中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1591144A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410057090.4
申请日：2004-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/00 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/1339
Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括以下工序：在基片上形成栅极线；在栅极线上依次沉积栅极绝缘层和半导体层；在半导体层上依次沉积下层导电薄膜和上层导电薄膜；光蚀刻上层导电薄膜、下层导电薄膜、和半导体层；沉积钝化层；光蚀刻钝化层以露出上层导电薄膜的第一和第二部分；除去上层导电薄膜的第一和第二部分以露出下层导电薄膜的第一和第二部分；形成像素电极和一对分别在下层导电薄膜第一和第二部分上的冗余电极，冗余电极露出下层导电薄膜第二部分的一部分；除去下层导电薄膜第二部分的露出部分以露出半导体层的一部分；以及在半导体层的露出部分上形成柱状隔离物。
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公开(公告)号：CN102916016A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210272796.7
申请日：2012-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/1225 , H01L27/1237 , H01L27/1262 , H01L27/127 , H01L27/1288 , H01L29/45 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板。根据本发明示例性实施方式的薄膜晶体管阵列面板包括：设置在基板上的栅极布线层；设置在栅极布线层上的氧化物半导体层；以及设置在氧化物半导体层上的数据布线层，其中数据布线层包括包含铜的主布线层和设置在主布线层上且包含铜合金的盖层。
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公开(公告)号：CN102736243A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210101407.4
申请日：2012-03-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种微结构透镜单元、一种微结构透镜片、一种显示装置及一种显示图像的方法，所述微结构透镜单元包括：透明基底；第一电极，所述第一电极是透明的，并设置在所述基底上；第二电极，所述第二电极是透明的，并具有弹性；以及透明材料层，设置在所述第一电极和所述第二电极之间，并且能根据在所述第一电极和所述第二电极之间施加的电位而沿厚度方向变形为透镜形状。
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公开(公告)号：CN100424573C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200410062409.2
申请日：2004-07-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/00
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/13458 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/136231 , G02F2001/13629 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 本发明涉及一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括以下工序：在基片上形成栅极线；在栅极线上连续沉积栅极绝缘层和半导体层；在半导体层上沉积下部导电层和上部导电层；光学蚀刻上部导电层、下部导电层、及半导体层；沉积钝化层；光学蚀刻钝化层露出上部导电层第一部分和第二部分；除去上部导电层第一及第二部分，露出下部导电层第一部分和第二部分；形成覆盖下部导电层第一部分的像素电极；除去下部导电层第二部分，露出半导体层一部分；在半导体层露出部分上形成间隔材料支柱。
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公开(公告)号：CN100392506C
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200410057090.4
申请日：2004-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/00 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/1339
Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括以下工序：在基片上形成栅极线；在栅极线上依次沉积栅极绝缘层和半导体层；在半导体层上依次沉积下层导电薄膜和上层导电薄膜；光蚀刻上层导电薄膜、下层导电薄膜、和半导体层；沉积钝化层；光蚀刻钝化层以露出上层导电薄膜的第一和第二部分；除去上层导电薄膜的第一和第二部分以露出下层导电薄膜的第一和第二部分；形成像素电极和一对分别在下层导电薄膜第一和第二部分上的冗余电极，冗余电极露出下层导电薄膜第二部分的一部分；除去下层导电薄膜第二部分的露出部分以露出半导体层的一部分；以及在半导体层的露出部分上形成柱状隔离物。
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